Verbum

ІНДЫКА́ТАР (ад лац. indicator паказальнік),

прылада (прыстасаванне, элемент) для паказу параметраў працэсаў або станаў аб’ектаў у форме, зручнай для непасрэднага ўспрымання. Бываюць сігнальныя і вымяральныя, візуальныя, акустычныя, тактыльныя і І. пахаў.

Сігнальныя І. — лямпачкі, святлодыёды. званкі, рычагі, мех. паказальнікі і інш. Стрэлачныя І. гэтага тыпу маюць спрошчаныя шкалы, на якіх адзначаюцца толькі вобласці нармальных і небяспечных значэнняў кантралюемых параметраў. Вымяральныя І. адлюстроўваюць колькасныя паказчыкі працэсаў і станаў аб’ектаў (стрэлачныя і лічбавыя І. вымяральных прылад). Найб. пашыраны візуальныя І. — газаразрадныя індыкатары, сігнальныя лямпачкі, святлодыёды, стрэлачныя і лічбавыя прыстасаванні, электронна-прамянёвыя трубкі (ЭПТ), прыстасаванні адлюстравання на вадкіх крышталях і інш. Дасканалыя І. персанальных ЭВМ — дысплеі, маніторы, экраны; забяспечваюць большую нагляднасць, інфармацыйную насычанасць, разнастайнасць форм адлюстравання (чорна-белыя і каляровыя; графікі, сімвалы, відарысы аб’ектаў, сродкі мультымедыя і інш.); здольныя імітаваць «эфект прысутнасці» аператара ў пэўных абставінах (напр., пры рабоце камп’ютэрных трэнажораў па пілатаванні самалётаў). Мнеманічныя экраны (са святлівымі элементамі, якія адпавядаюць агрэгатам або вузлам прамысл. устаноўкі) пад кіраваннем камп’ютэра інфармуюць аператара пра стан аб’екта (гл. Мнеманічная схема). На аснове ЭПТ і дысплеяў пабудаваны індыкатарныя устройствы радыё- і гідралакацыйных станцый. Акустычныя І. — званкі, сірэны, равуны, трашчоткі і інш.; выкарыстоўваюцца пры немагчымасці або немэтазгоднасці ўжывання візуальных І., а таксама для разгрузкі зрокавага ўспрымання назіральніка ці павышэння надзейнасці ўспрымання візуальных сігналаў. Тактыльныя І. ўздзейнічаюць на органы дотыку, выкарыстоўваюцца звычайна разам з візуальнымі і акустычнымі, калі неабходна хуткая рэакцыя назіральніка або калі інш. І. немэтазгодныя (напр., вібрацыйныя прыстасаванні выкліку абанента ў пэйджэрах). Гл. таксама Ізатопныя індыкатары, Індыкатары хімічныя.

Літ.:

Пул Г. Основные методы и системы индикации: Пер. с англ. Л., 1969;

Чачко А.Г. Человек за пультом. М., 1974.

В.​І.​Вараб’ёў.

т. 7, с. 243

ІНФАРМА́ЦЫІ ТЭО́РЫЯ,

раздзел кібернетыкі, які вывучае працэсы захоўвання, пераўтварэння і перадачы інфармацыі. У І.т. выкарыстоўваюцца метады тэорый імавернасцей, лікаў, графаў, гульняў, матэм. статыстыкі, алгебры. Інтэнсіўнае развіццё абумоўлена патрэбамі сродкаў сувязі, электроннай выліч. і кіравальнай тэхнікі, радыёлакацыі і інш.

Узнікла ў канцы 1940-х г. на аснове прац амер. матэматыка К.​Шэнана; значны ўклад у яе абгрунтаванне зрабілі сав. вучоныя А.​М.​Калмагораў, А.​Я.​Хінчын, А.​А.​Харкевіч. Асн. частка І.т. — агульная тэорыя сувязі, якая распрацоўвае эфектыўныя метады перадачы інфармацыі па лініях сувязі, вывучае праблемы аптымальнага кадзіравання і фільтрацыі інфармацыі, выяўлення і прадказання сігналаў. І.т. зыходзіць з таго, што сігналы (паведамленні) паступаюць ад крыніцы ў выпадковай паслядоўнасці, маюць пэўную імавернасць, а таксама імавернасць таго, што паведамленні могуць скажацца ў час перадачы. У якасці меры такой неазначальнасці прымаецца сярэдняя колькасць двайковых знакаў, неабходная для запісу адвольнага паведамлення дадзенай крыніцы самым эканомным спосабам кадзіравання Гэтая мера не меншая за энтрапію мноства паведамленняў $H=\sum _{i=1}^n{p}_i{\log }_2\text{(}\frac{1}{p_i}\text{)}$ , дзе n — колькасць паведамленняў, P_i — імавернасць з’яўлення асобнага паведамлення. Колькасць інфармацыі ў паведамленні X адносна паведамлення Y вызначаецца суадносінамі I(X, Y) = H(X) + Y(Y) − H(X, Y), дзе H(X, Y) — энтрапія пары (X, Y). Скорасць V перадачы інфармацыі па канале сувязі не перавышае велічыні, вызначанай з суадносін Hv = C, дзе H — энтрапія крыніцы на сімвал, C — прапускная здольнасць дадзенага канала.

На Беларусі даследаванні па І.т. праводзяцца з 1960-х г. у Ін-це тэхн. кібернетыкі Нац. АН, БДУ, Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Шеннон К Работы по теории информации и кибернетике: Пер. с англ. М., 1963;

Дивногорцев Г.П., Караченцева Н.Я., Яшин В.М. Передача данных в сетях вычислительных центров. Мн., 1971;

Липницкий С.Ф., Ярмош Н.А. Моделирование интеллектуальных процессов в инженерных информационных системах. Мн., 1996.

М.​А.​Ярмаш.

т. 7, с. 291

МАРШ,

музычны жанр. Склаўся ў інстр. музыцы. Яго вызначальныя рысы: дакладны рытм з вострымі пункцірнымі фігурамі і сінкопамі, мелодыка з «фанфарнымі» інтанацыямі, скачкамі, паўторамі гукаў, квадратнасць пабудовы, устойлівы тэмп. Памер пераважна ​²/₄, ​⁴/₄.

М. сфарміраваўся ў далёкім мінулым на аснове інстр. сігналаў (гл. Сігнальная музыка), паходнай салдацкай песні, некат. форм танц. музыкі (напр., паланэза). Разнастайнасць характару і зместу М. абумоўлена яго канкрэтным прызначэннем (страявы, жалобны, канцэртны і інш.), сац.-грамадскімі ўмовамі эпохі і традыцыямі нац. муз. культур. М. — адзін з вядучых жанраў духавой музыкі, які садзейнічае арганізацыі руху і стварэнню адзінага эмац. настрою. Сярод ваен. М. вылучаюць страявы (парадны), цырыманіяльны (калонны і фанфарны), паходны, або «хуткі», сустрэчны, пахавальны (жалобны), кожны з якіх мае свае муз.-стылявыя асаблівасці. На ранняй ступені развіцця М. стаў таксама жанрам тэатр., канцэртнай і быт. музыкі. Развіваецца ў пастаяннай сувязі яго прыкладной і «мастацкай» форм.

На Беларусі М. выкарыстоўваецца ў нар. і прафес. муз. практыцы; абавязковы кампанент традыц. вясельнага рытуалу, дзе стварае атмасферу ўсеагульнай радасці і ўрачыстасці. У кожнай мясцовасці ёсць свае традыц. папулярныя маршы, у т. л. рус. ваен. М. «Развітанне славянкі», «Туга па Радзіме», «Егерскі марш», «Парыжскі марш 1814 г.», бел. нар. песня «Бывайце здаровы», польск. застольная песня «Сто год» і інш., розныя па месцы і па часе ўзнікнення. У 2-й пал. 19 ст. да жанру М. звярталіся І.​Глінскі, Я.​Ёдка і інш. М. зрабіў вял. ўплыў на развіццё масавай песні. У 20 ст. М. пісалі бел. кампазітары Р.​Бутвілоўскі, Ю.​Бяльзацкі, Я.​Глебаў, І.​Лучанок, П.​Падкавыраў, Р.​Сурус, Я.​Цікоцкі, М.​Чуркін. М.-парафразы створаны на тэмы песень У.​Алоўнікава, Лучанка, Ю.​Семянякі і інш. М. распрацоўваецца ў бел. сімф., опернай, балетнай, фп. музыцы і інш.

Літ.:

Городецкая 3., Магазинер Л. Типичные черты жанра, композиции и музыкального языка маршей // В помощь военному дирижеру. М., 1955. Вып. 2.

І.​Дз.​Назіна.

т. 10, с. 151

ОПТАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна электронікі, якая вывучае і выкарыстоўвае ўласцівасці ўзаемадзеяння эл.-магн. хваль аптычнага дыяпазону з электронамі ў цвёрдых, вадкіх і газападобных рэчывах для генерацыі, перадачы, захоўвання, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі. Як самастойная галіна навукі і тэхнікі пачала фарміравацца ў 1960-я г. Грунтуецца на дасягненнях фіз. оптыкі, малекулярнай фізікі, фізікі і тэхнікі паўправаднікоў, лазераў, схематэхнікі і інш.

Умоўна падзяляецца на фатоніку (даследуе метады стварэння прылад захоўвання, перадачы, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі, выяўленай у выглядзе аптычных сігналаў), радыёоптыку (дастасоўвае прынцыпы і метады радыёфізікі да оптыкі) і аптроніку (даследуе метады стварэння аптронных схем — электронных прылад з унутр. аптычнымі сувязямі). Оптаэлектронныя прылады адрозніваюцца неўспрымальнасцю аптычных каналаў сувязі да ўздзеянняў эл. магн. палёў, поўнай гальванічнай развязкай у прыладах з унутр. аптычнымі сувязямі, падвойнай (прасторавай і часавай) мадуляцыяй святла, што дазваляе апрацоўваць вял. масівы інфармацыі. Перавагі оптаэлектронных прылад (у параўнанні з вакуумнымі і паўправадніковымі) грунтуюцца на эл. нейтральнасці квантаў аптычнага выпрамянення (фатонаў), высокай частаце аптычных ваганняў, малой разбежнасці светлавых прамянёў і магчымасці іх дастаткова вострай факусіроўкі.

На Беларусі даследаванні па праблемах О. вядуцца з пач. 1970-х г. у ін-тах фізікі, электронікі, малекулярнай і атамнай фізікі, прыкладной оптыкі, фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, фіз.-тэхн. Нац. АН, БДУ, БПА, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш. Развіты метады і створаны прыстасаванні для захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі на эл.-аптычных, фотахромных, фотатэрмапластычных і оптавалаконных структурах; развіта тэорыя аптычных хваляводаў і створаны прылады інтэгральнай оптыкі; распрацаваны дыфракцыйныя прыстасаванні з эл. кіраваннем; тэхналогія знакасінтэзавальных індыкатараў на вадкіх крышталях; метады і сістэмы для атрымання відарысаў, аптычнай памяці з выкарыстаннем бістабільнасці паўправадніковых структур, многаканальнай перадачы інфармацыі і інш.

Літ.:

Осинский В.И. Интегральная оптоэлектроника. Мн., 1977;

Интегральная оптоэлектроника: Элементы, устройства, технология. М., 1990.

Л.​І.​Гурскі.

т. 11, с. 441

СЕГНЕТАЭЛЕ́КТРЫКІ, фераэлектрыкі,

дыэлектрычныя і паўправадніковыя крышталі, якія ў пэўным інтэрвале т-р (у сегнетаэлектрычнай фазе) пры адсутнасці знешніх палёў маюць спантанную (самаадвольную) палярызацыю (гл. Палярызацыя дыэлектрыкаў); асобная група піраэлектрыкаў (гл. Піраэлектрычнасць). Палярызацыя С. абумоўлена зрушэннем іонаў крышталічнай рашоткі адносна іх месцазнаходжання ў непалярызаваных крышталях, а таксама ўпарадкаваннем атамных груп, якія маюць эл. дыпольныя моманты.

Характэрныя асаблівасці С. у сегнетаэлектрычнай фазе (наяўнасць даменаў, сегнетаэлектрычнага гістэрэзіса, вял. дыэлектрычнай пранікальнасці, залежнай ад напружанасці эл. поля, і інш.) выяўлены ў сегнетавай солі (адсюль назва). У некат. крышталяў такая фаза назіраецца пры т-рах, меншых за Кюры пункт, вышэй якога С. страчваюць свае спецыфічныя ўласцівасці; існуюць крышталі, дзе яна абмежавана з двух бакоў пунктамі Кюры; некат. крышталі не маюць пункта Кюры і вобласць існавання сегнетаэл. фазы супадае з тэмпературнай вобласцю існавання крышталя; многія крышталі маюць некалькі сегнетаэл. фаз, якія адрозніваюцца рознай арыентацыяй палярызаванасці. Вядома некалькі соцень С., якія класіфікуюць паводле характару фазавага пераходу ў пункце Кюры, сіметрыі крышталёў і інш. З С. найб. вывучаны ніабат літыю, тытанаты барыю і стронцыю і інш. С. выкарыстоўваюцца ў розных галінах навукі і тэхнікі для ўзаемнага пераўтварэння гукавых і эл. сігналаў, вымярэння т-ры і ціску, у прыёмніках эл.-магн. хваль і інш. Гл. таксама Сегнетаэлектрычнасць.

На Беларусі даследаванні па фізіцы С. вядуцца з 1950-х г. у Ін-це фізікі Нац. АН пад кіраўніцтвам М.М.Сіраты; з 1960-х г. — таксама ў БДУ, Бел. пед. ун-це, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш. Эксперыментальна даследаваны асаблівасці фіз. уласцівасцей С. паблізу ад фазавых пераходаў, распрацаваны метады вырошчвання новых крышталічных С. і вывучаны залежнасці іх уласцівасцей ад умоў вырошчвання і інш.

Літ.:

Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы: Пер. с англ. М., 1981.

П.​А.​Пупкевіч.

т. 14, с. 293

ГУК,

ваганні часцінак пругкага асяроддзя (газападобнага, вадкага або цвёрдага), якія распаўсюджваюцца ў ім у выглядзе хваль; пругкія хвалі малой інтэнсіўнасці. У залежнасці ад частаты ваганняў адрозніваюць чутныя гукі (частата ад 16 Гц да 20 кГц; выклікаюць гукавыя адчуванні пры ўздзеянні на органы слыху чалавека), інфрагук (умоўна ад 0 да 16 Гц), ультрагук (ад 20 кГц да 1 ГГц) і гіпергук (больш за 1 ГГц; верхняя мяжа вызначаецца атамна-малекулярнай будовай асяроддзя). Гук вывучаецца ў акустыцы.

Гук можа ўзнікаць у выніку розных працэсаў, што выклікаюць узбурэнне асяроддзя (мясц. змена ціску або мех. напружання ад раўнаважнага значэння, лакальныя зрушэнні часцінак ад стану раўнавагі). У газападобных і вадкіх асяроддзях распаўсюджваюцца падоўжныя хвалі, скорасць якіх вызначаецца сціскальнасцю і шчыльнасцю асяроддзя (гл. Скорасць гуку); у цвёрдых целах акрамя падоўжных могуць распаўсюджвацца папярочныя і паверхневыя акустычныя хвалі са скарасцямі, якія вызначаюцца пругкімі канстантамі і шчыльнасцю (гл. Фанон). У некат. выпадках назіраецца дысперсія гуку (гл. Дысперсія хваль), абумоўленая фіз. працэсамі ў рэчыве, а таксама хваляводным характарам распаўсюджвання ў абмежаваных аб’ёмах. Пры распаўсюджванні гуку маюць месца звычайныя для ўсіх тыпаў хваль з’явы інтэрферэнцыі, дыфракцыі, затухання (гл. Паглынанне гуку). Калі памер перашкод ці неаднароднасцей асяроддзя вялікі (у параўнанні з даўжынёй хвалі), распаўсюджванне падпарадкоўваецца законам геаметрычнай акустыкі. Пры распаўсюджванні гукавых хваль вял. амплітуды адбываюцца паступовае скажэнне формы гарманічнай хвалі і набліжэнне яе да ўдарнай і інш. эфекты (гл. Нелінейная акустыка, Кавітацыя). Гук выкарыстоўваецца для сувязі і сігналізацыі (напр., у водным асяроддзі гэта адзіны від сігналаў для сувязі, навігацыі і лакацыі; гл. Гідраакустыка), нізкачастотны гук — пры даследаваннях зямной кары, ультрагук — у кантрольна-вымяральных мэтах (напр., у дэфектаскапіі), для актыўнага ўздзеяння на рэчыва (ультрагукавая ачыстка, мех. апрацоўка, зварка, рэзка і інш.), высокачастотны гук (асабліва гіпергук) — пры даследаваннях у фізіцы цвёрдага цела.

П.​С.​Габец, А.​Р.​Хаткевіч.

т. 5, с. 522

ІНСТЫТУ́Т ЭЛЕКТРО́НІКІ Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1973 на базе Лабараторыі электронікі АН Беларусі (існавала з 1961). У ін-це (1998) 10 лабараторый, аспірантура, савет па абароне канд. і доктарскіх дысертацый.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: фіз. асновы оптаэлектронікі і аптычныя метады апрацоўкі інфармацыі; фіз. асновы мікраэлектронікі, у межах якіх распрацоўкі накіраваны на стварэнне элементнай базы для звышхуткадзейных і высокапрадукцыйных сістэм атрымання, захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі; оптаэлектронных элементаў і прылад для аптычнай (у т. л. лазерна-галаграфічных сістэм) апрацоўкі інфармацыі, валаконна-аптычных ліній сувязі, вымяральнай тэхнікі і фотааўтаматыкі; оптыка-электронных, магн.-эл. і інш. пераўтваральнікаў для сістэм кантролю і вымярэння; вакуумных мікраэлектронных прылад для экстрэмальных умоў эксплуатацыі, прылад мікрамеханікі і мікрасенсорыкі; матэрыялаў для мікраэлектронікі і нанатэхналогій. Вынікі навук. даследаванняў: распрацаваны новыя матэрыялы для мікраэлектронікі; метады і сродкі прасторавай і прасторава-часавай мадуляцыі светлавых патокаў, якія забяспечваюць эфектыўнае пераўтварэнне двух- і аднамерных аптычных сігналаў; распрацаваны і створаны фотапрыёмнікі і фотапрыёмныя структуры для валаконна-аптычных ліній сувязі, сістэм аўтафакусіроўкі, рэгістрацыі звышслабых свячэнняў; высокаадчувальныя фотарэзістары і на іх аснове створаны оптаэлектронныя пераўтваральнікі для нанавальтметраў і мультыметраў; створаны спецыялізаваныя высокакагерэнтныя цвердацелыя лазеры для патрэб аптычнай лакацыі, галаграфіі і неразбуральнага кантролю вібратрываласных характарыстык вырабаў машынабудавання метадамі галаграфічнай інтэрфераметрыі, алюма-аксідная тэхналогія стварэння вакуумнай мікраэлектронікі, мікрамеханікі і нанаэлектронікі, вакуумныя інтэгральныя схемы для экстрэмальных умоў эксплуатацыі пры высокіх узроўнях т-р і радыяцыі; выпрацаваны прынцыпы пабудовы высокаадчувальных вымяральнікаў кампанентаў вектара індукцыі магн. поля Зямлі; створана апаратура арыентацыі галаўных частак метэаракет, вымярэння траекторый ствалоў свідравін у працэсе бурэння, спектрафотаметрычная апаратура, якая ўстанаўліваецца на ШСЗ для даследаванняў азонасферы Зямлі, шэраг высокапрадукцыйных сістэм аўтаматызаванага высокадакладнага вымярэння і кантролю памераў вырабаў электроннай тэхнікі, валаконнай оптыкі, а таксама субмікронных часцінак у тэхнал. асяроддзях; устаноўлены заканамернасці структурных і фазавых пераўтварэнняў у тонкіх паўправадніковых і метал. плёнках, сістэмах метал-паўправаднік пры імпульсным лазерным уздзеянні. Распрацоўкі ін-та адзначаны Дзярж. прэміяй СССР (1985), Дзярж. прэміямі Беларусі (1982, 1996), ЛКСМБ (1974). У Ін-це працаваў чл.-кар. АН СССР В.М.Аўдзееў; працуюць акад. Нац. АН Беларусі У.А.Піліповіч і чл.-кар. А.А.Кавалёў.

Я.​К.​Чаховіч.

т. 7, с. 275

МІКРАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна навукі і тэхнікі, якая забяспечвае стварэнне і сінтэз мікрамініяцюрных вырабаў рознага функцыянальнага прызначэння для радыёэлектроннай апаратуры (лініі затрымкі, фільтры, прылады ўзмацнення і апрацоўкі радыёэлектронных сігналаў і інш.); асн. раздзел электронікі. На аснове вырабаў М. створаны таксама высоканадзейныя з вял. аб’ёмам памяці камп’ютэры і камп’ютэрныя сістэмы вырашаюцца праблемы стварэння штучнага інтэлекту.

Грунтуецца на дасягненнях фізікі, хіміі, матэматыкі, матэрыялазнаўства і інш. Сярод вырабаў М. найб. пашыраны аналагавыя і лічбавыя інтэгральныя паўправадніковыя і гібрыдныя мікрасхемы (ІС; гл. Інтэгральныя схемы), прыборы з зарадавай сувяззю (напр., ПЗС-матрыца). Вырабы М. бываюць у выглядзе матрыцы (ці некалькіх матрыц) аднатыпных элементаў мікронных і субмікронных памераў. напр., транзістараў розных тыпаў (біпалярных, МДП) і іх эл. злучэнняў; напр., вял. ІС маюць да 10⁴ элементаў, звышвял. — да 10​⁶ і ультравял. — больш за 10​⁶ элементаў на крышталь. Вытв-сць паўправадніковых ІС ажыццяўляецца з выкарыстаннем сукупнасці тэхнал. працэсаў, заснаваных на фіз.-хім. метадах апрацоўкі паўправадніковых, метал. і дыэл. матэрыялаў, якія складаюць аснову планарнай тэхналогіі, сінтэз гібрыдных мікрасхем праводзіцца на аснове плёначнай тэхналогіі. М. развіваецца ў кірунку змяншэння памераў элементаў (гл. Мініяцюрызацыя), павышэння ступені інтэграцыі (вызначаецца шчыльнасцю ўпакоўкі) і хуткадзеяння (вызначаецца часам затрымкі сігналу) з абавязковай аптымізацыяй логікі работы мікрасхем, удасканаленнем структуры і ўласцівасцей традыцыйных (германій, крэмній) і новых (арсенід галію і інш.) паўправадніковых і дыэл.-матэрыялаў, тугаплаўкіх металаў. Асн. праблемы М. пры павышэнні ступені інтэграцыі звязаны з фундаментальнымі абмежаваннямі, абумоўленымі прыродай матэрыялаў і фіз. прынцыпамі функцыянавання, а таксама праблемамі ўзроўню ўласных шумоў і адводу цяпла.

На Беларусі даследаванні па праблемах М. вядуцца з сярэдзіны 1960-х г. у Фіз.-тэхн. ін-це, Ін-тах фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, электронікі Нац. АН, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, БДУ, НВА «Інтэграл» (у т. л. вытв-сць вырабаў М.) і інш.

Літ.:

Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2 изд. М., 1985;

Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

Л.​І.​Гурскі.

т. 10, с. 363

КА́БЕЛЬ (ад галанд. kabel канат, трос) электрычны, адзін ці некалькі ізаляваных праваднікоў (токаправодных жыл), змешчаных у ахоўную (звычайна герметычную) абалонку. Выкарыстоўваецца для перадачы на адлегласць эл. энергіі (сілавы К.) або сігналаў (кабель сувязі). Злучаецца кабельнымі муфтамі. Пракладваюцца ў зямлі спец. машынамі — кабелеўкладчыкамі, у вадзе з дапамогай кабельных суднаў.

Сілавы К. звычайна трохжыльны, напружаннем да 500 кВ Жылы яго з медзі, алюмінію, часам са сталі; ізаляцыя — з дыэлектрыка, які аддзяляе жылы адна ад адной і ад абалонкі; абалонка — свінцовая, алюмініевая або з пластмасы; ахоўныя пакрыцці — прамочаная кабельная пража, стружачная метал. браня і інш. Сілавыя К. пракладваюць у спец. кабельных збудаваннях (каналах, тунэлях і г.д.), у зямлі (у спецыяльна абсталяваных траншэях), пад вадой. а таксама выкарыстоўваюць у шлангавым выкананні (для падключэння рухомых машын, напр. ліфтаў). Бываюць: з мнагаслойнай папяровай ізаляцыяй, прамочанай маслаканіфольным саставам; масланапоўненыя на напружанне 110—750 кВ (эл. трываласць шматслойнай папяровай ізаляцыі забяспечваецца малавязкім мінер. маслам пад ціскам 0,1—1,5 МПа); газанапоўненыя на напружанне 35—275 кВ (эл. трываласць забяспечваецца газам, звычайна азотам пад ціскам да 3 МПа, які ўводзіцца непасрэдна ў ізаляцыю або ўздзейнічае на абалонку жылы звонку); крыягенныя на напружанне да 500 кВ (жылы з медзі або алюмінію высокай чысціні ахалоджваюцца ў вадкім вадародзе ці азоце да крыягенных т-р — менш за 120 К); звышправодныя на напружанне да 500 кВ і больш (жылы з звышправаднікоў ахалоджваюцца да т-ры ніжэй за крытычную; эл. ізаляцыя — вакуум, вадкі гелій або сінт. матэрыялы, насычаныя холадаагентам). Існуе больш за 1000 тыпаў К. На Беларусі К. выпускаюць акц. т-вы «Гомелькабель» (гл. Гомельскі кабельны завод) і «Мазыркабель» (гл. Мазырскі кабельны завод).

У.​М.​Сацута.

Разнавіднасці сілавых і кантрольных электрычных кабеляў: а — браніраваны для сілавых і асвятляльных установак; б — камбінаваны гнуткі для падачы электраэнергіі да землярыйных і горназдабыўных машын; в — шлангавы асабліва гнуткі для ліфтавых установак; г — масланапоўнены ў стальным трубаправодзе для пракладкі праз водныя перашкоды і інш.; д — браніраваны газанапоўнены пад ціскам для ЛЭП высокага напружання; е — кантрольны для далучэння электрычных прылад і прыстасаванняў кіравання і аховы; 1 — токаправодная.

т. 7, с. 385

ПРЫЛАДАБУДАВА́ННЕ,

комплекс галін прам-сці па вытв-сці сродкаў вымярэнняў, аналізу, апрацоўкі і прадастаўлення інфармацыі, прылад і прыстасаванняў кантролю і рэгулявання тэхнал. працэсаў, сродкаў аўтаматызацыі вытворчасці, сістэм кіравання і навук. даследаванняў. У залежнасці ад тэхнал. асаблівасцей адрозніваюць П. дакладнай механікі і электрамеханікі, аптычнае, оптаэлектроннае і лазернае, электроннае. Найб. пашыраны прылады вымярэння мех. (вуглавых і лінейных памераў і перамяшчэнняў, масы, сілы, вібрацыі, цвёрдасці, дэфармацыі, трываласці), эл. і магн. (напружання, току, магутнасці, частаты, супраціўлення, ёмістасці), цеплаэнергет. (т-ры, ціску, расходу рэчыва, узроўню), аптычных, радыяцыйных і інш. велічынь. Сродкі вымяральнай тэхнікі ў спалучэнні з рэгулюючымі, вылічальнымі і выканаўчымі прыстасаваннямі складаюць тэхн. базу аўтаматызаваных сістэм кіравання тэхнал. працэсамі.

Значнае месца ў П. займаюць: прылады і прыстасаванні вылічальнай тэхнікі, што выкарыстоўваюцца для механізацыі і аўтаматызацыі працэсаў вылічэнняў і апрацоўкі інфармацыі пры рашэнні інж. і навук. задач; аналітычныя прылады для вызначэння саставу і канцэнтрацыі рэчываў у розных асяроддзях, матэрыялах і прадуктах (электрахім., ультрагукавыя, аптычныя, ядзерныя і інш. аналізатары); сродкі тэлемеханікі для перадачы інфармацыйных сігналаў і кіроўных імпульсаў на вял. адлегласці; прылады і прыстасаванні выпрабавальнай тэхнікі, аргтэхнікі. Стварэнню кампактных надзейных прылад, вымяральных, вылічальных і інш. сродкаў тэлемеханікі і аўтаматыкі садзейнічала развіццё мікраэлектронікі. оптаэлектронікі, мікрамеханікі і г.д., выкарыстанне матэрыялаў з асаблівымі ўласцівасцямі (плёнак, вадкіх крышталёў, магн. вадкасцей і да т.п.), новых тэхналогій.

Прадукцыя П. шырока выкарыстоўваецца ва ўсіх галінах нар. гаспадаркі і быту.

У 19 ст. ў Расіі было некалькі невял. прадпрыемстваў, якія выпускалі тэрмометры, вагі. манометры, вадамеры і інш. найпрасцейшыя прылады. У СССР прамысл. вытв-сць прадукцыі П. пачалася ў канцы 1920 — пач. 1930-х г. З 1965 існавала Мін-ва прыладабудавання, сродкаў аўтаматызацыі і сістэм кіравання. Найбольшыя спецыялізаваныя прадпрыемствы пабудаваны ў Маскве, Ленінградзе, на Украіне, Беларусі, у рэспубліках Прыбалтыкі.

На Беларусі ў 1789—93 дзейнічала Беражанская гадзіннікавая мануфактура, з канца 19 ст. — ф-ка ў Віцебску, якая вырабляла акуляры, фіз., аптэкарскія і хірург. інструменты, і некалькі майстэрняў па рамонце нескладаных прылад. У 1920-я г. адзін з цэхаў мінскага з-да «Энергія» вырабляў вагі. У 1930 створаны вагавы з-д «Ударнік». У пач. 1950-х г. пачата вытв-сць больш складаных і дакладных прылад. Як асобная галіна П. сфарміравалася ў 1950—60-я г. з уводам у дзеянне Гомельскага завода вымяральных прылад і інш. Разнастайныя прылады прамысл., энергет. і быт. прызначэння выпускаюць Брэсцкі электрамеханічны завод, Віцебскае вытворчае аб’яднанне «Электравымяральнік», Віцебскі прыладабудаўнічы завод, Гродзенскі завод «Радыёпрылада», Магілёўскі завод «Электрарухавік», Мінскае вытворчае аб’яднанне вылічальнай тэхнікі, Мінскі гадзіннікавы завод, Мінскі прыборабудаўнічы завод і інш. Н.-д. і доследна-канструктарскія работы ў галіне П. вядуцца ў Мінскім навукова-даследчым прыборабудаўнічым інстытуце.

У.​І.​Шамкаловіч.

т. 13, с. 69