Беларуская Савецкая Энцыклапедыя (1969—76, паказальнікі; правапіс да 2008 г., часткова)
БАЛА́НСНАЯ СХЕ́МА,
разгалінаваны электрычны ланцуг, у якім пры зменах некаторых яго параметраў (супраціўленне, ёмістасць або інш.) устанаўліваецца (ці парушаецца) раўнавага (баланс) токаў ці напружанняў. Выкарыстоўваецца ў вымяральнай тэхніцы, радыёсувязі, тэлеф. сувязі і інш.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ЗАПІРА́ННЯ СХЕ́МА, антысупадзенняў схема,
электронная прылада дыскрэтнага дзеяння, прынцып работы якой заснаваны на вылучэнні пэўнай групы падзей (з’яўленне эл. імпульсаў, іанізавальных часціц ці інш.) пры ўмове, што хоць адна з іх адбываецца не адначасова з астатнімі. Мае некалькі ўваходаў і адзін выхад; выхадны сігнал выдаецца толькі пры адсутнасці сігналу на адным з уваходаў; напр., пры даследаваннях паглынальных здольнасцей рэчыва да забараняльных уваходаў З.с. далучаюцца лічыльнікі, размешчаныя пасля даследаванага слоя, да астатніх уваходаў — размешчаныя паміж крыніцай выпрамянення і дадзеным слоем. Выхадны сігнал мае інфармацыю толькі аб часціцах, паглынутых у выпрабаваным слоі рэчыва. Выкарыстоўваецца ў ядз. электроніцы, амплітудных аналізатарах, дэшыфратарах, дэкадавальных прыладах і інш.
мікрамініяцюрнае электроннае ўстройства для пераўтварэння, апрацоўкі ці захавання (назапашвання) інфармацыі, пададзенай у выглядзе эл., аптычных і інш. сігналаў. Складаецца з электрычна звязаных паміж сабой электрарадыёэлементаў (ЭРЭ), сфарміраваных у адзіным тэхнал. цыкле на аснове агульнай нясучай канструкцыі (падложкі). Актыўныя ЭРЭ І.с.: дыёды, транзістары, структуры метал—дыэлектрык—паўправаднік і інш.; пасіўныя: рэзістары, кандэнсатары электрычныя, трансфарматары, індуктыўнасці шпулі і інш. Тэорыю, метады разліку, тэхналогію вырабу І.с. вывучае і распрацоўвае мікраэлектроніка.
І.с. адрозніваюць: па спосабе аб’яднання (інтэгравання) элементаў — паўправадніковыя, ці маналітныя (асн. тып), плёначныя і гібрыдныя (у т. л. шматкрышталёвыя); па выглядзе інфармацыі, што апрацоўваюць, — лічбавыя і аналагавыя; па ступені інтэграцыі (колькасці элементаў на падложцы) — малыя, сярэднія, вялікія, звышвялікія. У маналітных І.с. элементы фарміруюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай, у асн. крэмніевай ці арсенідгаліевай, пласціны) у выніку камбінацыі працэсаў легіравання, траўлення, аксідавання, металізацыі і інш., што праводзяцца метадам фоталітаграфіі. Плёначныя І.с. змяшчаюць толькі пасіўныя элементы. Падложкамі гібрыдных І.с. служаць дыэлектрычныя пласціны, напр з керамікі, або пакрытыя дыэлектрыкам метал. пласціны, напр. на аснове алюмінію і яго аксідаў. На іх паверхні жорстка замацаваны мініяцюрныя ЭРЭ, злучаныя паміж сабой танка- ці таўстаплёначнымі праваднікамі; пасіўныя ЭРЭ могуць быць навяснымі ці плёначнымі. І.с. з’яўляюцца элементнай базай сучасных сродкаў электроннай тэхнікі. Гл. таксама Вялікая інтэгральная схема.
Літ.: Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справ. М., 1989; Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.
В.У.Баранаў, А.П.Дастанка.
Інтэгральная схема з дыёднай ізаляцыяй: а — электрычная схема; б — тапалогія; 1 — металічныя міжзлучэнні; 2 — слой дыэлектрыка дыаксіду крэмнію SiO2; 3 — паўправадніковая пласціна з участкамі p, n і n+-тыпу праводнасці, А, Б, В — адпаведныя адзін аднаму пункты на рыс.а і б.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
Схема ўнутранай будовы Зямлі 5/14
Беларуская Савецкая Энцыклапедыя (1969—76, паказальнікі; правапіс да 2008 г., часткова)
МНЕМАНІ́ЧНАЯ СХЕ́МА, мнемасхема,
сукупнасць сігнальных прыстасаванняў і ўмоўных відарысаў абсталявання і ўнутр. сувязей аб’екта, якія ў выглядзе схемы размяшчаюцца на дыспетчарскіх пультах ці спец. панэлях. Наглядна паказвае структуру аб’екта, стан (становішча) яго часткі элементаў, ход вытв. працэсу, дазваляе кантраляваць рэжымы аб’ектаў і працэсаў і кіраваць імі. Выкарыстоўваецца на прамысл. прадпрыемствах (устаноўках), у энергет. сістэмах, на чыг. станцыях і інш., а таксама на тэхн. выстаўках і ў навуч. мэтах.
Сігнальнымі прыстасаваннямі на М.с. служаць пераважна візуальныя індыкатары, абсталяванне і ўнутр. сувязі аб’екта паказваюцца з дапамогай сімвалаў Адрозніваюць М.с. мімічныя (з выкарыстаннем фарбаў, каляровых плітак і інш.), светлавыя і камбінаваныя. Дзеянне найб. пашыраных светлавых М.с. заснавана на электралюмінесцэнцыі, нізкавольтнай катодалюмінесцэнцыі і электрааптычных эфектах у вадкіх крышталях. Інфармацыя аб стане аб’екта паказваецца зменай колернасці або яркасці свячэння элементаў М.с., перамяшчэннем светлавога зайчыка, зменай канфігурацыі ці памераў светлавой плямы і г.д.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ВЯЛІ́КАЯ ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА,
інтэгральная схема з вялікай колькасцю схемных элементаў (высокай ступені інтэграцыі); асн. элементная база ЭВМ і радыёэлектронных сродкаў. Аналагавыя вялікія інтэгральныя схемы маюць да 800, лічбавыя — да некалькіх дзесяткаў тысяч элементаў. Звышвялікая інтэгральная схема мае на парадак большую ступень інтэграцыі. Вялікія інтэгральныя схемы забяспечваюць надзейнасць радыёэлектроннай тэхнікі, яе малыя габарыты і масу, нізкую спажываную магутнасць.
Асаблівасць вялікіх інтэгральных схем — малыя памеры яе элементаў і міжэлементных злучэнняў (да 1,2 мкм пры выкарыстанні фоталітаграфіі і менш за 1 мкм пры рэнтгенаўскай і электроннай літаграфіі); скарачэнне колькасці знешніх вывадаў для забеспячэння хуткадзеяння, напр. у аднакрышталёвых ЭВМ. Адрозніваюць вялікія інтэгральныя схемы цвердацельныя (маналітныя; бываюць на аснове структур метал-дыэлектрык-паўправаднік і біпалярных структур) і гібрыдныя (дыскрэтныя бяскорпусныя паўправадніковыя прыборы і інтэгральныя схемы размешчаны на плёначнай падложцы; маюць больш шырокі частотны дыяпазон у параўнанні з маналітнымі; недахопы — меншая шчыльнасць упакоўкі элементаў, меншая надзейнасць). Праектаванне і тэхнал. рэалізацыя вялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца пры дапамозе ЭВМ.
Вялікія інтэгральныя схемы выкарыстоўваюцца як запамінальныя прыстасаванні, аналага-лічбавыя і лічбавыя пераўтваральнікі, узмацняльнікі, у мікрапрацэсарных камплектах і інш. На Беларусі навук. распрацоўкі і вытворчасць вялікіх інтэгральных схем і звышвялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца ў навук.-вытв. аб’яднаннях «Інтэграл», «Карал», канцэрне «Планар», Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, Мінскім н.-д. прыладабудаўнічым ін-це, НДІ радыёматэрыялаў і інш.
Літ.:
Технология СБИС: Пер. с англ.Кн. 1—2. М., 1986;
Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПАТА́ЕЎ (Георгій Аляксандравіч) (н. 27.9.1944, Мінск),
бел. архітэктар. Д-р архітэктуры (1999). Скончыў БПІ (1967), з 1971 выкладаў у ім. З 1977 у ін-це БелНДІПгорадабудаўніцтва (з 1980 нам. дырэктара). З 1995 заг. кафедры БПА. Працуе ў галіне горадабудаўніцтва і ландшафтнай архітэктуры. Асн. праектныя работы: «Схема развіцця і размяшчэння курортаў, месцаў адпачынку і турызму, прыродных паркаў і запаведнікаў у СССР», «Генеральная схема развіцця і размяшчэння курортаў і зон адпачынку Беларускай ССР» (абодва 1981), «Схема размяшчэння і развіцця гарадскіх і сельскіх паселішчаў Беларускай ССР да 2000 года» (1982), «Генеральная схема комплекснай тэрытарыяльнай арганізацыі Беларускай ССР» (1989), «Схема размяшчэння першачарговых аб’ектаў аздараўлення і адпачынку насельніцтва Рэспублікі Беларусь, што пражывае на тэрыторыі, забруджанай радыенуклідамі» (1991; усе ў сааўт.). Адзін з аўтараў кніг «Горадабудаўнічае асваенне поймавых тэрыторый Беларускай ССР» (1986), «Горадабудаўніцтва Беларусі» (1988), «Горадабудаўнічыя асновы развіцця курортна-рэкрэацыйных раёнаў СССР» (1990), «Беларусь: асяроддзе для чалавека» (1996) і інш.Дзярж. прэмія Беларусі. 2000.
Тв.:
Рекреационные ландшафты: Охрана и формирование. Мн., 1996.
