хімічная сувязь, якая, у адрозненне ад простай хім. сувязі, утворана больш чым адной парай электронаў. Паводле ліку электронных пар, што ўдзельнічаюць ва ўтварэнні К.с., адрозніваюць падвойную, патройную і чацвярную сувязі.
Паводле ўласцівасцей сіметрыі малекулярных арбіталей К.с. падзяляюць на σ-, π- і δ-сувязі. Арбіталі σ-сувязей маюць цыліндрычную сіметрыю адносна лініі сувязі, арбіталі π-сувязей антысіметрычныя адносна плоскасці, якая праходзіць праз сувязь. Простая хімічная сувязь утвараецца толькі σ-малекулярнымі арбіталямі, а π-сувязь — паміж атамамі ўжо злучанымі σ-сувяззю. Падвойная сувязь складаецца з адной σ- і адной π-сувязей (напр., у малекуле этылену H2C=CH2). Патройная сувязь паміж 2 атамамі з’яўляецца камбінацыяй адной σ- і дзвюх π-сувязей (напр., у малекуле ацэтылену HC=CH). Чацвярная сувязь, характэрная толькі для пераходных металаў, уключае арбіталі патройнай сувязі і арбіталі δ-сувязі. Найб. трываласцю вызначаюцца σ-сувязі. Энергія π-сувязі складае прыкладна 80% энергіі σ-сувязі, а ўклад δ-сувязі, напр., у комплексным октахлорадырэнат-аніёне [Re2CL8]2-, ацэньваецца прыблізна ў 14% ад поўнай энергіі сувязі. Пры наяўнасці ў малекуле 2 і большага ліку К.с. яны ўтвараюць сістэмы з кумуляванымі (2 падвойныя сувязі мяжуюць з адным атамам, напр., у алене H2C=C=CH2), спалучанымі [падвойныя ці (і) патройныя сувязі падзелены адной простай, напр., у акрыланігрыле H2C=CH—C≡N] і ізаляванымі сувязямі (К.с. падзелены 2 і больш простымі сувязямі, гл.Дыенавыя вуглевадароды). У спалучаных сістэмах парадак К.с. (мера кратнасці, заселенасці сувязі электронамі) — велічыня дробная.
Літ.:
Гиллеспи Р. Геометрия молекул: Пер. с англ.М., 1975;
Коттон Ф.А., Уолтон Р.У. Кратные связи металл—металл: Пер. с англ.М., 1985.
Я.Г.Міляшкевіч.
Да арт.Кратная сувязь. Схема ўтварэння сувязей; а) простай σ-сувязі C−C у малекуле C2H6 этану; б) падвойнай сувязі C=C у малекуле C2H4 этылену; в) патройнай сувязі C≡C у малекуле C2H2 ацэтылену.
Руска-беларускі слоўнік НАН Беларусі, 10-е выданне (2012, актуальны правапіс)
адпалі́цьсов., в разн. знач. отже́чь;
а. кусо́к вяро́ўкі — отже́чь кусо́к верёвки;
а. мета́л — отже́чь мета́лл;
◊ а. шту́ку — отколо́ть (вы́кинуть) но́мер (шту́ку)
Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)
ГЕТЭРАПЕРАХО́Д,
кантакт паміж двума рознымі паводле хім. саставу ці (і) фазавага стану паўправаднікамі (ПП). Па тыпе праводнасці спалучаных ПП адрозніваюць гетэрапераходы анізатыпныя — кантактуюць ПП з электроннай (n) і дзірачнай (p) эл.-праводнасцямі (p-n-гетэрапераход; гл.Электронна-дзірачны пераход), і ізатыпныя — кантактуюць ПП з адным тыпам праводнасці (n-n-гетэрапераход ці p-p-гетэрапераход). Камбінацыі некалькіх гетэрапераходаў утвараюць гетэраструктуры.
Для атрымання гетэрапераходу выкарыстоўваюцца кантакты паміж германіем Ge, крэмніем Si, ПП злучэннямі тыпу AIIIBV, дзе AIII — элемент III групы перыяд. сістэмы элементаў (алюміній Al, галій Ga, індый In), BV — элемент V групы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb), і іх цвёрдымі растворамі: Ge—Si, Ga Al As — Ga As, Ga Al—Ge, In Ga As — In P. Гетэрапераход атрымліваюць эпітаксіяй. Галоўная асаблівасць гетэрапераходу — скачкападобнае змяненне ўласцівасцей на мяжы падзелу ПП (шырыні забароненай зоны, энергіі роднасці да электрона, рухомасці носьбітаў зараду, іх эфектыўнай масы і інш.). Кіраванне імі шляхам падбору спалучаных ПП матэрыялаў дае магчымасць ствараць арыгінальныя ПП прылады. Гетэрапераходы выкарыстоўваюцца ў пераключальніках хуткадзейных лагічных схем для ЭВМ, ПП лазерах, святлодыёдах і інш.
Літ.:
Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник: Пер. с англ.М., 1975;
Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ.М., 1979.
