НО́СЬБІТЫ ЗАРА́ДУ, носьбіты току,

агульная назва зараджаных рухомых часціц (ці квазічасціц), якія забяспечваюць праходжанне эл. току праз рэчыва. Тэрмін найчасцей выкарыстоўваецца ў фізіцы цвёрдага цела, дзе аб’ядноўвае электроны праводнасці і дзіркі (гл. Металы, Паўправаднікі).

т. 11, с. 381

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПАЎМЕТА́ЛЫ,

крышталічныя рэчывы, якія паводле электрафіз. уласцівасцей займаюць прамежкавае становішча паміж металамі і паўправаднікамі.

Характарызуюцца кавалентнай крышт. рашоткай. Асн. фіз. ўласцівасці П.: значна меншая, у параўнанні з металамі, эл. праводнасць; больш слабы, чым у паўправаднікоў, рост эл. праводнасці пры павышэнні т-ры; наяўнасць эл. праводнасці каля абс. нуля т-ры (паўправаднікі ў гэтых умовах — ізалятары). Да П. адносяць вісмут, сурму, мыш’як, графіт і некаторыя інш. простыя рэчывы. Паўметал. ўласцівасці маюць і некаторыя складаныя рэчывы, што ўключаюць П. (напр., вісмутыды). Выкарыстоўваюць П. ў навук. практыцы для рэгістрацыі пераходаў дыэлектрык—метал у моцным магн. полі (датчыкі напружанасці магн. поля), у металургіі ў якасці прысадак, злучэнні мыш’яку і сурмы з металамі — як паўправадніковыя матэрыялы.

т. 12, с. 211

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ДО́НАР у фізіцы,

дэфект крышт. рашоткі паўправадніка (напр., дамешкавы атам), здольны аддаваць электроны ў зону праводнасці. Тыповыя Д. для германію Ge і крэмнію Si — атамы элементаў V групы перыядычнай сістэмы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb). Гл. таксама Акцэптар, Паўправаднікі.

т. 6, с. 183

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

АКУСТАЭЛЕКТРО́НІКА,

раздзел электронікі, які вывучае ўзбуджэнне, распаўсюджванне і прыём акустычных хваляў у кандэнсаваных асяроддзях, узаемадзеянне іх з электрамагн. палямі і электронамі праводнасці; займаецца стварэннем акустаэлектронных прылад. Як самастойны раздзел электронікі сфарміравалася ў 1960-я г. (адкрыццё эфекту ўзмацнення гуку дрэйфуючымі электронамі праводнасці ў крышталях сульфіду кадмію). Падзяляецца на высокачастотную (мікрахвалевую) акустыку цвёрдага цела (узбуджэнне, распаўсюджванне і прыём ультра- і гіпергукавых хваляў), уласна акустаэлектроніка (узаемадзеянне акустычных хваляў з электронамі праводнасці ў цвёрдых целах) і акустаоптыку. Займаецца распрацоўкай прылад для пераўтварэння і аналагавай апрацоўкі радыёсігналаў у дыяпазоне частот ад 1 МГц да 20 ГГц (ніжняя мяжа вызначаецца толькі памерамі існуючых крышталёў, верхняя — тэхнал. магчымасцямі вырабу субмікронных элементаў і вязкасным паглынаннем гуку ў цвёрдых целах). У акустаэлектроніцы выкарыстоўваюцца паверхневыя акустычныя хвалі, аб’ёмныя, прыпаверхневыя, хвалі Лэмба і інш. Асн. матэрыялы акстаэлектронікі: п’езаэлектрыкі і слаістыя структуры з п’езаэлектрыкаў і паўправаднікоў, сегнетаэлектрыкі, паўправаднікі без п’езаэл. уласцівасцяў і інш. На Беларусі даследаванні па акустаэлектроніцы праводзяцца з 1970-х г. у Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Викторов И.А. Физические основы применения ультразвуковых волн Рэлея и Лэмба в технике. М., 1966;

Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: Схемы, топология, конструкции. М., 1987;

Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах: Пер. с англ. М., 1990.

В.​М.​Дашанкоў.

т. 1, с. 218

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

геміанестэзі́я

(ад гемі- + анестэзія)

страта адчувальнасці на адной палавіне цела, якая з’яўляецца ў выніку парушэння праводнасці адчувальных нерваў.

Слоўнік іншамоўных слоў (А. Булыка, 1999, правапіс да 2008 г.)

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

АРЫТМІ́Я (ад а... + грэчаскае rhythmos рытм) сардэчная, парушэнне рытму, паслядоўнасці і сілы сардэчных скарачэнняў. Узнікае ад парушэнняў аўтаматызму, узбуджальнасці, праводнасці і скарачальнасці сэрца, пры хваробах сэрца, парушэннях яго нервовай рэгуляцыі і гэтак далей. Адрозніваюць пачашчэнне (тахікардыя) і запаволенне (брадыкардыя) біцця сэрца, няправільны рытм сардэчных скарачэнняў (экстрасісталія, мігальная арытмія), прыступы частага біцця сэрца (параксізмальная тахікардыя) і інш. Лячэнне асноўнай хваробы сэрца ліквідуе арытмію.

т. 2, с. 9

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ДЗІ́РКА ў фізіцы цвёрдага цела,

квазічасціца ў паўправадніку, дыэлектрыку ці метале, звязаная з незанятым электронам квантавым станам у валентнай зоне. Пад уздзеяннем знешніх эл. і магн. палёў паводзіць сябе як часціца з дадатным зарадам, роўным па абсалютнай велічыні зараду электрона. Эфектыўная маса Дз. большая, а рухомасць меншая, чым у электрона праводнасці. Дз. разам з электронамі вызначаюць дынамічныя ўласцівасці крышталёў. Гл. таксама Паўправаднікі.

т. 6, с. 117

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПРАСТО́РАВЫ ЗАРА́Д, аб’ёмны зарад,

зарад электрычны, размеркаваны па некаторым аб’ёме. Узнікае пры розных канцэнтрацыях дадатных і адмоўных носьбітаў зараду ў прасторы (напр., электронаў і іонаў у плазме). Назіраецца паблізу ад электродаў пры праходжанні эл. току праз электраліт ці газ, на мяжы 2 паўправаднікоў з рознымі тыпамі праводнасці, у вакууме пры электроннай эмісіі і інш. П.з. вызначае прасторавае размеркаванне патэнцыялу і напружанасці электрычнага поля.

т. 13, с. 21

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

КА́БЕЛЬНАЯ ТЭО́РЫЯ ў біялогіі,

тэорыя праводнасці біяэлектрычных патэнцыялаў уздоўж цыліндрычнай клеткі. Зыходзіць з таго, што нерв., мускульную ці інш. клетку можна ўявіць у выглядзе адрэзка кабелю, змешчанага ў праводным асяроддзі з клетачнай мембранай, якая выконвае ролю ізалятара. Кабельная мадэль цыліндрычнай клеткі і заснаваная на гэтай мадэлі тэорыя разліку суадносін велічынь току і напружання дазваляюць эксперыментальна вызначаць эл. параметры клетачнай мембраны і ацэньваць умовы распаўсюджвання падпарогавых эл. імпульсаў.

т. 7, с. 386

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)