Verbum

ВЫЛІЧА́ЛЬНАЯ МАШЫ́НА «МІНСК»,

серыя універсальных лічбавых вылічальных машын агульнага прызначэння. Укаранёна ў вытв-сць Мінскім з-дам ЭВМ імя Арджанікідзе. Выкарыстоўваецца ў вылічальных цэнтрах, вылічальных сістэмах і аўтаматызаваных сістэмах рознага прызначэння.

Выпуск лямпавых машын 1-га пакалення серыі «Мінск-1» распачаты ў 1960 (папярэдняя мадэль — лямпавая выліч. машына М-3М створана ў 1959). Мадыфікацыі вылічальных машын «Мінск-11», «Мінск-12», «Мінск-14» мелі запамінальны блок большай ёмістасці, дадатковыя прылады ўводу-вываду інфармацыі. Выкарыстоўваліся пераважна для рашэння інжынерна-канструктарскіх і навук.-тэхн. задач матэм. і логікавага характару. У 1964 асвоены выпуск вылічальнай машыны «Мінск-2» 2-га пакалення (на дыскрэтных паўправадніковых элементах) з павышанай надзейнасцю, адначасовай работай вылічальніка і выхадных прыстасаванняў; мелі агрэгатную канструкцыю, магчымасць мяняць склад прылад і прыстасаванняў. У мадыфікацый вылічальных машын «Мінск-2», «Мінск-22М» прадугледжваўся ўвод-вывад інфармацыі з перфакартаў, перфастужак, магн. стужак, тэлетайпа і інш. Інфармацыйная вылічальная машына «Мінск-23» (выпуск 1965) максімальна прыстасавана для апрацоўкі розных відаў эканам. інфармацыі. У 1969 асвоены выпуск шматпраграмнай вылічальнай машыны «Мінск-32» (аднапрацэсарная выліч. сістэма), якая мела праграмную сумяшчальнасць з вылічальнай машынай «Мінск-22», ахову адной праграмы ў аператыўнай памяці ад другой, магчымасць далучэння вонкавых прыстасаванняў (у т. л. ЭВМ з утварэннем аднароднай выліч. сістэмы) і інш. У 1970-я г. пачаўся выпуск машын 3-га пакалення адзінай сістэмы электронных вылічальных машын — ЕС ЭВМ. У 1990-я г. распрацавана і ўкаранёна ў вытв-сць сям’я машын новага пакалення «Мінск-9000». За стварэнне сям’і вылічальных машын «Мінск» групе спецыялістаў з-да, НДІ ЭВМ і Выліч. цэнтра АН Беларусі прысуджана Дзярж. прэмія СССР 1970.

М.​П.​Савік.

т. 4, с. 312

ВЫЛІЧА́ЛЬНАЯ СІСТЭ́МА,

сукупнасць сродкаў вылічальнай тэхнікі і праграмнага забеспячэння, прызначаная для рашэння пэўнага класа задач. Бывае адна- і многапрацэсарная (функцыі працэсара могуць выконваць асобныя вылічальныя машыны). Па прызначэнні вылічальныя сістэмы адрозніваюць спецыялізаваныя і універсальныя; па складзе працэсараў — аднародныя і неаднародныя; паводле тыпу сувязей — з інфармацыйна звязанымі працэсарамі, звязанымі толькі па кіраванні і з сувязямі абодвух тыпаў. Вылічальная сістэма ўключаецца непасрэдна ў контур збору інфармацыі, яе апрацоўкі і выдачы кіроўных уздзеянняў ці інфармацыі для прыняцця рашэнняў. Для сучасных вылічальных сістэм характэрны дыялогавы рэжым (зносіны гукаслыхавыя і зрокавыя); паралельная апрацоўка патокаў інфармацыі; праграмаванне на мовах высокага ўзроўню, блізкіх да натуральных; значны ўзровень штучнага інтэлекту і інш.

Да аднапрацэсарнай вылічальнай сістэмы адносіцца ЭВМ «Мінск-32» (гл. Вылічальная машына «Мінск»), якая забяспечвае выкананне адначасова да 4 рабочых праграм; да яе «павольнага» канала сувязі можна далучыць да 104 вонкавых прылад, да «хуткага» — да 32 накапляльнікаў інфармацыі на магн. барабанах, дысках, стужках і інш. Многапрацэсарная вылічальная сістэма мае не менш як 2 працэсары (або выліч. машыны): адзін з іх (асн.) выконвае вылічэнні, прадугледжаныя алгарытмам задачы, астатнія (дапаможныя) апрацоўваюць інфармацыю, не прадугледжаную асн. алгарытмам, выконваюць неасн. вылічэнні і інш. Аднародныя вылічальныя сістэмы характарызуюцца ідэнтычнасцю ўсіх працэсараў, напр., 3-машынная вылічальная сістэма «Мінск-222» (складаецца з машын «Мінск-2» і «Мінск-22»), вылічальная сістэма «Эльбрус» характарызуецца размеркаваным кіраваннем, агульнай памяццю і універсальнай сістэмай сувязей паміж працэсарамі. Найб. цяжкім рэжымам работы спецыялізаваных вылічальных сістэм з’яўляецца рэжым рэальнага часу, калі вылічэнні адбываюцца ў тэмпе, які забяспечвае пэўны вонкавы працэс, напр. у сістэмах кантролю і кіравання тэхнал. працэсамі, лятальнымі апаратамі, інш. трансп. сродкамі. Гл. таксама Электронная вылічальная машына, Вылічальны цэнтр.

Літ.:

Илюкович А.А., Свирид Г.П. Основы вычислительных систем. Мн., 1983.

М.​П.​Савік.

т. 4, с. 312

МАШЫ́ННАЯ ВЫТВО́РЧАСЦЬ,

стадыя станаўлення матэрыяльнай асновы індустр. вытв-сці, на якой адбылася замена мануфактуры фабрыкай; характарызуецца выкарыстаннем машын. Узнікла ў 2-й пал. 18 ст. ў выніку прамысл. перавароту.

У прам-сці Беларусі першыя машыны (паравыя рухавікі) з’явіліся на суконных прадпрыемствах у мястэчках Хомск Кобрынскага і Косава Слонімскага паветаў. У 1840-я г. яны выкарыстоўваліся ўжо ў суконнай, вінакурнай, мукамольнай і цукр. вытв-сцях. З канца 1850-х г. на Беларусі пачаўся тэхн. пераварот, які ў адрозненне ад Зах. Еўропы і рас. губерняў ажыццяўляўся не ў лёгкай, а ў жалезаапрацоўчай і вінакурнай прам-сці. Напр., у металургіі крычны спосаб атрымання жалеза заменены пудлінгавым (у домнах). Пудлінгавыя печы ўзведзены на Старынкаўскім чыгуналіцейным і Барысаўшчынскім металургічным з-дах (на іх вырабляліся паравыя машыны), на Налібоцкім металургічным камбінаце. Прамысл. рэвалюцыя адбывалася і ў інш. галінах (харч., дрэваапр., хімічнай). Завяршылася яна ў канцы 1890-х г.; аб’ём фабрычнай прадукцыі да гэтага часу павялічыўся ў 37 разоў.

З моманту ўзнікнення М.в. прайшла шэраг этапаў развіцця. Напр., у 2-й пал. 19 ст. ў прам-сці пачаўся пераход ад пары да электрычнасці, што прывяло да павышэння ўзроўню механізацыі, карэнных змен М.в. ў традыц. галінах (апрацоўчая прам-сць) і яе развіцця ў галінах з бесперапыннымі тэхнал. працэсамі (металургія, хімія). Новая ступень у развіцці М.в. звязана з навукова-тэхнічнай рэвалюцыяй, якая ў сваю чаргу была падрыхтавана якаснымі зменамі ў самой М.в. (выкарыстанне новых прылад працы, машын-аўтаматаў, пераход да 4-звеннай сістэмы машын). Гал. кірункам навук.-тэхн. прагрэсу і павышэння прадукцыйнасці працы сучаснай М.в. з’яўляецца выкарыстанне аўтаматычных ліній і вытв-сцей, ЭВМ, камп’ютэраў, станкоў з лікавым праграмным кіраваннем, аўтаматызаваных сістэм кіравання. Гл. таксама Аўтаматызацыя, Аўтаматызацыя вытворчасці, Матэрыяльна-тэхнічная база.

т. 10, с. 239

АСТРАНАМІ́ЧНЫЯ ІНСТРУМЕ́НТЫ І ПРЫЛА́ДЫ,

оптыка-механічная і электронная апаратура для астранамічных назіранняў і апрацоўкі іх даных. Дапамагаюць вызначаць становішча касм. целаў на нябеснай сферы, іх памеры, скорасць, напрамак руху ў прасторы, хім. састаў і фіз. стан. Складаюць асн. тэхнічную базу астранамічных абсерваторый, выкарыстоўваюцца ў навуч. і пазнавальных мэтах. Падзяляюцца на назіральныя прылады (тэлескопы), святлопрыёмную і аналізоўную апаратуру, прылады для рэгістрацыі часу, спектраў і гэтак далей Каб пазбегнуць шкодных і скажальных уздзеянняў атмасферы Зямлі, астр. інструменты падымаюць на розныя вышыні з дапамогай аэрастатаў, самалётаў, геафіз. ракет, штучных спадарожнікаў Зямлі і аўтам. міжпланетных станцый.

Найбольш стараж. астр. інструменты — вугламерныя, складаюцца з адліковага круга (або яго часткі) і візірнага прыстасавання без аптычнай сістэмы (гноман, армілярная сфера і інш.). Для большай дакладнасці вымярэнняў павялічваліся памеры адліковых кругоў, напрыклад, у пач. 15 ст. Улугбек пабудаваў пад Самаркандам секстант з радыусам круга 40 м. З 17 ст. ў вугламерных інструментах пры візіраванні карыстаюцца зрокавымі трубамі, вуглы павароту якіх вызначаюцца па дакладна падзеленых кругах (універсальны інструмент, вертыкальны круг, мерыдыянальны круг і інш.). Пачатак тэлескапічнай астраноміі звязаны з імем Г.Галілея, які з дапамогай падзорнай трубы зрабіў важныя астр. адкрыцці і растлумачыў іх. Выпрамяненне касм. целаў у радыёдыяпазоне даследуецца радыётэлескопамі. Захаванне дакладнага часу і выдача неабходных сігналаў часу ажыццяўляюцца з дапамогай астр. гадзіннікаў, хранометраў і хранографаў. Для апрацоўкі вынікаў назірання выкарыстоўваюцца ЭВМ. Да дэманстрацыйных прылад адносяць тэлурыі (мадэлі Сонечнай сістэмы) і планетарыі, якія даюць магчымасць на ўнутр. паверхні сферычнага купала наглядна дэманстраваць астр. з’явы.

Літ.:

Курс астрофизики и звездной астрономии. Т. 1. М., 1973;

Мартынов Д.Я. Курс практической астрофизики. М., 1967.

М.​М.​Міхельсон.

т. 2, с. 52

ГІДРААКУ́СТЫКА (ад гідра... + акустыка),

раздзел акустыкі, які вывучае распаўсюджванне гуку ў водным асяроддзі. Гідраакустыка ўключае тэарэт. даследаванні па прагназаванні структуры акустычных палёў, вывучэнне заканамернасцей распаўсюджвання гуку ў воднай прасторы для розных раёнаў Сусветнага акіяна, распрацоўку метадаў і сродкаў вымярэння параметраў гукавых палёў, эксперым. натурныя даследаванні.

Гукавыя хвалі ў водным асяроддзі распаўсюджваюцца на значныя адлегласці (напр., у дыяпазоне частот 500—2000 Гц далёкасць распаўсюджвання пад вадой гуку сярэдняй інтэнсіўнасці дасягае 15—20 км, у дыяпазоне ультрагуку — 3—5 км). Далёкасць распаўсюджвання акустычных імпульсаў у моры і акіяне абмяжоўваецца рэфракцыяй гуку (скрыўленнем шляху гукавога праменя) і наяўнасцю лакальных неаднароднасцей (часцінак, бурбалачак паветра і інш.), на якіх яны рассейваюцца і паглынаюцца. Скорасць гуку залежыць у асноўным ад гідрастатычнага ціску і слаістасці, абумоўленай размеркаваннем т-ры і салёнасці вады па глыбіні (мяняецца ў межах 1450—1540 м/с). З гэтай прычыны акустычныя хвалі могуць пераламляцца, а ў асобных выпадках на пэўнай глыбіні з’яўляюцца каналы звышдалёкага распаўсюджвання гуку (да тысяч км). Зменлівасць асяроддзя, яго неаднароднасць, наяўнасць межаў з непрадказальнымі характарыстыкамі, разнастайнасць фіз. працэсаў у водным асяроддзі — аб’ектыўныя фактары, якія ўскладняюць карэктнае апісанне працэсу распаўсюджвання гуку ў вадзе і стварэнне адэкватнай яму мадэлі. Прыкладная гідраакустыка займаецца распрацоўкай гідраакустычных прылад. Найб. пашыраны рэхалоты, гідралакатары, шумапеленгатары і інш. Яны выкарыстоўваюцца для даследавання акіяна, у навігацыйных мэтах, для рыбапрамысловай разведкі, пошукавых работ, вырашэння ваенных задач (пошукі падводных лодак праціўніка, бесперыскопная тарпедная атака і інш.). Распрацаваны і створаны мнагамэтавыя вымяральна-вылічальныя комплексы (вымярэнне часавых параметраў акустычных сігналаў, аналіз структуры шматпрамянёвых сігналаў і часавай стабільнасці характарыстык трас распаўсюджвання гуку працягласцю да некалькіх соцень кіламетраў).

На Беларусі даследаванні па гідраакустыцы вядуцца з 1971 у НДІ прыкладных фіз. праблем пры БДУ.

Літ.:

Урик Р.Д. Основы гидроакустики: Пер. с англ. Л., 1978;

Клей К., Медвин Г. Акустическая океанография: Пер. с англ. М., 1980.

А.​Ф.​Чарняўскі.

т. 5, с. 221

ПА́ДУЯ (Padova),

горад на Пн Італіі. Адм. цэнтр прав. Падуя. Каля 220 тыс. ж. (1999). Вузел чыгунак і аўтадарог, суднаходным каналам злучаны з Адрыятычным м. Прам-сць: машынабудаванне (вытв-сць станкоў, прылад, веласіпедаў, с.-г. машын, матораў і інш.), эл.-тэхн., металургічная, хім., абутковая, швейная, мэблевая, дрэваапр., папяровая, харч., паліграфічная. Падуанскі універсітэт, у якім працавалі Г.Галілей, А.Везалій і інш., вучыўся Ф.​Скарына. Бат. сад (з 1545, найстарэйшы ў Еўропе). Штогадовы міжнар. кірмаш.

Згадваецца ў 4 ст. да н.э. (лац. Patavium) Цітам Лівіем. У 49 да н.э. атрымала правы рым. муніцыпіі. У 601 н.э. разбурана лангабардамі. З пач. 12 ст. гар. камуна. У 13 ст. рамесніцкі і гандл. цэнтр (штогадовыя кірмашы агульна-італьян. значэння). У 1318 у П. ўсталявалася сіньёрыя роду Карара, пазней дэла Скала і Вісконці. У 1405—1797 у складзе Венецыянскай рэспублікі. У 15—17 ст. П. — буйны культ. цэнтр: у 1222 засн. ун-т, у 1545 — першы ў свеце бат. сад. Пасля 1797 П. па чарзе валодалі Аўстрыя і Францыя. У 1813 падпарадкавана аўстр. Габсбургамі. З 1866 у складзе Італьян. каралеўства.

Захаваліся рэшткі стараж.-рым. грабніц, мастоў, амфітэатра і форума. Сярод арх. помнікаў: Палацца дэла Раджоне (1215—1306), базіліка Сант-Антоніо (1232; побач з ёй конны помнік кандацьеру Гатамелату, 1447—53, скульпт. Данатэла), Капэла дэль Арэна (Скравены; пач. 14 ст., фрэскі Джота ды Бандоне), араторый Сант-Джорджо (1384, фрэскі Альтык’ера і Аванца), будынак ун-та (1493), сабор Санта-Марыя Асунта (16 ст., арх. Андрэа да Вале). Музеі: гарадскі (пераважна жывапіс і скульптура 15—19 ст.), Сант-Антоніо (творы з царквы і манастыра Сант-Антоніо), Батачын (нумізматычныя і археал. калекцыі).

Літ.:

Акты Падуи конца XIII — XIV в. в собрании Академии наук СССР. Л., 1987.

т. 11, с. 508

ВЕ́ЖА,

1) збудаванне са значнай перавагай вышыні над стараной ці дыяметрам асновы. Бываюць квадратныя, прамавугольныя, шматгранныя, круглыя і інш., пастаяннага або пераменнага сячэння, ярусныя.

Вядомыя ў архітэктуры Асірыі, Фінікіі, Стараж. Грэцыі і Рыма, у сярэднія вякі — у краінах паўн.-ўсх. і Сярэдняй Азіі, Арабскага Усходу, Каўказа. У сярэдневяковай Зах. і Паўн Еўропе вежа стала неад’емным элементам кампазіцыі гарадскіх умацаванняў, замкаў, храмаў раманскай і гатычнай архітэктуры, палацаў (вежа Палацца Век’ё ў Фларэнцыі), ратушаў і інш. Сярод найб. яскравых прыкладаў — кампаніла ў Пізе (т.зв. падаючая Пізанская вежа, Італія, 1174—1372). Вежы былі характэрным элементам рус. і ўкр. абарончай (Маскоўскі, Смаленскі, Каломенскі, Яраслаўскі крамлі і інш.), грамадз. і культавай архітэктуры (званіцы Івана Вялікага ў Маскве, 1508—1600, у Кірылаўскім манастыры ў Кіеве, 18 ст.). У Прыбалтыцы вежы выкарыстоўваліся пры буд-ве замкаў і гарадскіх грамадз. і культавых збудаванняў (парахавая вежа ў Рызе, 17 ст., вежа «Доўгі Герман» у Таліне, канец 15 ст., вежа Гедзіміна ў Вільні 14 ст. і інш.). Сярод выдатных твораў рус. архітэктуры, у кампазіцыі якіх дамінуе вежа, Петрапаўлаўскі сабор (1712—33), Адміралцейства (1806—23) у С.-Пецярбургу.

На Беларусі абарончыя драўляныя вежы будаваліся на гарадзішчах ранняга жал. веку (в. Валадарск Рэчыцкага р-на). У стараж. гарадах Беларусі вежы ўваходзілі ў сістэму абарончых умацаванняў, часам выконвалі функцыю брамы. У 2-й пал. 13 ст. пабудаваны першыя мураваныя вежы — данжоны (Берасцейская вежа, Камянецкая вежа). З 14 ст. мураваныя 4-гранныя вежы, злучаныя з абарончымі сценамі, сталі адметнай асаблівасцю замкаў (Лідскі замак, Крэўскі замак), уключалі жылыя, гасп., культавыя (капліцы) памяшканні. Мураваныя замкавыя вежы ў архітэктуры стыляў готыкі і рэнесансу аздабляліся сістэмай нішаў, паяскоў, парэбрыкаў і інш. элементаў дэкору (Нясвіжская замкавая вежа). Заглыбленыя часткі сцен бялілі вапнай, выступы мелі натуральны колер чырвонай цаглянай муроўкі, што стварала 2-колернае вырашэнне фасадаў (Мірскі замкава-паркавы комплекс). Невысокія квадратныя і прамавугольныя ў плане вежы, прыстаўленыя да знешняга боку абарончых сцен і накрытыя 2-схільным дахам, наз. «бычкамі», высокія 8-гранныя — круглікамі. Існавалі шмат’ярусныя вежы, у якіх звычайна над ніжнімі чацверыковымі ярусамі будавалі васьмерыкі. Некаторыя драўляныя вежы завяршаліся ізбіцамі. Сцены абарончых вежаў прарэзваліся байніцамі, амбразурамі, машыкулямі. У 18 — пач. 20 ст. асобна пастаўленыя вежы выкарыстоўвалі ў палацава-паркавых кампазіцыях (Гомельскі палацава-паркавы ансамбль), у манастырах і кляштарах. У 16 — пач. 20 ст. ў культавым дойлідстве былі найб. пашыраны вежы-званіцы (Чарнаўчыцкі Троіцкі касцёл). Вежы з’яўляліся адным з гал. элементаў кампазіцыі ратуш (гл. Магілёўская ратуша, Віцебская ратуша). Круглыя або гранёныя вежы фланкіравалі па вуглах аб’ёмы культавых гатычных і рэнесансавых храмаў (Мураванкаўская царква-крэпасць) або ўтваралі на гал. фасадзе высокія званіцы (Заслаўская Спаса-Праабражэнская царква). У барочных культавых будынках з 2-й пал. 17 ст. найб. пашыраны 2-вежавыя гал. фасады. У сучаснай бел. архітэктуры вежападобныя кампазіцыі выкарыстоўваюць пры вырашэнні буйных горадабудаўнічых задач (вежы-прапілеі ў ансамблі Прывакзальнай пл. ў Мінску). У жылой забудове верт. дамінанты — дамы вежавага тыпу.

2) Інж. збудаванні са сталі, жалезабетону, каменю, дрэва (тэлевізійныя вежы, воданапорныя вежы, радыёвежы, сіласныя і інш.). Канструкцыя вежы — звычайна прасторавая стрыжнёвая сістэма або жалезабетонная абалонка. Успрымаюць ветравыя, тэмпературныя і інш. нагрузкі. Разлічваюцца на трываласць, устойлівасць, дэфармавальнасць.

3) Засцерагальная (часта паваротная) канструкцыя з брані на баявых караблях, танках, бронеаўтамабілях, іншых баявых збудаваннях для ўстаноўкі зброі і прылад.

4) Вежы абслугоўвання ў касманаўтыцы — метал. канструкцыя, што забяспечвае доступ людзей і падачу прылад да касм. лятальных апаратаў. Перад стартам адводзіцца на бяспечную адлегласць ад пускавой сістэмы. Вышыня больш за 100 м. Некаторыя вежы аўтаномныя, маюць уласную электрастанцыю, ацяпленне, іншае інж. абсталяванне.

Ю.​А.​Якімовіч (архітэктура).

т. 4, с. 57

ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,

парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).

Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш. Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш. Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім. цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.

Літ.:

Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;

Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 6, с. 364