Verbum

МЕТАЛАГРА́ФІЯ (ад металы + ...графія),

раздзел металазнаўства, які вывучае структуру металаў і сплаваў з дапамогай аптычнай і электроннай мікраскапіі, дыфракцыі рэнтгенаўскіх прамянёў. Даследуе заканамернасці ўтварэння структуры, яе змен пад уплывам знешніх уздзеянняў.

Вывучэнне паверхні металу няўзброеным вокам, праз лупу або мікраскоп з павелічэннем да 10 разоў дазваляе выявіць макраструктуру (крышталічную, хім. або мех. неаднастайнасць у выглядзе буйных зярнят, дэфектаў і дамешкаў). Даследаванне паліраванай і траўленай паверхні пры дапамозе мікраскопа з павелічэннем у 50—1500 разоў дазваляе выявіць мікраструктуру (памеры і формы зярнят, размеркаванне структурных фаз, уключэнняў і дэфармацый). Металаграфскае траўленне (уздзеянне кіслотным і інш. актыўным рэагентам) дае магчымасць устанавіць унутр, структурную будову сплаву. З дапамогай трансмісійнага мікраскопа вядуць электронна-мікраскапічнае даследаванне (выяўляюць фрагменты структуры памерам у некалькі нанаметраў, назіраюць скопішчы дыслакацый і скажэнняў крышт. рашоткі); электроннага сканіруючага мікраскопа — атрымліваюць відарысы дэфектаў структуры з вял. глыбінёй рэзкасці пры павелічэнні да 20 тыс. разоў (вывучаюць паверхні разбурэння, аб’ёмныя ўключэнні і інш.); рэнтгенаўскага дыфрактометра — атрымліваюць інфармацыю аб крышталеграфічных параметрах асобных фаз, унутр. напружаннях, раствораных у металах атамах. Адначасова з металаграфскімі даследаваннямі будовы металаў і сплаваў вывучаюць умовы, што выклікаюць змену іх унутр. структуры (уздзеянне награвання і ахаладжэння, пластычнай дэфармацыі, адпачыну, рэкрышталізацыі, спякання, насычэння хім. элементамі і інш.), а таксама даследуюць фіз. (мех.) уласцівасці. Даныя выкарыстоўваюць для вывучэння працэсаў атрымання метал. матэрыялаў з зададзенымі ўласцівасцямі. М. выкарыстоўваецца як адзін з метадаў кантролю якасці пры ліцці, тэрмаапрацоўцы, апрацоўцы ціскам, зварцы і інш. Першыя даследаванні структуры з выкарыстаннем аптычнага мікраскопа праведзены ў 1931 П.​А.​Аносавым.

На Беларусі М. выкарыстоўваюць пры распрацоўцы новых матэрыялаў у Фізіка-тэхн. ін-це Нац. АН Беларусі, Бел. навукова-вытв. канцэрне парашковай металургіі, БПА, у металургічнай і металаапрацоўчай прам-сці.

Літ.:

Смолмен Р., Ашби К. Современная металлография: Пер. с англ. М., 1970;

Лившиц Б.Г. Металлография. 3 изд. М., 1990;

Приборы и методы физического металловедения: Пер. с англ. Вып. 1—2. М., 1973—74.

Г.​М.​Гайдалёнак.

т. 10, с. 304

МЕТА́ЛЫ (лац. metallum ад грэч. metallon шахта, руднік),

простыя рэчывы, якія ў звычайных умовах маюць характэрныя, метал., уласцівасці — высокую эл. праводнасць і цеплаправоднасць, адмоўны тэмпературны каэф. эл. праводнасці, здольнасць добра адбіваць эл.-магн. хвалі (бляск, непразрыстасць), пластычнасць. У цвёрдым стане М. — крышт. рэчывы з металічнай сувяззю. У тэхніцы да М. адносяць таксама сплавы на іх аснове (гл. Металазнаўства).

Да М. адносяць 86 са 109 элементаў перыяд. сістэмы. Паводле становішча ў перыяд. сістэме адрозніваюць М. галоўных (a) і пабочных (b) падгруп, ці непераходныя і пераходныя. У непераходных М. адбываецца запаўненне знешніх s- і p-электронных абалонак (напр., шчолачныя металы), у пераходных — запаўненне размешчаных бліжэй да ядра d- і f-абалонак (гл. Пераходныя элементы). Паводле тэхн. класіфікацыі адрозніваюць чорныя (жалеза і яго сплавы) і каляровыя М., якія ўмоўна падзяляюць на некалькі груп: лёгкія металы, цяжкія (свінец, цынк і інш.), тугаплаўкія металы, высакародныя металы, рэдказямельныя М. (гл. Рэдказямельныя элементы), радыеактыўныя М. (гл. Радыеактыўныя элементы) і інш. Хім. ўласцівасці М. абумоўлены электроннай будовай атамаў, якія лёгка аддаюць знешнія (валентныя) электроны, таму ў хім. рэакцыях яны звычайна з’яўляюцца аднаўляльнікамі. М. ўтвараюць асн. аксіды і гідраксіды, многія замяшчаюць вадарод у к-тах. У прыродзе ў свабодным стане трапляюцца рэдка, звычайна ў выглядзе злучэнняў (аксідаў, сульфідаў і інш.). Здабычай М. з руд займаецца металургія. Ступень выкарыстання М. абумоўлена практычнай каштоўнасцю яго ўласцівасцей, а таксама прыроднымі запасамі (распаўсюджанасцю ў зямной кары) і цяжкасцямі атрымання. Здольнасць М. да ўзаемнага растварэння з утварэннем пры крышталізацыі цвёрдых раствораў і інтэрметалідаў (гл. Металіды) дазваляе атрымліваць мноства сплаваў з разнастайным спалучэннем уласцівасцей. У тэхніцы М. выкарыстоўваюць выключна ў выглядзе сплаваў як найважнейшыя канстр. матэрыялы.

Літ.:

Венецкий С.И. Рассказы о металлах. 4 изд. М., 1985;

Гелин Ф.Д., Чаус А.С. Металлические материалы. Мн., 1999.

Г.​Г.​Паніч.

т. 10, с. 307

ГАА́ГА (’s-Gravenhage, Den Haag),

горад на З Нідэрландаў. Месцазнаходжанне рэзідэнцыі каралеўскага двара, урада, парламента. Адм. ц. правінцыі Паўд. Галандыя. 444,6 тыс. ж. (1993). Порт на Паўн. м. (аванпорт — г. Схевенінген). Сетка каналаў, аўтамаб. і чыг. шляхоў звязвае Гаагу з інш. гарадамі. Развіта вытв-сць радыё- і тэлеапаратуры, электроннай апаратуры. Харч. (кандытарскія вырабы і інш.) і лёгкая прам-сць. Вытв-сць маст. вырабаў са шкла, дрэва і інш. У прыгарадзе — авіяц. з-ды «Фокер». У Гаазе працуюць праўленні шматлікіх гандл. і прамысл. фірмаў, установы сферы абслугоўвання. Месцазнаходжанне Міжнар. суда ААН. Каралеўская акадэмія выяўл. мастацтва.

Упершыню ўпамінаецца ў 1097 (да 1250 тут знаходзіўся паляўнічы домік графаў Галандыі, потым замак). Пасля стварэння Рэспублікі Злучаных правінцый (канец 16 ст.) — месца пасяджэнняў Генеральных штатаў. У 1806 Луі Банапарт надаў Гаазе статус горада і адначасова перанёс сталіцу ў Амстэрдам. Пасля ўтварэння Каралеўства Нідэрландаў (1815) — каралеўская рэзідэнцыя, а пасля абвяшчэння незалежнасці Бельгіі (1830) — фактычная сталіца краіны. З 2-й пал. 17 ст. Гаага — месца правядзення міжнар. канферэнцый і заключэння пагадненняў (гл. Гаагскія канвенцыі). У 2-ю сусв. вайну акупіравана (1940—45) ням. фашыстамі.

Цэнтр горада ў большасці захаваў сваё старадаўняе аблічча. На беразе воз. Вейвер — ансамбль Біненхоф (Унутраны двор, 13—18 ст.), гатычныя Рыцарская зала (каля 1280) і царква Сінт-Якабскерк (базіліка 14—16 ст.). Арх. помнікі рэнесансу — Старая ратуша (1564—65), класіцызму — палац Маўрыцхёйс (1633—35, арх. Я. ван Кампен, П.​Пост), каралеўскі палац Хёйс-тэн-босх («Дом у лесе», 1644, арх. Пост; дабудаваны ў 1734—37 і 1790), Каралеўская б-ка (1734—36, арх. Д.​Маро; 1761; арх. П. дэ Сварт). Прамавугольная сетка вуліц Гаагі мадэрнізавана і дапоўнена свабоднай планіроўкай новых раёнаў (1908—09, арх. Х.​П.​Берлаге, В.​М.​Дзюдак), забудаваных пераважна пасля 2-й сусв. вайны. Сярод пабудоў 20 ст. — Палац Міру (1907—13, арх. Л.​М.​Карданье), Муніцыпальны музей (1916—35, арх. Берлаге), канторы «Волхардынг» (1928, арх. Я.​Бёйс) і «Шэл-Недэрланд» (1938—42, арх. П.​Аўд), Каралеўскія кабінеты карцін (у Маўрыцхёйс), манет, медалёў і разных камянёў, Музей касцюма.

т. 4, с. 407

ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,

парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).

Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш. Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш. Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім. цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.

Літ.:

Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;

Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 6, с. 364

ІНСТЫТУ́Т ЭЛЕКТРО́НІКІ Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1973 на базе Лабараторыі электронікі АН Беларусі (існавала з 1961). У ін-це (1998) 10 лабараторый, аспірантура, савет па абароне канд. і доктарскіх дысертацый.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: фіз. асновы оптаэлектронікі і аптычныя метады апрацоўкі інфармацыі; фіз. асновы мікраэлектронікі, у межах якіх распрацоўкі накіраваны на стварэнне элементнай базы для звышхуткадзейных і высокапрадукцыйных сістэм атрымання, захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі; оптаэлектронных элементаў і прылад для аптычнай (у т. л. лазерна-галаграфічных сістэм) апрацоўкі інфармацыі, валаконна-аптычных ліній сувязі, вымяральнай тэхнікі і фотааўтаматыкі; оптыка-электронных, магн.-эл. і інш. пераўтваральнікаў для сістэм кантролю і вымярэння; вакуумных мікраэлектронных прылад для экстрэмальных умоў эксплуатацыі, прылад мікрамеханікі і мікрасенсорыкі; матэрыялаў для мікраэлектронікі і нанатэхналогій. Вынікі навук. даследаванняў: распрацаваны новыя матэрыялы для мікраэлектронікі; метады і сродкі прасторавай і прасторава-часавай мадуляцыі светлавых патокаў, якія забяспечваюць эфектыўнае пераўтварэнне двух- і аднамерных аптычных сігналаў; распрацаваны і створаны фотапрыёмнікі і фотапрыёмныя структуры для валаконна-аптычных ліній сувязі, сістэм аўтафакусіроўкі, рэгістрацыі звышслабых свячэнняў; высокаадчувальныя фотарэзістары і на іх аснове створаны оптаэлектронныя пераўтваральнікі для нанавальтметраў і мультыметраў; створаны спецыялізаваныя высокакагерэнтныя цвердацелыя лазеры для патрэб аптычнай лакацыі, галаграфіі і неразбуральнага кантролю вібратрываласных характарыстык вырабаў машынабудавання метадамі галаграфічнай інтэрфераметрыі, алюма-аксідная тэхналогія стварэння вакуумнай мікраэлектронікі, мікрамеханікі і нанаэлектронікі, вакуумныя інтэгральныя схемы для экстрэмальных умоў эксплуатацыі пры высокіх узроўнях т-р і радыяцыі; выпрацаваны прынцыпы пабудовы высокаадчувальных вымяральнікаў кампанентаў вектара індукцыі магн. поля Зямлі; створана апаратура арыентацыі галаўных частак метэаракет, вымярэння траекторый ствалоў свідравін у працэсе бурэння, спектрафотаметрычная апаратура, якая ўстанаўліваецца на ШСЗ для даследаванняў азонасферы Зямлі, шэраг высокапрадукцыйных сістэм аўтаматызаванага высокадакладнага вымярэння і кантролю памераў вырабаў электроннай тэхнікі, валаконнай оптыкі, а таксама субмікронных часцінак у тэхнал. асяроддзях; устаноўлены заканамернасці структурных і фазавых пераўтварэнняў у тонкіх паўправадніковых і метал. плёнках, сістэмах метал-паўправаднік пры імпульсным лазерным уздзеянні. Распрацоўкі ін-та адзначаны Дзярж. прэміяй СССР (1985), Дзярж. прэміямі Беларусі (1982, 1996), ЛКСМБ (1974). У Ін-це працаваў чл.-кар. АН СССР В.М.Аўдзееў; працуюць акад. Нац. АН Беларусі У.А.Піліповіч і чл.-кар. А.А.Кавалёў.

Я.​К.​Чаховіч.

т. 7, с. 275

МАЛЕ́КУЛА (новалац. molecula, памяншальнае ад лац. moles маса),

найменшая ўстойлівая часціца рэчыва, якая мае ўсе яго хім. ўласцівасці і складаецца з аднолькавых (простае рэчыва) або розных (складанае рэчыва) атамаў. Атамы ў М. злучаны паміж сабой хімічнымі сувязямі. Якасны і колькасны састаў М. выражае формула хімічная, якая адначасова дазваляе вызначыць малекулярную масу. Парадак хім. сувязей у М. дае яе структурная ф-ла. Колькасць атамаў у М. розная: ад 2 (напр., у М. кіслароду O₂) да сотняў тысяч (гл. Макрамалекула). Памеры М. залежаць ад колькасці атамаў у ёй і мяняюцца да 10​² да 10​⁵ пм.

Прасторавае размяшчэнне атамаў у М. адпавядае мінімуму патэнцыяльнай энергіі М. і вызначае яе геам. будову і памеры. Напр., трохатамная М. вады H₂O мае форму раўнабедранага трохвугольніка, у вяршыні якога знаходзіцца атам кіслароду, адлегласць паміж атамамі кіслароду і вадароду (даўж. сувязі O—H) 95,84 пм, а валентны вугал паміж сувязямі H—O—H 104,5°. М. — складаная сістэма, у якой электроны рухаюцца вакол ядраў паводле закону квантавай механікі. Пры злучэнні атамаў у М. іх унутр. электроны не мяняюць свайго руху, а вонкавыя (валентныя) — утвараюць электронную абалонку М., будова якой абумоўлівае характар хім. сувязей у М., рэакцыйную здольнасць хім. злучэння (гл. Рэакцыі хімічныя), магн. (гл. Дыямагнетызм, Парамагнетызм) і эл. ўласцівасці рэчыва. У эл. полі ўсе М. палярызуюцца (вонкавыя электроны М. зрушваюцца адносна ядраў); некат. М. маюць пастаянны дыпольны момант. У М. разам з рухам электронаў адбываецца вагальны рух — перыяд. адносны рух ядраў (разам з унутр. электронамі), у газавай фазе — таксама вярчальны рух усёй М. як цэлага. У адпаведнасці з магчымымі відамі руху поўная энергія М. (E) складаецца з электроннай (E_эл), вагальнай (E_ваг) і вярчальнай (E_вярч) энергій: E = E_эл + E_ваг + E_вярч. Звычайна E_эл ≫ E_ваг ≫ E_вярч. Для кожнага віду руху паводле квантавых законаў дазволены толькі пэўныя (дыскрэтныя) значэнні энергіі (энергет. ўзроўні), пры гэтым электронныя энергет. ўзроўні размешчаны далёка адзін ад аднаго (розняцца на некалькі электронвольт), вагальныя — бліжэй (на дзесятыя і сотыя долі электронвольта), а вярчальныя яшчэ бліжэй (на сотыя — стотысячныя долі электронвольта). Квантавыя пераходы паміж энергет. ўзроўнямі М. суправаджаюцца вылучэннем ці паглынаннем аптычнага выпрамянення. Сукупнасць квантавых пераходаў М. вызначае малекулярныя спектры.

Літ.:

Татевский В.М. Строение молекул. М., 1977;

Флайгер У. Строение и динамика молекул: Пер. с англ. Т 1—2. М., 1982.

М.​А.​Ельяшэвіч, К.​М.​Салаўёў.

т. 10, с. 26

ЗААЛО́ГІЯ (ад заа... + ...логія),

навука пра жывёльныя арганізмы, адзін з асн. раздзелаў біялогіі. Вывучае відавую разнастайнасць жывёл (сістэматыка), іх будову (анатомія), асаблівасці жыццядзейнасці (фізіялогія), заканамернасці індывід. развіцця (эмбрыялогія), роднасныя сувязі (філагенія), пашырэнне (зоагеаграфія), узаемаадносіны з асяроддзем (экалогія), асаблівасці паводзін (эталогія), вымерлых жывёл (палеазаалогія). У З. таксама вылучаюць навукі, якія даследуюць найб. вял. і важныя групы жывёл: акаралогія, арахналогія, арніталогія, герпеталогія, іхтыялогія, малакалогія, пратысталогія, тэрыялогія, энтамалогія. З. звязана з шэрагам с.-г., вет. і мед. навук.

З. як навука зарадзілася ў Стараж. Грэцыі і звязана з імем Арыстоцеля. Як стройная сістэма ведаў аформілася ў канцы 17—18 ст. дзякуючы працам вучоных-прыродазнаўцаў англ. Дж.​Рэя, швед. К.​Лінея, франц. Ж.​Бюфона і Ж.​Б.​Ламарка і інш. У сярэдзіне 19 ст. створана тэорыя эвалюцыі арган. свету (Ч.​Дарвін). У развіцці З. вял. значэнне мелі працы расійскіх вучоных К.​М.​Бэра, А.А. і У.​А.​Кавалеўскіх, І.​І.​Мечнікава, К.​Ф.​Рулье, А.​М.​Северцава і інш. У 20 ст. павялічыўся аб’ём фауністычных даследаванняў па ўсёй планеце, фарміруецца новы малекулярна-біял. аспект сістэматыкі, выкарыстоўваецца карыясістэматыка (на падставе вывучэння колькасці і будовы храмасом), укараняюцца біяхім. метады і метады электроннай мікраскапіі і інш.

На Беларусі даследаванні па З. пачаліся ў 18 ст. Заал. апісанні асобных яе тэрыторый ёсць у працах польск. даследчыка Г.​Ржанчынскага (1-я пал. 18 ст.), рус. вучоных І.​І.​Ляпёхіна (канец 18 ст.), В.​М.​Севергіна (1-я пал. 19 ст.). У 1924—30 праводзіліся экспедыцыі па вывучэнні наземнай фауны (А.​У.​Фядзюшын і інш.). Сучасны этап развіцця З. звязаны з працамі І.​Ц.​Арзамасава, Г.​А.​Галкоўскай, Г.​Г.​Вінберга, М.​С.​Долбіка, П.​І.​Жукава, С.​В.​Кахненкі, І.​К.​Лапаціна, В.​І.​Мержаеўскай, М.​М.​Пікуліка, Л.​М.​Сушчэні, І.​М.​Сяржаніна, Э.​І.​Хацько, Н.​М.​Хмялёвай і інш. Даследаванні вядуцца ў Ін-це заалогіі Нац. АН Беларусі, на кафедрах прыродазнаўчых ф-таў ВНУ, у запаведніках, н.-д. установах с.-г. і вет. профілю і інш. Даследуюцца функцыян. сувязі ў зоацэнозах, заканамернасці матэрыяльна-энергет. ператварэнняў на розных трафічных узроўнях, экалогія і інтрадукцыя каштоўных відаў рыб. Развіваюцца новыя кірункі З.: эксперым. экалогія водных беспазваночных жывёл, ландшафтная фауністыка і экалогія жывёл, глебавая экалогія; вывучэнне механізмаў і заканамернасцей фарміравання біял. разнастайнасці жывёльнага свету ва ўмовах інтэнсіфікацыі антрапагеннай нагрузкі на прыродныя комплексы; распрацоўка прынцыпаў і метадаў экалагічнага маніторынгу, вядзення Чырв. кнігі, развіцця сеткі асабліва ахоўных тэрыторый; ацэнка ўплыву аварыі на ЧАЭС (1986) на стан фауны. Адна з найб. актуальных праблем — распрацоўка навук. асноў аховы і рацыянальнага выкарыстання жывёльнага свету Зямлі.

Літ.:

Наумов Н.П., Карташев Н.Н. Зоология позвоночных. Ч. 1—2. М., 1979;

Догель В.А. Зоология беспозвоночных. 7 изд. М., 1981;

Жизнь животных. Т. 1—6. 2 изд. М., 1987—89;

Институт зоологии Академии наук Беларуси. Мн., 1992.

М.​М.​Пікулік.

т. 6, с. 483

ЛАД у музыцы,

абстрактна-лагічная сістэма, якая арганізуе гукавышынны бок музыкі на аснове колькасных (гукарадных) і якасных (функцыянальных) паказчыкаў і рэалізуе сябе ў працэсе інтанавання. Гукарад Л. — мелодыкаінтэрвальная схема, што прадстаўляе яго гукі ў паступенным парадку; функцыянальнасць заключаецца ў падзеле элементаў Л. на ўстойлівыя (цэнтр сістэмы) і няўстойлівыя (падпарадкаваныя ім). На падставе гэтых гал. характарыстык вылучаюць канкрэтныя віды Л. — т. зв. лады. Вызначальнымі з’яўляюцца тып гукарада (ангемітоніка, дыятоніка, храматыка, прамежкавыя формы), будова ўстойлівага (танічнага) цэнтра (меладычны тон, кансананс-трохгучча, сугучча-дысананс) і размяшчэнне гэтага цэнтра на пэўнай ступені гукарада (на аснове аднаго гукарада магчымы розныя лады). Ступень абагульнення рэальнага працэсу інтанавання неаднолькавая на розных узроўнях праяўлення Л. Ладаінтанацыйны ўзровень, што ўпарадкоўвае вышынныя суадносіны ў непасрэдным разгортванні музыкі ў рамках дробных пабудоў (папевак, асобных меладычных зваротаў), найб. блізкі да пачуццёвай канкрэтнасці інтанацыі. На ладафункцыянальным узроўні ладавая інтанацыйнасць рэтраспектыўна абагульняецца, гукарадны ж узровень найб. абстрактны. Эвалюцыя Л. адлюстроўвае развіццё муз. мыслення і звязана з колькасным павелічэннем аб’ёму і гукавога матэрыялу і якасным ускладненнем прынцыпаў яго арганізацыі. Пачатковыя этапы эвалюцыі прасочваюцца ў муз. фальклоры многіх народаў: вылучэнне апорных тонаў у першабытным экмелічным (без замацаванай вышыні гукаў) глісандаванні; манадыйны Л. у межах вузкааб’ёмных гукарадоў (алігатонікі); манадыйны Л. на аснове развітой гукараднай сістэмы ангемітонікі і дыятонікі. Гіст. формы Л.: апяванне цэнтр. тона (устою) блізкімі па вышыні гукамі, мадальныя (манадыйныя) Л., звязаныя з прынцыпамі мелодыі-мадэлі (модуса, папеўкі). Прафес. еўрап. музыка напачатку апіралася на традыцыі фалькл. ладаўтварэння (з характэрнай для яго ладавай пераменнасцю), аднак у сувязі з ускладненнем характару шматгалосся актыўна развіваюцца і новыя прынцыпы Л Шматгалосае раскрыццё меладычных (манадыйных) Л. змяняецца танальна-гарманічнай сістэмай (гл. Мажора-мінорная сістэма, Танальнасць) — асновай еўрап. музыкі новага часу, што апіраецца на 2 Л. — мажор і мінор. Прафес. муз. мастацтва 20 ст. вызначаецца разнастайнасцю канкрэтных форм і прынцыпаў Л., спалучэннем вядомых раней і істотна новых з’яў, у т. л. і тых (у серыйнай тэхніцы, канкрэтнай музыцы, электроннай музыцы, санорыцы), якія цяжка ці немагчыма аднесці да сферы Л.

Першае навук. абгрунтаванне Л. ў еўрап. музыцы далі прадстаўнікі піфагарэйскай школы ў Стараж. Грэцыі ў 6—4 ст. да н.э. Сваю тэорыю Л. вылучыла еўрап. сярэдневякоўе. Ладавыя заканамернасці танальна-гарманічнай сістэмы ўпершыню асэнсаваў і вытлумачыў Ж.Ф.Рамо, у рамках сістэмы якога паняцце «Л.» цесна сутыкаецца з паняццямі «гармонія» і «танальнасць». Пытанні Л. ў практыцы ўсх.-слав. партэсных спеваў абагульнены ў працах І.​Шайдуры (1-я пал. 17 ст.) і М.Дулецкага («Граматыка мусікійская»). У 19—20 ст. вял. ўвагу ладаваму боку музыкі аддавалі рус. тэарэтыкі У.​Адоеўскі, А.​Сяроў, П.​Сакальскі, Дз.​Разумоўскі, А.​Кастальскі, Б.​Яворскі, Б.​Асаф’еў, В.​Бяляеў, К.​Квітка, Ю.​Цюлін, Х.​Кушнароў, М.​Бражнікаў, М.​Успенскі, А.​Далжанскі, Л.​Мазель, Ю.​Кон, Ю.​Халопаў. На Беларусі да праблем Л. звярталіся музыказнаўцы А.​Друкт, Б.​Златавярхоўнікаў, Т.​Мдывані, Р.​Сергіенка, Н.​Юдзеніч, В.​Ялатаў і інш.

Літ.:

Елатов В.И. Ладовые основы белорусской народной музыки. Мн., 1964;

Бершадская Т. Принципы ладовой классификации // Сов. музыка. 1971. № 8;

Яе ж. Лекции по гармонии. Л., 1978;

Кон Ю.Г. Вопросы анализа современной музыки. Л., 1982.

А.​А.​Друкт.

т. 9, с. 93

ЛА́ЗЕРНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць тэхнал. прыёмаў і спосабаў апрацоўкі, змены ўласцівасцей, стану і формы матэрыялу або паўфабрыкату з дапамогай выпрамянення лазераў. Асн. аперацыі Л.т. звязаны з цеплавым дзеяннем лазернага выпрамянення (пераважна цвердацелых лазераў і газавых лазераў). Эфектыўнасць Л.т. абумоўлена высокай лакальнасцю і кароткачасовасцю ўздзеяння, вял. шчыльнасцю патоку энергіі ў зоне апрацоўкі, магчымасцю вядзення тэхнал. працэсаў у празрыстых асяроддзях (у вакууме, газе, вадкасці, цвёрдым целе). Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы і электравакуумнай тэхніцы, паліграфіі, машынабудаванні, у прам-сці буд. матэрыялаў для свідравання адтулін, рэзкі і скрайбіравання (нанясення малюнкаў на паверхню) плёнак і паўправадніковых пласцін, зваркі (гл. Лазерная зварка), загартоўкі, гравіроўкі, нарэзкі рэзістараў, рэтушы фоташаблонаў і інш.

Свідраванне адтулін звычайна робіцца імпульсным лазерам (працягласць імпульсу 0,1—1 мс) у любых матэрыялах (цвёрдых, крохкіх, тугаплаўкіх, радыеактыўных). Лазерам свідруюць алмазныя фільеры для валачэння дроту, стальныя і керамічныя фільеры для вытв-сці штучных валокнаў, рубінавыя камяні для гадзіннікаў, ферытавыя пласціны для запамінальных прыстасаванняў ЭВМ, дыяфрагмы электронна-прамянёвых прылад, керамічныя ізалятары, вырабы са звышцвёрдых сплаваў і інш. Лазерная рэзка вядзецца ў імпульсным і бесперапынным рэжыме, з падачай у зону рэзкі струменю газу (звычайна паветра або кіслароду). Выкарыстоўваецца для раздзялення дыэлектрычных і паўправадніковых падложак (таўшчынёй 0,3—1 мм), скрайбіравання паўправадніковых пласцін, рэзання крохкіх вырабаў са шкла, сіталу і пад. (метадам тэрмічнага расколвання) і інш. Фігурная апрацоўка паверхні — стварэнне мікрарэльефа на матэрыялах выпарэннем, тэрмаапрацоўкай, акісляльна-аднаўляльнымі і інш рэакцыямі, выкліканымі награваннем, тэрмастымуляванымі дыфузійнымі працэсамі. Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы, паліграфічнай прам-сці, пры апрацоўцы цвёрдых сплаваў, ювелірных камянёў і інш. У электроннай тэхніцы перспектыўныя кірункі Л.т.: паверхневы адпал паўправадніковых пласцін з мэтай узнаўлення структуры іх крышталічнай рашоткі пры іонным легіраванні, стварэнне актыўных структур на паверхні паўправаднікоў, атрыманне p-n-пераходаў метадам лакальнай дыфузіі з лазерным нагрэвам, нанясенне тонкіх метал. і дыэл. плёнак лазерным выпарэннем і інш. У фоталітаграфіі Л.т. выкарыстоўваюцца для вырабу звышмініяцюрных друкарскіх плат, інтэгральных схем, відарысаў і інш. элементаў мікраэлектроннай тэхнікі; у хім. і мікрабіял. вытв-сці — для селектыўнага стымулявання хім. і біял. актыўнасці малекул; у медыцыне — для лячэння скурных захворванняў, язваў страўніка, кішэчніка і інш. Магутныя (ад 1 кВт і вышэй) лазеры выкарыстоўваюцца для рэзкі і зваркі тоўстых стальных лістоў, паверхневай загартоўкі, наплаўлення і легіравання буйнагабарытных дэталей, ачысткі будынкаў ад паверхневых забруджванняў, рэзкі мармуру, граніту, раскрою тканіны, скуры і інш.

На Беларусі распрацоўкі па Л.т. вядуцца ў ін-тах Нац. АН (фізікі, малекулярнай і атамнай фізікі, фізіка-тэхнічным, прыкладной фізікі, фотабіялогіі і інш.), Ін-це прыкладных фіз. праблем БДУ, Гомельскім ун-це, у шэрагу галіновых НДІ.

Літ.:

Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов. М., 1985;

Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов: Пер. с англ. М., 1986;

Промышленное применение лазеров: Пер. с англ. М., 1988.

В.​В.​Валяўка, В.​К.​Паўленка.

т. 9, с. 101