Verbum

ДО́НАР у фізіцы,

дэфект крышт. рашоткі паўправадніка (напр., дамешкавы атам), здольны аддаваць электроны ў зону праводнасці. Тыповыя Д. для германію Ge і крэмнію Si — атамы элементаў V групы перыядычнай сістэмы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb). Гл. таксама Акцэптар, Паўправаднікі.

т. 6, с. 183

АКУСТАЭЛЕКТРО́НІКА,

раздзел электронікі, які вывучае ўзбуджэнне, распаўсюджванне і прыём акустычных хваляў у кандэнсаваных асяроддзях, узаемадзеянне іх з электрамагн. палямі і электронамі праводнасці; займаецца стварэннем акустаэлектронных прылад. Як самастойны раздзел электронікі сфарміравалася ў 1960-я г. (адкрыццё эфекту ўзмацнення гуку дрэйфуючымі электронамі праводнасці ў крышталях сульфіду кадмію). Падзяляецца на высокачастотную (мікрахвалевую) акустыку цвёрдага цела (узбуджэнне, распаўсюджванне і прыём ультра- і гіпергукавых хваляў), уласна акустаэлектроніка (узаемадзеянне акустычных хваляў з электронамі праводнасці ў цвёрдых целах) і акустаоптыку. Займаецца распрацоўкай прылад для пераўтварэння і аналагавай апрацоўкі радыёсігналаў у дыяпазоне частот ад 1 МГц да 20 ГГц (ніжняя мяжа вызначаецца толькі памерамі існуючых крышталёў, верхняя — тэхнал. магчымасцямі вырабу субмікронных элементаў і вязкасным паглынаннем гуку ў цвёрдых целах). У акустаэлектроніцы выкарыстоўваюцца паверхневыя акустычныя хвалі, аб’ёмныя, прыпаверхневыя, хвалі Лэмба і інш. Асн. матэрыялы акстаэлектронікі: п’езаэлектрыкі і слаістыя структуры з п’езаэлектрыкаў і паўправаднікоў, сегнетаэлектрыкі, паўправаднікі без п’езаэл. уласцівасцяў і інш. На Беларусі даследаванні па акустаэлектроніцы праводзяцца з 1970-х г. у Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Викторов И.А. Физические основы применения ультразвуковых волн Рэлея и Лэмба в технике. М., 1966;

Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: Схемы, топология, конструкции. М., 1987;

Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах: Пер. с англ. М., 1990.

В.​М.​Дашанкоў.

т. 1, с. 218

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230

АРЫТМІ́Я (ад а... + грэчаскае rhythmos рытм) сардэчная, парушэнне рытму, паслядоўнасці і сілы сардэчных скарачэнняў. Узнікае ад парушэнняў аўтаматызму, узбуджальнасці, праводнасці і скарачальнасці сэрца, пры хваробах сэрца, парушэннях яго нервовай рэгуляцыі і гэтак далей. Адрозніваюць пачашчэнне (тахікардыя) і запаволенне (брадыкардыя) біцця сэрца, няправільны рытм сардэчных скарачэнняў (экстрасісталія, мігальная арытмія), прыступы частага біцця сэрца (параксізмальная тахікардыя) і інш. Лячэнне асноўнай хваробы сэрца ліквідуе арытмію.

т. 2, с. 9

ДЗІ́РКА ў фізіцы цвёрдага цела,

квазічасціца ў паўправадніку, дыэлектрыку ці метале, звязаная з незанятым электронам квантавым станам у валентнай зоне. Пад уздзеяннем знешніх эл. і магн. палёў паводзіць сябе як часціца з дадатным зарадам, роўным па абсалютнай велічыні зараду электрона. Эфектыўная маса Дз. большая, а рухомасць меншая, чым у электрона праводнасці. Дз. разам з электронамі вызначаюць дынамічныя ўласцівасці крышталёў. Гл. таксама Паўправаднікі.

т. 6, с. 117

ПРАСТО́РАВЫ ЗАРА́Д, аб’ёмны зарад,

зарад электрычны, размеркаваны па некаторым аб’ёме. Узнікае пры розных канцэнтрацыях дадатных і адмоўных носьбітаў зараду ў прасторы (напр., электронаў і іонаў у плазме). Назіраецца паблізу ад электродаў пры праходжанні эл. току праз электраліт ці газ, на мяжы 2 паўправаднікоў з рознымі тыпамі праводнасці, у вакууме пры электроннай эмісіі і інш. П.з. вызначае прасторавае размеркаванне патэнцыялу і напружанасці электрычнага поля.

т. 13, с. 21

КА́БЕЛЬНАЯ ТЭО́РЫЯ ў біялогіі,

тэорыя праводнасці біяэлектрычных патэнцыялаў уздоўж цыліндрычнай клеткі. Зыходзіць з таго, што нерв., мускульную ці інш. клетку можна ўявіць у выглядзе адрэзка кабелю, змешчанага ў праводным асяроддзі з клетачнай мембранай, якая выконвае ролю ізалятара. Кабельная мадэль цыліндрычнай клеткі і заснаваная на гэтай мадэлі тэорыя разліку суадносін велічынь току і напружання дазваляюць эксперыментальна вызначаць эл. параметры клетачнай мембраны і ацэньваць умовы распаўсюджвання падпарогавых эл. імпульсаў.

т. 7, с. 386

ВАЛЕ́НТНАЯ ЗО́НА,

энергетычная вобласць дазволеных электронных станаў у цвёрдым целе. Пры т-ры абсалютнага нуля цалкам запоўнена валентнымі электронамі (гл. Зонная тэорыя). Пад уплывам цеплавога руху, знешніх уздзеянняў (асвятленне, апрамяненне, увядзенне прымесяў і інш.) невял. частка электронаў пераходзіць з валентнай зоны ў зону праводнасці ці на прымесныя ўзроўні ў забароненай зоне. У выніку ў валентнай зоне з’яўляюцца незапоўненыя электронныя станы (дзіркі) і электроны валентнай зоны могуць удзельнічаць у электраправоднасці.

т. 3, с. 479

ГЕТЭРАПЕРАХО́Д,

кантакт паміж двума рознымі паводле хім. саставу ці (і) фазавага стану паўправаднікамі (ПП). Па тыпе праводнасці спалучаных ПП адрозніваюць гетэрапераходы анізатыпныя — кантактуюць ПП з электроннай (n) і дзірачнай (p) эл.-праводнасцямі (p-n-гетэрапераход; гл. Электронна-дзірачны пераход), і ізатыпныя — кантактуюць ПП з адным тыпам праводнасці (n-n-гетэрапераход ці p-p-гетэрапераход). Камбінацыі некалькіх гетэрапераходаў утвараюць гетэраструктуры.

Для атрымання гетэрапераходу выкарыстоўваюцца кантакты паміж германіем Ge, крэмніем Si, ПП злучэннямі тыпу A​^IIIB​^V, дзе A​^III — элемент III групы перыяд. сістэмы элементаў (алюміній Al, галій Ga, індый In), B​^V — элемент V групы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb), і іх цвёрдымі растворамі: Ge—Si, Ga Al As — Ga As, Ga Al—Ge, In Ga As — In P. Гетэрапераход атрымліваюць эпітаксіяй. Галоўная асаблівасць гетэрапераходу — скачкападобнае змяненне ўласцівасцей на мяжы падзелу ПП (шырыні забароненай зоны, энергіі роднасці да электрона, рухомасці носьбітаў зараду, іх эфектыўнай масы і інш.). Кіраванне імі шляхам падбору спалучаных ПП матэрыялаў дае магчымасць ствараць арыгінальныя ПП прылады. Гетэрапераходы выкарыстоўваюцца ў пераключальніках хуткадзейных лагічных схем для ЭВМ, ПП лазерах, святлодыёдах і інш.

Літ.:

Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник: Пер. с англ. М., 1975;

Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. М., 1979.

Л.​М.​Шахлевіч.

т. 5, с. 209

АКУСТАЭЛЕКТРЫ́ЧНЫ ЭФЕ́КТ,

узнікненне пастаяннага току ці электрарухальнай сілы ў праводным асяроддзі (метал, паўправаднік) пад уздзеяннем бягучай ультрагукавой (УГ) хвалі. Адкрыты Г.​Вайнрахам і Х.​Дж.​Уайтам (ЗША, 1957) у монакрышталях германію. Паяўленне эл. току звязана з перадачай імпульсу (і адпаведна энергіі) ад гукавой хвалі электронам праводнасці. Пад уздзеяннем УГ хвалі ў правадніку ўзнікаюць лакальныя эл. палі, якія распаўсюджваюцца разам з хваляй і захопліваюць носьбіты зараду, што прыводзіць да ўзнікнення акустаэл. току. Акустычны эфект адносіцца да нелінейных эфектаў (гл. Нелінейная акустыка). Выкарыстоўваецца для вымярэння магутнасці УГ сігналу, частотных характарыстык УГ пераўтваральнікаў, для даследавання эл. уласцівасцяў паўправаднікоў.

У.​М.​Белы.

т. 1, с. 218