часткова запоўненая або пустая (пры абсалютным нулі т-ры) энергетычная зона ў электронным спектры крышт. цвёрдага цела (гл.Зонная тэорыя). Электроны, што знаходзяцца ў З.п., разам з дзіркамі валентнай зоны вызначаюць электраправоднасць і ўдзельнічаюць у інш. працэсах пераносу ў цвёрдых целах. Наяўнасць электронаў у З.п. пры т-ры абс. нуля адрознівае металы ад паўправаднікоў і дыэлектрыкаў. У некат. цвёрдых цел З.п. можа перакрывацца (паўметалы) або судакранацца (бясшчылінныя паўправаднікі) з валентнай зонай.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
П’ЕЗАЭЛЕКТРЫ́ЧНАСЦЬ (ад грэч. piezō цісну, + электрычнасць),
сукупнасць з’яў у некаторых дыэлектрычных крышталях, абумоўленых узаемасувяззю паміж іх палярызацыяй (гл.Палярызацыя дыэлектрыкаў) і мех. дэфармацыяй. Пры дэфармацыі прамавугольнай пласцінкі з п’езаэл. крышталя на яе процілеглых гранях узнікаюць эл. зарады рознага знака (прамы п’езаэл. эфект — ПЭЭ) і наадварот — пад уздзеяннем знешняга эл. поля ў пласцінцы ўзнікаюць дэфармацыі расцяжэння, сціскання ці зруху (адваротны ПЭЭ). П. адкрыў у 1817 франц. вучоны Р.Ж.Гаюі, даследавалі ў 1880 на крышталях кварцу браты Ж. і П. Кюры.
П. характэрна для анізатропных дыэлектрыкаў з дакладнай крышталічнай структурай, якая не мае цэнтра сіметрыі. Дыэлектрыкі, якім уласціва П., наз.п’езаэлектрыкамі. З іх найб. пашыраны: монакрышталічныя — кварц (п’езакварц), сегнетава соль, п’езакерамічныя — палярызаваныя сегнетаэлектрыкі і інш.п’езаэлектрычныя матэрыялы. ПЭЭ выяўляюцца і ў некаторых высакаомных паўправадніках, якія наз. п’езапаўправаднікамі. Эфекты пераўтварэння эл. энергіі ў пругкую мех. энергію і наадварот выкарыстоўваюць для генерацыі, стабілізацыі частаты і фільтрацыі эл. сігналаў, выпрамянення і прыёму акустычных хваль у розных п’езаэлектронных, акустаэлектронных і інш. прыстасаваннях.
Літ.:
Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики: Основные свойства и применения в электронике. М., 1989;
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
КРЫШТАЛІ́ЧНЫ ЛІЧЫ́ЛЬНІК,
прылада для рэгістрацыі іанізавальных выпрамяненняў; цвердацелая іанізацыйная камера. Прынцып дзеяння К.л. заснаваны на ўзнікненні пад уздзеяннем выпрамяненняў прыкметнай электраправоднасці дыэлектрыкаў. Пры праходжанні праз крышталь (напр., сульфіду кадмію) іанізавальныя часціцы выклікаюць у ім утварэнне носьбітаў зараду (электронаў і дзірак), якія пад уздзеяннем знешняга эл. поля рухаюцца да адпаведных электродаў. Асобная іанізавальная часціца выклікае ў ланцугу К.л. кароткачасовы імпульс, які пасля ўзмацнення рэгіструецца лічыльнай прыладай. Гл. таксама Паўправадніковы дэтэктар.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ВУЛ (Бенцыён Майсеевіч) (22.5.1903, г. Белая Царква, Украіна — 9.4.1985),
савецкі фізік. Акад.АНСССР (1972, чл.-кар. 1939). Герой Сац. Працы (1969). Скончыў Кіеўскі політэхн.ін-т (1928). З 1932 у Фіз. ін-це АНСССР. Навук. працы па фізіцы дыэлектрыкаў і паўправаднікоў, квантавай электроніцы. Адкрыў сегнетаэлектрык тытанат барыю (1944). Устанавіў асн. заканамернасці змянення электраправоднасці ды электрыкаў пры гама-выпрамяненні. Пад яго кіраўніцтвам у СССР створаны паўправадніковыя дыёды, транзістары, сонечныя элементы. Удзельнічаў у стварэнні паўправадніковых лазераў. Ленінская прэмія 1964. Дзярж. прэмія СССР 1946.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГУ́РСКІ (Леанід Ільіч) (н. 10.1.1936, Мінск),
бел. вучоны ў галіне фізікі цвёрдага цела і мікраэлектронікі. Чл.-кар.АН Беларусі (1994), д-ртэхн.н. (1973), праф. (1978). Сын І.Д.Гурскага. Скончыў БПІ (1959). З 1961 у Фізіка-тэхн. ін-це АН Беларусі, з 1993 у Вышэйшым атэстацыйным камітэце Беларусі (БелВАК). Навук. працы па фізіцы металаў, паўправаднікоў і дыэлектрыкаў, распрацоўцы тэхналогіі вытв-сці вял. інтэгральных мікрасхем. Дзярж. прэмія Беларусі 1984.
Тв.:
Структура, топология и свойства пленочных резисторов. Мн., 1987 (у сааўт.);
Интеллектуальные системы автоматизированного проектирования больших и сверхбольших интегральных микросхем. М., 1988 (у сааўт.);
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ДЫЭЛЕ́КТРЫКІ (ад дыя... + англ. electric электрычны),
рэчывы, якія практычна не праводзяць электрычны ток і могуць палярызавацца ў знешнім эл. полі (гл.Палярызацыя дыэлектрыкаў). Бываюць цвёрдыя (напр., бурштын, слюда, шкло, эбаніт), вадкія (вада, трансфарматарнае масла) або газападобныя (усе газы). Падзяляюцца на непалярныя (малекулы маюць сіметрычную будову і цэнтры «цяжару» дадатных і адмоўных зарадаў супадаюць), палярныя (малекулы пры адсутнасці знешняга эл. поля маюць адрозны ад 0 дыпольны момант) і іонныя крышталі (крышталічная рашотка з правільным чаргаваннем іонаў розных знакаў і ўтварэннем 2 іонных падрашотак). Адпаведна адрозніваюць электронную (дэфармацыйную), арыентацыйную (дыпольную) і іонную палярызацыю. Механізмы палярызацыі Д. розныя і залежаць ад характару хім. сувязей. Асн. характарыстыкі Д.: дыэлектрычная пранікальнасць, дыэлектрычная ўспрыімлівасць і эл. трываласць (гл.Прабой дыэлектрыкаў). У тэхніцы выкарыстоўваюцца як электраізаляцыйныя матэрыялы, у кандэнсатарах служаць для павелічэння ёмістасці; у паўправадніковай электроніцы (у т. л. мікраэлектроніцы) выкарыстоўваюцца дыэл. плёнкі (аморфныя, шклопадобныя, палімерныя) для ўтварэння структур метал—Д.—метал, метал—Д.—паўправаднік і інш. На аснове кантактаў у выглядзе тонкага слоя Д., які раздзяляе 2 звышправаднікі (кантакты Джозефсана; гл.Джозефсана эфект) створаны маламагутныя ЗВЧ генератары, хуткадзейныя элементы памяці ЭВМ, квантавыя інтэрферометры і інш.
На Беларусі даследаванні па фізіцы Д. пачаліся ў 1935 у БПІ (М.А.Безбародаў). З 1959 вядуцца ў Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў Нац.АН, Бел.політэхн. акадэміі і інш.
Літ.:
Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область слабых полей). М.; Л., 1949;
Яго ж. Физика диэлектриков (область сильных полей). М., 1958;
Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики: Основные свойства и применения в электронике. М., 1989.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПЛЁНАЧНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,
1) танкаплёначная тэхналогія — сукупнасць спосабаў атрымання тонкіх плёнак металаў, дыэлектрыкаў і паўправаднікоў пры вырабе элементаў інтэгральных схем, паўправадніковых прылад і інш.
Тонкія плёнкі атрымліваюць фіз. (напр., выпарэннем у вакууме), хім. (эл.-хім. асаджэнне, тэрмічнае вырошчванне, анадзіраванне) і камбінаванымі (тэрмаіоннае і плазмахім. асаджэнне, газавае анадзіраванне) метадамі. Канфігурацыя элементаў мікрасхем ствараецца асаджэннем праз маскі, фоталітаграфіяй, электроналітаграфіяй і інш. спосабамі.
2) Таўстаплёначная тэхналогія — сукупнасць метадаў стварэння праводных, рэзістыўных, дыэл. і ізаляцыйных слаёў (тоўстых плёнак) пры вырабе інтэгральных схем, мантажных плат, токаправодных плёнак на керамічных карпусах інтэгральных схем і інш.Найб. пашыраны трафарэтны спосаб, пры якім плёначныя элементы ствараюцца нанясеннем праз трафарэт слоя спец. пасты з наступнай яе тэрмічнай апрацоўкай.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
МАРКЕ́ВІЧ (Сяргей Васілевіч) (2.10.1916, в. Стайкі Ушацкага р-на Віцебскай вобл. — 12.1.1996),
бел. фізікахімік. Д-рхім.н. (1971). Скончыў БДУ (1940). У 1946—81 у Ін-це фізіка-арган. хіміі АН Беларусі (у 1952—58 нам. дырэктара, з 1958 заг. лабараторыі). З 1989 у ін-це радыяцыйных фіз.-хім. праблем АН Беларусі. Навук. працы па даследаванні элементарных працэсаў каталізу, па радыяцыйным каталізе, радыёлізе неарган. і арган.дыэлектрыкаў. Стварыў мед. прэпарат «Рондэкс» — заменнік плазмы крыві.
Тв.:
Реакции превращения этилена на алюмосиликатном катализаторе // Кинетика и катализ. 1963. Т. 4, вып. 5;
Исследование радиолиза высокополимеров глюкозы (у сааўт.) // Радиобиология. 1967. Т. 7, вып. 4. Радиолиз водяного пара в присутствии твердых тел (у сааўт.) // Весці АН Беларусі. Сер. хім.навук. 1995. № 1.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
П’ЕЗАЭЛЕКТРЫ́ЧНЫЯ МАТЭРЫЯ́ЛЫ, п’езаэлектрыкі,
мона- і полікрышталічныя рэчывы з добра выражанымі п’езаэлектрычнымі ўласцівасцямі (гл.П’езаэлектрычнасць). Адносяцца да дыэлектрыкаў, ідуць на выраб элементаў п’езаэлектрычных пераўтваральнікаў.
Падзяляюцца на 2 групы: п’езаэл. монакрышталі (кварцу, сегнетавай солі, тытанату барыю і ўсе сегнетаэлектрыкі ў палярнай фазе) і п’езакераміку (полікрышталічныя цвёрдыя растворы на аснове тытанату барыю, кальцыю і кобальту, ніабату барыю і свінцу і інш., палярызаваныя ў эл. полі). Крышталі П.м. вырошчваюць з раствораў ці расплаваў або выкарыстоўваюць прыродныя (напр., кварц). Найб. пашырана з П.м. п’езакераміка, якая мае моцны п’езаэфект, значную стабільнасць, высокую мех. трываласць і ўстойлівасць да знешніх уздзеянняў, простая па вырабе. Выкарыстоўваюцца П.м. для стварэння актыўных элементаў электрамех. і электраакустычных п’езаэл. пераўтваральнікаў, фільтраў, стабілізатараў, генератараў і прыёмнікаў ультрагукавых ваганняў і інш.
галандскі фізік і хімік, адзін са стваральнікаў тэорыі цвёрдага цела. Замежны чл.АНСССР (1924) і інш. акадэмій. Скончыў Мюнхенскі ун-т (1910). З 1911 праф. ун-таў Швейцарыі і Германіі, у 1934—39 дырэктар Ін-та фізікі кайзера Вільгельма (Берлін), у 1940—50 праф. Корнелскага ун-та (ЗША). Навук. працы па фізіцы цвёрдага цела, тэорыі будовы малекул і квантавай тэорыі атама. Пабудаваў мадэль цвёрдага цела (1912), устанавіў залежнасць цеплаёмістасці крышталёў ад т-ры (гл.Дэбая закон). Распрацаваў дыпольную тэорыю дыэлектрыкаў, прапанаваў рэнтгенаўскі метад даследавання дробнакрышт. матэрыялаў (гл.Дэбая—Шэрэра метад). Нобелеўская прэмія 1936.
Літ.:
Гельфер Я.М. История и методология термодинамики и статистической физики. 2 изд. М., 1981. С. 486—491.
