ідэалізаваная мадэль крышталя бясконцых памераў са строга перыядычным размяшчэннем атамаў, пазбаўленая дэфектаў. Адрозненне рэальных крышталёў ад І.к. звязана з канечнасцю іх памераў і наяўнасцю дэфектаў (вакансіі, дыслакацыі, міжвузельныя атамы, дамешкі і інш.). У рэальных крышталях пры т-ры, большай за т-ру 0 К, заўсёды ёсць некаторая колькасць дэфектаў, тэрмадынамічна раўнаважных з рашоткай. Найб. блізкія па будове да І.к. бездыслакацыйныя крышталі (напр., крэмній Si, германій Ge). Паняцце І.к. шырока выкарыстоўваецца ў крышталяграфіі і фізіцы цвёрдага цела.
французскі фізік. Чл. Парыжскай АН (1810). Скончыў Політэхн. школу (1796), дзе працаваў з 1808. Навук. працы па оптыцы і крышталяфізіцы. Адкрыў палярызацыю святла пры адбіцці ад празрыстых асяроддзяў (1808) і пры пераламленні (1811, незалежна ад Ж.Б.Біо), устанавіў закон змянення інтэнсіўнасці палярызаванага святла (гл.Малюса закон). Распрацаваў тэорыю падвойнага праменепераламлення святла ў крышталях, прапанаваў метад вызначэння аптычнай восі крышталя.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
П’ЕЗАКВА́РЦ (ад грэч. piezō цісну + кварц),
крышталі кварцу або іх часткі, якія па якасці адпавядаюць патрабаванням радыёэлектроннай прам-сці. Выкарыстоўваецца для стабілізацыі частот эл.-магн. ваганняў у прыёмна-перадатачнай радыёапаратуры, шматканальнай тэлеф. сувязі і інш. У адпаведнасці з тэхн. патрэбамі да П. адносяць крышталі, якія маюць бездэфектныя вобласці (без бачных цвёрдых і газава-вадкіх уключэнняў, трэшчын і інш.) масай не менш як 10 кг пры выхадзе не менш 10% ад масы крышталя. Колер кварцу значэння не мае.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
Е́НСЕН ((Jensen) Іаганес Ганс Даніэль) (25.6.1907, г. Гамбург, Германія — 11.2.1973),
нямецкі фізік-тэарэтык. Чл. Гайдэльбергскай АН (1949). Скончыў Гамбургскі ун-т (1932), дзе і працаваў у 1937—41. З 1941 праф. Гановерскага тэхнал. ін-та, з 1949 — Гайдэльбергскага ун-та. Навук. працы па ядз. фізіцы і фіз. цвёрдага цела. Даследаваў узаемадзеянні іонаў у крышталях, атрымаў залежнасць поўнай энергіі крышталя ад міжатамнай адлегласці. Увёў паняцце спін-арбітальнай сувязі і распрацаваў абалонкавую мадэль атамнага ядра (1950). Нобелеўская прэмія 1963 (разам з М.Гёперт-Маер).
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПЛАСТЫ́ЧНАСЦЬ (ад грэч., plastikos прыдатны для лепкі, падатлівы) матэрыялаў, уласцівасць цвёрдых цел (матэрыялаў) пад уздзеяннем мех. нагрузак зменьваць без разбурэння сваю форму і захоўваць частку атрыманай дэфармацыі пасля спынення ўздзеяння. Залежыць ад структуры цела і ўмоў яго дэфармавання (скорасці нагружэння, т-ры, ціску і інш.). Малое значэнне або адсутнасць П. азначае процілеглую ўласцівасць — крохкасць матэрыялаў. Улік П. дазваляе вызначаць запасы трываласці, дэфармавальнасці і ўстойлівасці канструкцый, магчымасці апрацоўкі матэрыялаў ціскам (валачэння, коўкі, пракаткі, штампоўкі). Вывучаюць П. пластычнасці тэорыя, супраціўленне матэрыялаў і інш.
Пластычная дэфармацыя звязана з разрывам некат. міжатамных сувязей і ўтварэннем новых. П. аморфных цел вызначаецца імавернасцю рэлаксацыйных перагруповак атамаў і малекул (гл.Рэлаксацыя), а цел з крышт. будовай — утварэннем, перамяшчэннем і ўзаемадзеяннем дэфектаў у крышталях. У залежнасці ад колькасці атамаў, што ўдзельнічаюць у элементарным акце пластычнай дэфармацыі, адрозніваюць П.: самадыфузійную і дыфузійную (перамяшчэнне атамных слаёў крышталя, на якія ўздзейнічаюць знешнія сілы, на ўчасткі, дзе дзейнічаюць расцягвальныя сілы), краўдыённую (спараджэнне і перамяшчэнне краўдыёнаў — згушчэнняў атамаў уздоўж шчыльна ўпакаваных шэрагаў атамаў), дыслакацыйную (слізганне па крышталеграфічных плоскасцях, гл.Дыслакацыі ў крышталях), звязаную з дэфармацыяй элементарнай ячэйкі крышталя (гл.Двайнікаванне), з працяканнем фазавага пераўтварэння (гл.Фазавыя пераходы).
Літ.:
Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов: Пер. с англ.М., 1972;
Полухин П.И., Горелик С.С., Воронцов В.К. Физические основы пластической деформации. М. 1982;
Кайбышев О.А. Сверхпластичность промышленных сплавов. М., 1984;
Работнов Ю.Н. Механика деформируемого твердого тела. 2 изд. М., 1988.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
п’езаква́рц
(ад п’еза- + кварц)
разнавіднасць кварцу, што пры змене формы і аб’ёму ўтварае электрычныя зарады на гранях крышталя; выкарыстоўваецца ў радыётэхніцы, электраакустыцы і інш.
Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)
П’ЕЗАМАГНЕТЫ́ЗМ (ад грэч. piezō цісну + магнетызм),
п’езамагнітны эфект, узнікненне ў рэчыве намагнічанасці пад уздзеяннем знешняга ціску. Адкрыты ў 1959 В.-А.С.Баравік-Раманавым. Магчымы толькі ў антыферамагнетыках і прынцыпова немагчымы ў парамагнетыках і дыямагнетыках. Узнікае з прычыны скосу антыферамагн. падрашотак ці адноснай змены значэння іх намагнічанасці. Выяўлены ў фтарыдзе кобальту CoF2, фтарыдзе марганцу MnF2, аксідзе жалеза α-Fe2O3. Намагнічанасць Ji у іх прапарцыянальная прыкладзенаму мех. напружанню σkl : Ji = Λikl∙σkl. П’езамагнітны эфект невялікі — макс. значэнне каэфіцыента Λikl (у CoF2) ~2∙10−12Тл∙м²/H. Адваротным адносна П. эфектам з’яўляецца лінейная магнітастрыкцыя — лінейнае змяненне памераў крышталя, прапарцыянальнае прыкладзенаму магн. полю.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ВАКА́НСІЯў фізіцы,
дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).
Літ.:
Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
КРЫШТАЛЯФІ́ЗІКА,
раздзел фізікі, у якім вывучаюцца фіз. ўласцівасці крышталёў у сувязі з іх атамным (хімічным) саставам і будовай крышталічнай рашоткі. Для крышталёў характэрна анізатрапія, іх анізатропныя ўласцівасці характарызуюцца сукупнасцю некалькіх незалежных велічынь і апісваюцца тэнзарамі.
Кожны крышталь у адносінах да адных уласцівасцей можа. быць анізатропным, да другіх — ізатропным. Наяўнасць залежнасці якой-н. уласцівасці ад напрамку ў крышталі і колькасць незалежных велічынь, якімі гэтая ўласцівасць апісваецца, вызначаюцца прыродай самой уласцівасці і сіметрыяй крышталя. Некаторыя фіз. ўласцівасці крышталёў не могуць залежаць ад напрамку, напр., цеплаёмістасць, шчыльнасць. Гл. таксама Крышталяграфія, Крышталяоптыка.
Літ.:
Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц: Пер. с англ. 2 изд. М., 1967;
Сиротин Ю.И. Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. 2 им, М., 1979;
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ДЫЁД,
двухэлектродная паўправадніковая прылада, прынцып дзеяння якой заснаваны на ўласцівасцях p-n-пераходу (найб. пашырана), кантакту метал—паўправаднік (гл.Шоткі дыёд) або аб’ёмных эфектаў у аднародным паўправадніку (гл.Гана дыёд).
Вырабляюцца на аснове германію, крэмнію, арсеніду галію і інш. Паводле канструкцыйных асаблівасцей адрозніваюць кропкавыя П.д. (да паўправадніковага крышталя прыціскаецца спружынная метал. іголка) і плоскасныя П.д. (атрымліваюць метадамі дыфузіі і ўплаўлення дамешкаў, іоннай імплантацыі, эпітаксіяльнага нарошчвання, вакуумнага напылення і інш.). Вызначаюцца малымі габарытнымі памерамі, масай і спажывальнай магутнасцю, вял. тэрмінам службы і інш. Выкарыстоўваецца ў радыётэхніцы ў шырокім дыяпазоне частот для выпрамлення пераменнага току (сілавы, ці выпрамны П.д.), генерыравання і ўзмацнення эл. ваганняў (напр., лавінна-пралётны, тунэльны і параметрычны дыёды), пераўтварэння частаты (змяшальны і памнажальны ЗВЧ-дыёды), дэтэктыравання мадуляваных ваганняў, стабілізацыі напружання (стабілітрон) і інш.
