Verbum

КРЫШТАЛІ́ЧНЫ СТАН,

устойлівы цвёрды агрэгатны стан рэчыва, структура якога вызначаецца далёкім парадкам размяшчэння атамаў (гл. Далёкі і блізкі парадак). Пераход у менш упарадкаваныя станы (вадкі і газападобны) адбываецца скачком з паглынаннем цеплаты пры пэўных значэннях т-ры і ціску (гл. Плаўленне). Гл. таксама Крышталь, Полімарфізм, Цвёрдае цела.

т. 8, с. 529

ГАМА-РЭЗАНА́НСНАЯ СПЕКТРАСКАПІ́Я, мёсбаўэраўская спектраскапія,

метад рэзананснага паглынання гама-квантаў без аддачы. Заснавана на Мёсбаўэра эфекце. Дазваляе праводзіць вымярэнні энергіі з дакладнасцю да натуральнай шырыні гама-лініі. Выкарыстоўваецца для вывучэння звыштонкага расшчаплення ядз. узроўняў, ацэньвання радыуса ўзбуджаных ядраў, дыфузіі атамаў, дынамічных з’яў пры фазавых пераходах, спінавай рэлаксацыі і інш.

т. 5, с. 10

МАЙТНЕ́РЫЙ (лац. Meitnerium),

Mt, штучны хім. элемент VIII групы перыяд. сістэмы, ат. н. 109. Адкрыты ў 1982 П.​Армбрустэрам і Г.​Мюнзенберам (г. Дармштат, Германія). Ізатоп Mt-266 атрыманы зліццём атамаў жалеза-58 і вісмуту-209 у рэакцыі з вылучэннем нейтрона. Названы ў гонар Л.Майтнер.

Б.​В.​Корзун.

т. 9, с. 524

КАТЭНА́НЫ (ад лац. catena ланцуг),

хімічныя злучэнні, малекулы якіх маюць цыклы (2 і больш), злучаныя як звёны ланцуга. Катэнанавыя структуры выяўлены сярод прыродных нуклеінавых кіслот. Сінтэзаваныя К. маюць 26 і болей атамаў у цыклах. Паміж сабой цыклы злучаны т. зв. тапалагічнай (мех.) сувяззю, якую нельга парушыць без разрыву хім. сувязей.

т. 8, с. 180

ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,

парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).

Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш. Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш. Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім. цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.

Літ.:

Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;

Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 6, с. 364

ДЫСАЦЫЯ́ЦЫЯ (ад лац. dissociatio раз’яднанне, раздзяленне),

распад малекул і крышталёў на некалькі больш простых малекул, атамаў, радыкалаў ці іонаў. У залежнасці ад характару ўздзеяння, што выклікае Д., адрозніваюць электралітычную дысацыяцыю, тэрмічную і фотадысацыяцыю (Д. пад уздзеяннем іанізавальнага выпрамянення). Колькасная характарыстыка Д. — ступень дысацыяцыі, роўная адносінам колькасці малекул, што распаліся, да агульнай колькасці малекул у сістэме.

т. 6, с. 291

ПРО́СТАЕ РЭ́ЧЫВА,

рэчыва з атамаў аднаго элемента хімічнага; форма існавання хім. элементаў у прыродзе. П.р. падзяляюць на металы і неметалы. Многія хім. элементы існуюць у выглядзе некалькіх П.р., якія адрозніваюцца саставам малекул (напр., кісларод і азон, гл. Алатропія), тыпам крышт. рашоткі (гл. Полімарфізм у хіміі) і інш. ўласцівасцямі. Вядома больш за 500 П.р.

т. 13, с. 41

АНТЫФЕРАМАГНЕТЫ́ЗМ (ад анты... + ферамагнетызм),

магнітаўпарадкаваны стан рэчыва, якому ў адсутнасць знешняга магн. поля адпавядае антыпаралельная арыентацыя магн. момантаў суседніх атамаў (іонаў) і нулявая намагнічанасць рэчыва ў цэлым. Выяўлены ў канцы 1920-х г., тэарэтычна абгрунтаваны Л.​Неелем (1932, Францыя) і Л.​Д.​Ландау (1933).

Антыферамагн. структура — сістэма ўстаўленых адна ў адну магн. падрашотак, у вузлах якіх знаходзяцца іоны аднаго віду з аднолькавымі па значэнні і напрамку магнітнымі момантамі. У знешнім магн. полі антыферамагнетыкі слаба намагнічваюцца. Пры т-рах вышэй за Нееля пункт (T_N) антыферамагн. парадак разбураецца за кошт цеплавога руху атамаў (іонаў) і антыферамагнетык пераходзіць у парамагн. стан (фазавы пераход 2-га роду), таму пры T=T_N тэмпературныя залежнасці магн. успрымальнасці, цеплаёмістасці і інш. маюць анамаліі. На частотах, блізкіх да ўласнай частаты прэцэсіі магн. момантаў падрашотак, назіраецца антыферамагнітны рэзананс.

Літ.:

Преображенский А.А., Бишард Е.Г. Магнитные материалы и элементы. 3 изд. М., 1986.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 1, с. 402