Verbum

ДВАЙНІКАВА́ННЕ,

утварэнне ў монакрышталі абласцей з заканамерна змененай арыентацыяй крышт. структуры. Структуры двайніковых утварэнняў з’яўляюцца люстраным адбіткам атамнай структуры зыходнага крышталя (матрыцы) у пэўнай плоскасці (плоскасці Д.) ці ўтвараюцца паваротам структуры матрыцы вакол крышталеграфічнай восі (восі Д.) на пастаянны для дадзенага рэчыва вугал або іншым пераўтварэннем сіметрыі крышталёў. Матрыца з двайніковым утварэннем наз. двайніком.

У залежнасці ад колькасці зрошчаных двайніковых утварэнняў структуры наз. трайнікамі, чацвернікамі ці наогул полісінт. двайнікамі. Д. можа адбывацца пры крышталізацыі, мех. дэфармацыі, зрастанні суседніх зародкаў (двайнікі росту), хуткім цеплавым расшырэнні ці сцісканні, награванні дэфармаваных крышталёў (двайнікі рэкрышталізацыі), пры пераходзе ад адной крышт мадыфікацыі да другой. Напр., у крышталях сегнетавай солі двайнікі ўтвараюцца пры пераходзе крышталя ад рамбічнай структуры да монакліннай (пры т-ры Кюры). Д. ўплывае на мех. (трываласць, пластычнасць, крохкасць), м., магн., аптычныя ўласцівасці крышталёў, пагаршае якасць паўправадніковых прылад. Заканамернасці Д. выкарыстоўваюцца для дыягностыкі мінералаў, устанаўлення паходжання і ацэнкі некат. мінералаў як прамысл. сыравіны.

Літ.:

Современная кристаллография. Т. 2. М., 1979;

Т. 4. М., 1981.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 6, с. 73

НЕАДНАРО́ДНЫЯ ХВА́ЛІ,

электрамагнітныя ваганні, у якіх плоскасці роўных фаз і роўных амплітуд непаралельныя. Узнікаюць у празрыстых асяроддзях пры поўным адбіцці і ў паглынальных (узмацняльных) асяроддзях пры падзенні выпрамянення нахільна да мяжы асяроддзяў. Уласцівасці Н.х. улічваюцца ў разліках пры распрацоўцы аптычных прылад, напр., хваляводаў і аптычных ліній сувязі, лазераў хваляводнага тыпу і інш.

Тэорыя Н.х. распрацавана ў Ін-це фізікі АН Беларусі Ф.І.Фёдаравым у 1950—70-я г. на аснове каварыянтных метадаў. Н.х. адрозніваюцца тым, што вектары эл. і магн. палёў ляжаць у розных плоскасцях і апісваюць розныя крывыя (за выключэннем выпадку кругавой палярызацыі). Паток і шчыльнасць энергіі такіх хваль залежаць ад палярызацыі зыходнага выпрамянення. На ўласцівасцях Н.х. заснавана з’ява бакавога зрушэння адбітага праменя (Фёдарава зрух). У крышталях пры адсутнасці падвойнага праменепраламлення магчыма ўзнікненне Н.х., палярызацыя якіх змяняецца з глыбінёй пранікнення паводле лінейна-экспаненцыяльнага закону (хвалі Фёдарава—Пятрова).

Літ.:

Федоров Ф.И. Оптика анизотропных сред. Мн., 1958;

Петров Н.С., Федоров Ф.И. Новый вид плоских электромагнитных волн в поглощающих кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1963. Т. 15, № 6.

М.​С.​Пятроў.

т. 11, с. 252

ПАДВО́ЙНАЕ ПРАМЕНЕПЕРАЛАМЛЕ́ННЕ,

падваенне светлавых прамянёў пры праходжанні праз анізатропнае асяроддзе (напр., крышталь). Абумоўлена залежнасцю пераламлення паказчыка дадзенага асяроддзя ад напрамку эл. вектара светлавой хвалі (гл. Анізатрапія ў фізіцы, Крышталяоптыка).

Пры падзенні светлавой хвалі на анізатропнае асяроддзе ў ёй узнікаюць 2 хвалі з узаемна перпендыкулярнымі плоскасцямі палярызацыі (гл. Палярызацыя святла). У аднавосевых крышталях адна з хваль мае плоскасць палярызацыі, перпендыкулярную да плоскасці, якая праходзіць праз напрамак праменя святла і аптычную вось крышталя (звычайны прамень), плоскасць палярызацыі другой хвалі паралельная гэтай плоскасці (незвычайны прамень). Скорасць распаўсюджвання звычайнай хвалі і яе паказчык пераламлення не залежаць ад напрамку распаўсюджвання, а скорасць і паказчык пераламлення незвычайнай хвалі — залежаць, і для яе парушаюцца звычайныя законы пераламлення, напр., незвычайны прамень не можа ляжаць у плоскасці падзення. П.п. назіраецца таксама ў асяроддзях са штучнай анізатрапіяй, напр., пры накладанні эл. поля (Кера эфект), магн. поля (Катона—Мутона эфект) або поля пругкіх сіл (гл. Палярызацыйна-аптычны метад даследаванняў, Фотапругкасць).

т. 11, с. 491

БРЭГ (Bragg),

англійскія фізікі, бацька і сын. Заснавальнікі рэнтгена-структурнага аналізу. Упершыню выкарысталі дыфракцыю рэнтгенаўскіх прамянёў у крышталях для выяўлення характарыстык гэтых прамянёў і для расшыфроўкі структуры крышталёў (1913). Нобелеўская прэмія 1915.

Уільям Генры (2.7.1862, Уігтан, графства Камбрыя, Вялікабрытанія — 12.3.1942), член (1906) і прэзідэнт (1935—40) Лонданскага каралеўскага т-ва. Скончыў Кембрыджскі ун-т. З 1886 праф. Адэлаідскага ун-та ў Аўстраліі, з 1909 у Лідсе, з 1915 у Лондане. Аўтар шэрагу навук-папулярных кніг.

Уільям Лорэнс (31.3.1890, г. Адэлаіда, Аўстралія — 1.7.1971), член Лонданскага каралеўскага т-ва (1921). Вучыўся ў Адэлаідскім і Кембрыджскім ун-тах. У 1919—37 праф. ун-та ў Манчэстэры, 1937—38 дырэктар Нац. фіз. лабараторыі, 1954—66 дырэктар Каралеўскага ін-та ў Кембрыджы. У 1913 адначасова з Г.​В.​Вульфам даў ураўненне, якое звязвае вугал адхілення рэнтгенаўскіх прамянёў, рассеяных крышталём без змены даўжыні хвалі, з адлегласцю паміж суседнімі атамнымі плоскасцямі ў крышталі (гл. Брэга—Вульфа ўмовы), практычна ажыццявіў указаны У.​Г.​Брэгам спосаб вызначэння структур пры дапамозе радоў Фур’е, вызначыў структуры шматлікіх сілікатаў.

Тв.:

Рус. пер. — Рентгеновские лучи и строение кристаллов. М.; Л., 1929;

Дифракция электронов. Л., 1936.

т. 3, с. 280

ДЭФЕ́КТЫ МЕТАЛАЎ,

недасканаласці (парушэнні) будовы металаў і сплаваў (пераважна рэгулярнай крышт. структуры), якія пагаршаюць іх фіз.-мех. ўласцівасці. Дэфектамі лічацца адхіленні ад нармальнай (прадугледжанай тэхн. ўмовамі, стандартамі) якасці металу па хім. саставе, структуры, суцэльнасці, стане паверхні, якія вядуць да зніжэння сортнасці або забракоўкі вырабаў. Выяўляюць Д.м. метадамі дэфектаскапіі, металаграфіі, рэнтгенаструктурным аналізам і інш., ліквідуюць найчасцей тэрмічнай апрацоўкай.

Адрозніваюць Д.м.: тонкай структуры (вакансіі, дыслакацыі і інш., гл. Дэфекты ў крышталях), мікрадэфекты (дэндрыты, мікрапоры, мікратрэшчыны, мікрапузыры газаў, плёны, неправары і інш., выяўляюцца аптычнымі мікраскопамі); макрадэфекты (валасавіны, трэшчыны, поры, газавыя пузыры, умяціны, драпіны, ірваніны і інш.). Д.м. узнікаюць з-за недасканаласці або парушэнняў тэхнал. працэсаў пры плаўленні металаў і атрыманні адлівак (неметал. ўключэнні, шлакавіны, усадачная і газавая порыстасць, ракавіны і г.д.), пры апрацоўцы ціскам (расслаенні, заковы, валасавіны, флокены і г.д.), пры тэрмічнай, хімікатэрмічнай, электрахім. і мех. апрацоўцы (трэшчыны, прыпяканні, абезвугляроджванні і г.д.), пры зварцы, паянні, кляпанні (неправары, непрапаі, карозія і г.д.). Дэфекты ў паўфабрыкатах і гатовых вырабах могуць узнікаць таксама пры транспарціроўцы, захоўванні і эксплуатацыі (напр., карозія металаў). Высокая якасць металаў і вырабаў з іх забяспечваецца ўдасканаленнем тэхналогіі вытв-сці і метадаў кантролю іх якасці.

т. 6, с. 364

МАГНІ́ТНАЯ АНІЗАТРАПІ́Я,

неаднолькавасць магн. уласцівасцей рэчыва (намагнічанасці, магнітнай успрыімлівасці, магн. энергіі і інш.) па розных напрамках. Абумоўлена анізатропным характарам магн. ўзаемадзеяння паміж часціцамі — носьбітамі магн. моманту ў рэчыве. Праяўляецца ў магнітаўпарадкаваных монакрышталях (фера- і ферымагнітных), полікрышт. і аморфных рэчывах. М.а. ў крышталях звязана з упарадкаваным размяшчэннем магн. момантаў іх часціц (атамаў, малекул, іонаў) і з’яўляецца вынікам магн. ўзаемадзеяння суседніх часціц і спецыфічных узаемадзеянняў іх электронаў з эл. унутрыкрышталічнымі палямі. М.а. ў полікрышталях праяўляецца пры наяўнасці ў іх магнітнай ці крышталічнай тэкстуры.

Адрозніваюць М.а. прыродную і наведзеную. Прыродная — характэрная для монакрышталёў ферамагнетыкаў, дзе вектары самаадвольнай намагнічанасці ферамагн. даменаў накіраваны ўздоўж некаторых восей крышталя (т.зв. восей лёгкага намагнічвання). Мерай прыроднай М.а. з’яўляецца энергія М.а., якая вызначаецца як работа знешняга магн. поля, неабходная для намагнічвання ферамагнетыка ў зададзеным напрамку. Наведзеная М.а. ўзнікае пры тэхнал. апрацоўцы магнітных матэрыялаў (напр., пры пракатцы, адпале, перакрышталізацыі ў магн. полі); яна з’яўляецца таксама характэрнай уласцівасцю магн. плёнак (узнікае пры напыленні ў магн. полі, напыленні пад вуглом да паверхні, эпітаксіяльным росце на монакрышт. падложцы); можа быць магнітапругкага паходжання (пры наяўнасці ў магн. узоры ўнутраных мех. напружанняў). Матэрыялы з вял. значэннямі канстант М.а. выкарыстоўваюцца ў прыстасаваннях магн. памяці.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 9, с. 481

МАНДЭЛЬШТА́М (Леанід Ісаакавіч) (4.5.1879, г. Магілёў — 27.11.1944),

расійскі фізік, адзін з заснавальнікаў навук. школы па радыёфізіцы. Акад. АН СССР (1929; чл.-кар. з 1928). Скончыў Страсбургскі ун-т (1902), дзе працаваў (з 1913 праф.). У 1918—22 у Адэскім політэхн. ін-це, з 1925 у Маскоўскім ун-це, адначасова з 1934 у Фіз. ін-це АН СССР. Навук. працы па оптыцы, радыёфізіцы, квантавай механіцы, гісторыі і метадалогіі фізікі. Разам з Р.С.Ландсбергам (незалежна ад інд. фізікаў Ч.Рамана і К.​С.​Крышнана) адкрыў камбінацыйнае рассеянне святла на крышталях (1928). Сумесна з М.​Дз.​Папалексі стварыў тэорыю нелінейных ваганняў, распрацаваў метад параметрычнага ўзбуджэння эл. ваганняў і прапанаваў радыёінтэрферэнцыйны метад даследавання распаўсюджвання радыёхваль і дакладнага вымярэння адлегласцей, што знайшло выкарыстанне ў геадэзіі. Аўтар вучэбных дапаможнікаў і лекцыйных курсаў па фізіцы. Прэмія імя У.​І.​Леніна 1931. Дзярж. прэмія СССР 1942.

Тв.:

Полн. собр. трудов. Т. 1—5. М., 1947—55;

Лекции по теории колебаний. М., 1972;

Лекции по оптике, теории относительности и квантовой механике. М., 1972.

Літ.:

Академик Л.​И.​Мандельштам: К 100-летию со дня рождения. М., 1979;

Ливанова А.М., Ливанов В.А. «Вторая степень понимания»: Акад. Л.​И.​Мандельштам. М., 1988.

А.​І.​Болсун.

т. 10, с. 77

ВАГА́ННІ КРЫШТАЛІ́ЧНАЙ РАШО́ТКІ,

узгодненыя зрушэнні атамаў крышталя каля становішчаў раўнавагі (вузлоў рашоткі). Характар ваганняў залежыць ад сіметрыі крышталёў, ліку атамаў у элементарнай ячэйцы, тыпу хім. сувязі, віду і канцэнтрацыі дэфектаў у крышталях. Амплітуда ваганняў павялічваецца з павышэннем тэмпературы крышталя. На цеплавыя ваганні могуць накладвацца ваганні, выкліканыя распаўсюджваннем у крышталі пругкіх хваляў, абумоўленых знешнім уздзеяннем.

У крышталі з N элементарных ячэек па ν атамаў у кожнай існуе 3νN—6 незалежных найпрасцейшых нармальных ваганняў, кожнае з якіх можна ўявіць у выглядзе дзвюх плоскіх пругкіх хваляў, што распаўсюджваюцца ў процілеглых напрамках. Гэтыя ваганні складаюцца з трох акустычных галін (ім адпавядаюць зрушэнні элементарнай ячэйкі як цэлага) і 3 (ν—1) аптычных (адпавядаюць зрушэнням атамаў унутры элементарнай ячэйкі). Пры пругкім характары міжатамнага ўзаемадзеяння вагальная энергія крышталя складаецца з энергій нармальных ваганняў, кожнае з якіх уцягвае ў рух усе атамы. Вагальную энергію крышталя можна разглядаць і як суму энергій фанонаў — квантаў энергіі пругкіх ваганняў. Квантавая прырода ваганняў крышталічнай рашоткі праяўляецца ў наяўнасці нулявых ваганняў атамаў пры T = 0К. Ваганні крышталічнай рашоткі ўплываюць на электраправоднасць металаў і паўправаднікоў, на аптычныя ўласцівасці дыэлектрыкаў.

Літ.:

Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел: Пер. с англ. М., 1981;

Рейсленд Дж. Физика фононов: Пер. с англ. М., 1975;

Федоров Ф.И. Теория упругих волн в кристаллах. М., 1965.

М.​А.​Паклонскі.

т. 3, с. 428

АКУСТАЭЛЕКТРО́НІКА,

раздзел электронікі, які вывучае ўзбуджэнне, распаўсюджванне і прыём акустычных хваляў у кандэнсаваных асяроддзях, узаемадзеянне іх з электрамагн. палямі і электронамі праводнасці; займаецца стварэннем акустаэлектронных прылад. Як самастойны раздзел электронікі сфарміравалася ў 1960-я г. (адкрыццё эфекту ўзмацнення гуку дрэйфуючымі электронамі праводнасці ў крышталях сульфіду кадмію). Падзяляецца на высокачастотную (мікрахвалевую) акустыку цвёрдага цела (узбуджэнне, распаўсюджванне і прыём ультра- і гіпергукавых хваляў), уласна акустаэлектроніка (узаемадзеянне акустычных хваляў з электронамі праводнасці ў цвёрдых целах) і акустаоптыку. Займаецца распрацоўкай прылад для пераўтварэння і аналагавай апрацоўкі радыёсігналаў у дыяпазоне частот ад 1 МГц да 20 ГГц (ніжняя мяжа вызначаецца толькі памерамі існуючых крышталёў, верхняя — тэхнал. магчымасцямі вырабу субмікронных элементаў і вязкасным паглынаннем гуку ў цвёрдых целах). У акустаэлектроніцы выкарыстоўваюцца паверхневыя акустычныя хвалі, аб’ёмныя, прыпаверхневыя, хвалі Лэмба і інш. Асн. матэрыялы акстаэлектронікі: п’езаэлектрыкі і слаістыя структуры з п’езаэлектрыкаў і паўправаднікоў, сегнетаэлектрыкі, паўправаднікі без п’езаэл. уласцівасцяў і інш. На Беларусі даследаванні па акустаэлектроніцы праводзяцца з 1970-х г. у Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Викторов И.А. Физические основы применения ультразвуковых волн Рэлея и Лэмба в технике. М., 1966;

Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: Схемы, топология, конструкции. М., 1987;

Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах: Пер. с англ. М., 1990.

В.​М.​Дашанкоў.

т. 1, с. 218

КРЫШТАЛЯХІ́МІЯ,

раздзел хіміі, у якім вывучаюцца прасторавае размяшчэнне і характар узаемадзеяння паміж атамамі, іонамі, малекуламі, з якіх складаюцца крышталі, а таксама сувязь паміж структурай крышталёў і іх уласцівасцямі.

Асн. характарыстыкай структуры крышталёў з’яўляецца элементарная ячэйка, якая адлюстроўвае характар сіметрыі крышталёў, узаемнае размяшчэнне, каардынацыйны лік і адлегласці паміж атамамі (іонамі, малекуламі) у крышталях. Элементарныя ячэйкі маюць форму шматграннікаў, а сукупнасць такіх шматграннікаў з агульнымі гранямі складае прасторавую крышталічную рашотку. К. вызначае фактары, якімі абумоўлены характар сіметрыі і структура элементарнай ячэйкі; устанаўлівае тып крышталёў — іх прыналежнасць да кавалентных (атамы ў рашотцы злучаны кавалентнай сувяззю), іонных крышталёў, метал. (атамы злучаны металічнай сувяззю) ці малекулярных крышталёў, а таксама вывучае ўплыў структуры і характару хім. сувязі на ўласцівасці крышт. рэчываў. Устанаўленне колькаснай залежнасці паміж крышт. структурай і ўласцівасцямі рэчываў неабходна для стварэння новых матэрыялаў з зададзенымі ўласцівасцямі. К. вылучылася з крышталяграфіі і як самастойная навука сфарміравалася пасля адкрыцця дыфракцыі рэнтгенаўскіх прамянёў (1912) і даследаванняў У.Г.Брэгам і У.Л.Брэгам крышт. структуры шэрагу хім. індывідуальных цвёрдых рэчываў (1913—15) з дапамогай рэнтгенаструктурнага аналізу. Гл. таксама Хімія цвёрдага цела.

Літ.:

Бокий Г.Б. Кристаллохимия. 3 изд. М., 1971;

Урусов В.С. Теоретическая кристаллохимия. М., 1987;

Уэллс А.Ф. Структурная неорганическая химия: Пер. с англ. Т. 1—3. М., 1987—88.

В.​В.​Свірыдаў.

т. 8, с. 529