МІКРАСКО́П (ад мікра... + ...скоп),

аптычная прылада для атрымання павялічанай выявы дробных аб’ектаў або дэталей іх структуры, не бачных простым вокам. Павелічэнне М. дасягае 1500—2000 (яно абмежавана дыфракцыйнымі з’явамі); раздзяляльная здольнасць 0,25 мкм (чалавечае вока не адрознівае дэталей аб’екта, размешчаных бліжэй за 0,08 мм). Большага павелічэння дасягаюць у М., дзе выкарыстоўваецца святло з меншай (<390 нм) даўжынёй хвалі ці імерсійная сістэма (мяжа раздзялення электронных мікраскопаў 0,01—0,1 нм).

М. з’яўляецца камбінацыяй 2 аптычных сістэм — аб’ектыва і акуляра, кожная з якіх складаецца з адной ці некалькіх лінзаў. М. бываюць: палярызацыйныя (для назірання аб’ектаў у палярызаваным святле), люмінесцэнтныя (для аб’ектаў, якія выпраменьваюць люмінесцэнтнае святло), інтэрферэнцыйныя і фазава-кантрастныя (выкарыстоўваюць метады, заснаваныя на інтэрферэнцыі святла), акустычныя (выяву аб’екта даюць у працэсе сканіравання яго пучком акустычных хваль сінхронна з растравай разгорткай праменя электронна-прамянёвай прылады), галаграфічныя (прызначаны для запісу інфармацыі пра дынамічныя аб’екты з выкарыстаннем лазера з паўтаральным імпульсным выпрамяненнем), тэрмахвалевыя (дзеянне заснавана на розных тэрмааптычных эфектах), інфрачырвоныя, металаграфічныя, стэрэаскапічныя, праекцыйныя, рэнтгенаўскія, тэлевізійныя і інш. Першы двухлінзавы М. пабудаваў З.​Янсен (Нідэрланды, каля 1590), больш дасканалы, падобны на сучасны, сканструяваў Р.​Гук (Вялікабрытанія, 1665). У 1673—77 А.​Левенгук (Нідэрланды) з дапамогай М. адкрыў свет мікраарганізмаў. Тэарэт. разлік складаных М. даў ням. фізік Э.​Абе ў 1872. У пач. 1930-х г. пабудаваны першы электронны М.

Літ.:

Микроскопы. Л., 1969.

У.​М.​Сацута.

Схема аптычнага мікраскопа: 1, 2 — акуляры; 3 — прызма; 4 — аб’ектыў; 5 — прадметны столік; 6 — кандэнсар; 7, 9 — дыяфрагмы; 8 — люстэрка; 10 — лінза; 11 — крыніца святла (лямпа).

т. 10, с. 361

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

РАДЫЁТЭ́ХНІКА,

навука аб метадах генерацыі, распаўсюджвання ў прасторы, прыёму і выкарыстання радыёхваль; галіна тэхнікі, якая ажыццяўляе распрацоўку, выраб і выкарыстанне радыёапаратуры. Асн. прынцып — выкарыстанне энергіі эл.-магн. поля для перадачы інфармацыі. Грунтуецца на дасягненнях фізікі, электронікі, фізікі цвёрдага цела, тэорыі ваганняў і інш., а таксама тэхналогіі вакуумных і паўправадніковых прылад, вытв-сці крыніц электрасілкавання, тэхнікі высокачастотных вымярэнняў і інш.

Даследаванні М.Фарадэя эл. і магн. палёў (1831) далі пачатак вучэнню аб распаўсюджванні эл.-магн. поля без правадоў. На іх аснове Дж.​К.​Максвел абгрунтаваў аднолькавасць прыроды светлавых і эл.-магн. хваль (1864), што пацверджана эксперыментальна Г.Герцам (1888). У 1895 А.С.Папоў прадэманстраваў сістэму перадачы — прыёму радыёсігналаў, прыдатную для практычнага выкарыстання. На пач. этапе развіцця Р. створаны прасцейшыя перадавальныя і прыёмныя радыёапараты для забеспячэння радыёсувязі. Далёкасць і якасць радыёсувязі істотна выраслі з пераходам на слыхавы прыём сігналаў і выкарыстаннем дэтэктара. Вынаходства электронных лямпаў дало магчымасць стварыць магутныя радыёперадатчыкі, высакаякасныя радыёпрыёмнікі і інш. радыёапаратуру, значна павялічыць далёкасць радыёсувязі, развіць радыётэлефанію і радыёвяшчанне, перадаваць відарыс — фотатэлеграфію і тэлебачанне. Дасягненні Р. садзейнічалі ўзнікненню новых галін навукі і тэхнікі: радыёастраноміі, радыёметэаралогіі, радыёспектраскапіі і інш. На аснове Р. і электронікі ўзнікла радыёэлектроніка. Павышэнню эфектыўнасці радыётэхн. апаратуры садзейнічала выкарыстанне паўправадніковых прылад, інтэгральных схем, малекулярных і параметрычных генератараў і ўзмацняльнікаў, квантавых генератараў і інш.

На Беларусі даследаванні па праблемах Р. вядуцца ў Ін-тах фізікі, электронікі Нац. АН, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, БДУ і інш.; працуюць радыётэхн. з-ды, якія выпускаюць радыёпрыёмнікі, тэлевізары і інш. радыётэхн. апаратуру.

Літ.:

Бытовая радиоэлектронная техника: Энцикл. справ. Мн., 1995.

А.​П.​Ткачэнка.

т. 13, с. 237

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ВЫЛІЧА́ЛЬНАЯ МАШЫ́НА «МІНСК»,

серыя універсальных лічбавых вылічальных машын агульнага прызначэння. Укаранёна ў вытв-сць Мінскім з-дам ЭВМ імя Арджанікідзе. Выкарыстоўваецца ў вылічальных цэнтрах, вылічальных сістэмах і аўтаматызаваных сістэмах рознага прызначэння.

Выпуск лямпавых машын 1-га пакалення серыі «Мінск-1» распачаты ў 1960 (папярэдняя мадэль — лямпавая выліч. машына М-3М створана ў 1959). Мадыфікацыі вылічальных машын «Мінск-11», «Мінск-12», «Мінск-14» мелі запамінальны блок большай ёмістасці, дадатковыя прылады ўводу-вываду інфармацыі. Выкарыстоўваліся пераважна для рашэння інжынерна-канструктарскіх і навук.-тэхн. задач матэм. і логікавага характару. У 1964 асвоены выпуск вылічальнай машыны «Мінск-2» 2-га пакалення (на дыскрэтных паўправадніковых элементах) з павышанай надзейнасцю, адначасовай работай вылічальніка і выхадных прыстасаванняў; мелі агрэгатную канструкцыю, магчымасць мяняць склад прылад і прыстасаванняў. У мадыфікацый вылічальных машын «Мінск-2», «Мінск-22М» прадугледжваўся ўвод-вывад інфармацыі з перфакартаў, перфастужак, магн. стужак, тэлетайпа і інш. Інфармацыйная вылічальная машына «Мінск-23» (выпуск 1965) максімальна прыстасавана для апрацоўкі розных відаў эканам. інфармацыі. У 1969 асвоены выпуск шматпраграмнай вылічальнай машыны «Мінск-32» (аднапрацэсарная выліч. сістэма), якая мела праграмную сумяшчальнасць з вылічальнай машынай «Мінск-22», ахову адной праграмы ў аператыўнай памяці ад другой, магчымасць далучэння вонкавых прыстасаванняў (у т. л. ЭВМ з утварэннем аднароднай выліч. сістэмы) і інш. У 1970-я г. пачаўся выпуск машын 3-га пакалення адзінай сістэмы электронных вылічальных машынЕС ЭВМ. У 1990-я г. распрацавана і ўкаранёна ў вытв-сць сям’я машын новага пакалення «Мінск-9000». За стварэнне сям’і вылічальных машын «Мінск» групе спецыялістаў з-да, НДІ ЭВМ і Выліч. цэнтра АН Беларусі прысуджана Дзярж. прэмія СССР 1970.

М.​П.​Савік.

Вылічальная машына «Мінск-9000» (ЕС-1230): 1 — перыферыйныя тэрміналы; 2 — стойка цэнтральнага працэсара; 3 — цэнтральны тэрмінал.

т. 4, с. 312

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ІНДЫЯ́НА (Indiana),

штат на Пн ЗША, паміж воз. Мічыган і р. Агайо. Пл. 93,4 тыс. км². Нас. 5840 тыс. чал. (1996). Адм. ц.г. Індыянапаліс, найб. гарады: Форт-Уэйн, Гэры, Эвансвіл, Саўг-Бенд, Хаманд. Рэльеф раўнінны, на Пд узгоркі выш. да 383 м. Клімат умерана вільготны. Сярэдняя т-ра студз. каля -4 °C, ліп. каля 25 °C. За год выпадае ад 890 мм (на Пд) да 1120 мм (на Пн) ападкаў.

Індустр.-агр. штат. Вядучая галіна гаспадаркі — апрацоўчая прам-сць. Развіты чорная металургія, вытв-сць трансп. абсталявання, аўтамаб. і авіяц. рухавікоў, разнастайных прамысл., электронных і эл.-тэхн. вырабаў, цэменту, нафтапрадуктаў, хімікатаў, харч. прадуктаў, у т. л. дзіцячага харчавання. Здабыча нафты і каменнага вугалю. У сельскай гаспадарцы пераважае раслінаводства (62% даходаў). Штат размешчаны ў кукурузным поясе, с.-г. ўгоддзі займаюць больш за 75% тэрыторыі. Вырошчваюць кукурузу, сою, пшаніцу, сеяныя травы, агародніну, тытунь. Цяплічныя гаспадаркі.

Садоўніцтва. Мясная жывёлагадоўля. Пагалоўе (млн. галоў, 1996): буйн. раг. жывёлы — 1,15, свіней — 3,75, курэй — 26,2, індыкоў — 14. Густая сетка аўтадарог і чыгунак. Суднаходства па воз. Мічыган і р. Агайо.

Тэр. І. здаўна насялялі індзейцы. У 1670-я г. адкрыта еўрапейцамі (першым лічыцца француз Р. Ла Саль). З канца 17 — пач. 18 ст. каланізавана французамі (ч. Новай Францыі). Паводле Парыжскага мірнага дагавора 1763 пад уладай Вялікабрытаніі. Пасля вайны за незалежнасць у Паўн. Амерыцы 1775—83 адышла да ЗША і стала часткай іх паўн.-зах. тэрыторый (1787). З 1809 прыблізна ў сучасных межах У ходзе засялення еўрапейцамі мясц. індзейцы, якія супраціўляліся каланізацыі (апошняе буйное паўстанне адбылося ў час англа-амер. вайны 1812—14), знішчаны або выцеснены са сваіх зямель. З 1816 штат ЗША.

т. 7, с. 255

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

КРА́ТНАЯ СУ́ВЯЗЬ,

хімічная сувязь, якая, у адрозненне ад простай хім. сувязі, утворана больш чым адной парай электронаў. Паводле ліку электронных пар, што ўдзельнічаюць ва ўтварэнні К.с., адрозніваюць падвойную, патройную і чацвярную сувязі.

Паводле ўласцівасцей сіметрыі малекулярных арбіталей К.с. падзяляюць на σ-, π- і δ-сувязі. Арбіталі σ-сувязей маюць цыліндрычную сіметрыю адносна лініі сувязі, арбіталі π-сувязей антысіметрычныя адносна плоскасці, якая праходзіць праз сувязь. Простая хімічная сувязь утвараецца толькі σ-малекулярнымі арбіталямі, а π-сувязь — паміж атамамі ўжо злучанымі σ-сувяззю. Падвойная сувязь складаецца з адной σ- і адной π-сувязей (напр., у малекуле этылену H2C=CH2). Патройная сувязь паміж 2 атамамі з’яўляецца камбінацыяй адной σ- і дзвюх π-сувязей (напр., у малекуле ацэтылену HC=CH). Чацвярная сувязь, характэрная толькі для пераходных металаў, уключае арбіталі патройнай сувязі і арбіталі δ-сувязі. Найб. трываласцю вызначаюцца σ-сувязі. Энергія π-сувязі складае прыкладна 80% энергіі σ-сувязі, а ўклад δ-сувязі, напр., у комплексным октахлорадырэнат-аніёне [Re2CL8]​2-, ацэньваецца прыблізна ў 14% ад поўнай энергіі сувязі. Пры наяўнасці ў малекуле 2 і большага ліку К.с. яны ўтвараюць сістэмы з кумуляванымі (2 падвойныя сувязі мяжуюць з адным атамам, напр., у алене H2C=C=CH2), спалучанымі [падвойныя ці (і) патройныя сувязі падзелены адной простай, напр., у акрыланігрыле H2C=CH—C≡N] і ізаляванымі сувязямі (К.с. падзелены 2 і больш простымі сувязямі, гл. Дыенавыя вуглевадароды). У спалучаных сістэмах парадак К.с. (мера кратнасці, заселенасці сувязі электронамі) — велічыня дробная.

Літ.:

Гиллеспи Р. Геометрия молекул: Пер. с англ. М., 1975;

Коттон Ф.А., Уолтон Р.У. Кратные связи металл—металл: Пер. с англ. М., 1985.

Я.​Г.​Міляшкевіч.

Да арт. Кратная сувязь. Схема ўтварэння сувязей; а) простай σ-сувязі C−C у малекуле C2H6 этану; б) падвойнай сувязі C=C у малекуле C2H4 этылену; в) патройнай сувязі C≡C у малекуле C2H2 ацэтылену.

т. 8, с. 465

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

МАДЭЛІ́РАВАННЕ ў навуцы і тэхніцы,

1) даследаванне складаных фіз. працэсаў, з’яў, аб’ектаў шляхам пабудовы і вывучэння іх мадэлей. Грунтуецца на падобнасці тэорыі і размернасцей аналізе.

Мадэль аб’екта, геаметрычна падобная да арыгінала, мае паменшаны або павялічаны памер, а мадэль працэсу (з’явы) можа адрознівацца ад рэальнага працэсу колькаснымі фіз. характарыстыкамі (магутнасцю, энергіяй, ціскам, шчыльнасцю асяроддзя, амплітудай ваганняў, сілай узаемадзеяння, скорасцю і інш.). Падобнымі наз. з’явы, у якіх усе працэсы (поўная падобнасць) ці найб. важныя пры пэўным даследаванні (лакальная падобнасць) адрозніваюцца ад параметраў другой з’явы ў пэўную колькасць разоў. Найб. пашырана М. гідрааэрамех з’яў, мех. уласцівасцей канструкцый і збудаванняў, цеплавых і аэрадынамічных працэсаў, натурных умоў функцыянавання складаных тэхн. сістэм. М. шырока карыстаюцца ў буд. справе, гідраўліцы і гідратэхніцы, авіяцыі, ракетнай і касм. тэхніцы, у судна-, прылада- і машынабудаванні, нафта- і газаздабычы, цепла- і электратэхніцы (напр., М. электраэнергет. сістэм), навук. даследаваннях (фіз. эксперыментах) і інш. З паяўленнем ЭВМ пашырылася т.зв. аналагавае М. з выкарыстаннем спецыяльна сканструяваных для гэтага аналагавых вылічальных машын, якія мадэліруюць суадносіны паміж бесперапынна зменнымі велічынямі (машыннымі пераменнымі) — аналагамі адпаведных зыходных пераменных. Вядучае месца сярод інш. метадаў даследаванняў належыць матэматычнаму мадэліраванню з дапамогай лічбавых электронных вылічальных машын, пры якім даследаванне рэальных з’яў зводзіцца да рашэння адпаведных матэм. задач. Увядзенне ў практыку ЭВМ і машыннае, або кібернетычнае, М. (жывых сістэм, інж сетак, працэсаў распазнавання, сістэмы «чалавек—машына» і інш.) дазваляе вывучаць складаныя сістэмы і з’явы без пабудовы іх фіз. мадэлей.

2) Выраб мадэлей новых прамысл. вырабаў, якія плануецца выпускаць, для адпрацоўкі іх аптымальнай канструкцыі і формы; адзін з асн. метадаў мастацкага канструявання.

3) Выраб мадэлей самалётаў, суднаў і інш. у спартыўных (гл. Мадэлізм спартыўны), доследных і навуч. мэтах (дэманстрацыйнае М.).

Літ.:

Чавчанидзе В.В., Гельман О.Я. Моделирование в науке и технике. М., 1966;

Полисар Г.Л. Моделирование. М., 1963;

Новик И.Б. О моделировании сложных систем. М., 1965;

Седов Л.И. Методы подобия и размерности в механике. 10 изд. М., 1987.

У.​М.​Сацута.

т. 9, с. 494

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

МЕТА́ЛЫ (лац. metallum ад грэч. metallon шахта, руднік),

простыя рэчывы, якія ў звычайных умовах маюць характэрныя, метал., уласцівасці — высокую эл. праводнасць і цеплаправоднасць, адмоўны тэмпературны каэф. эл. праводнасці, здольнасць добра адбіваць эл.-магн. хвалі (бляск, непразрыстасць), пластычнасць. У цвёрдым стане М. — крышт. рэчывы з металічнай сувяззю. У тэхніцы да М. адносяць таксама сплавы на іх аснове (гл. Металазнаўства).

Да М. адносяць 86 са 109 элементаў перыяд. сістэмы. Паводле становішча ў перыяд. сістэме адрозніваюць М. галоўных (a) і пабочных (b) падгруп, ці непераходныя і пераходныя. У непераходных М. адбываецца запаўненне знешніх s- і p-электронных абалонак (напр., шчолачныя металы), у пераходных — запаўненне размешчаных бліжэй да ядра d- і f-абалонак (гл. Пераходныя элементы). Паводле тэхн. класіфікацыі адрозніваюць чорныя (жалеза і яго сплавы) і каляровыя М., якія ўмоўна падзяляюць на некалькі груп: лёгкія металы, цяжкія (свінец, цынк і інш.), тугаплаўкія металы, высакародныя металы, рэдказямельныя М. (гл. Рэдказямельныя элементы), радыеактыўныя М. (гл. Радыеактыўныя элементы) і інш. Хім. ўласцівасці М. абумоўлены электроннай будовай атамаў, якія лёгка аддаюць знешнія (валентныя) электроны, таму ў хім. рэакцыях яны звычайна з’яўляюцца аднаўляльнікамі. М. ўтвараюць асн. аксіды і гідраксіды, многія замяшчаюць вадарод у к-тах. У прыродзе ў свабодным стане трапляюцца рэдка, звычайна ў выглядзе злучэнняў (аксідаў, сульфідаў і інш.). Здабычай М. з руд займаецца металургія. Ступень выкарыстання М. абумоўлена практычнай каштоўнасцю яго ўласцівасцей, а таксама прыроднымі запасамі (распаўсюджанасцю ў зямной кары) і цяжкасцямі атрымання. Здольнасць М. да ўзаемнага растварэння з утварэннем пры крышталізацыі цвёрдых раствораў і інтэрметалідаў (гл. Металіды) дазваляе атрымліваць мноства сплаваў з разнастайным спалучэннем уласцівасцей. У тэхніцы М. выкарыстоўваюць выключна ў выглядзе сплаваў як найважнейшыя канстр. матэрыялы.

Літ.:

Венецкий С.И. Рассказы о металлах. 4 изд. М., 1985;

Гелин Ф.Д., Чаус А.С. Металлические материалы. Мн., 1999.

Г.​Г.​Паніч.

т. 10, с. 307

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ОПТАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна электронікі, якая вывучае і выкарыстоўвае ўласцівасці ўзаемадзеяння эл.-магн. хваль аптычнага дыяпазону з электронамі ў цвёрдых, вадкіх і газападобных рэчывах для генерацыі, перадачы, захоўвання, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі. Як самастойная галіна навукі і тэхнікі пачала фарміравацца ў 1960-я г. Грунтуецца на дасягненнях фіз. оптыкі, малекулярнай фізікі, фізікі і тэхнікі паўправаднікоў, лазераў, схематэхнікі і інш.

Умоўна падзяляецца на фатоніку (даследуе метады стварэння прылад захоўвання, перадачы, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі, выяўленай у выглядзе аптычных сігналаў), радыёоптыку (дастасоўвае прынцыпы і метады радыёфізікі да оптыкі) і аптроніку (даследуе метады стварэння аптронных схем — электронных прылад з унутр. аптычнымі сувязямі). Оптаэлектронныя прылады адрозніваюцца неўспрымальнасцю аптычных каналаў сувязі да ўздзеянняў эл. магн. палёў, поўнай гальванічнай развязкай у прыладах з унутр. аптычнымі сувязямі, падвойнай (прасторавай і часавай) мадуляцыяй святла, што дазваляе апрацоўваць вял. масівы інфармацыі. Перавагі оптаэлектронных прылад (у параўнанні з вакуумнымі і паўправадніковымі) грунтуюцца на эл. нейтральнасці квантаў аптычнага выпрамянення (фатонаў), высокай частаце аптычных ваганняў, малой разбежнасці светлавых прамянёў і магчымасці іх дастаткова вострай факусіроўкі.

На Беларусі даследаванні па праблемах О. вядуцца з пач. 1970-х г. у ін-тах фізікі, электронікі, малекулярнай і атамнай фізікі, прыкладной оптыкі, фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, фіз.-тэхн. Нац. АН, БДУ, БПА, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш. Развіты метады і створаны прыстасаванні для захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі на эл.-аптычных, фотахромных, фотатэрмапластычных і оптавалаконных структурах; развіта тэорыя аптычных хваляводаў і створаны прылады інтэгральнай оптыкі; распрацаваны дыфракцыйныя прыстасаванні з эл. кіраваннем; тэхналогія знакасінтэзавальных індыкатараў на вадкіх крышталях; метады і сістэмы для атрымання відарысаў, аптычнай памяці з выкарыстаннем бістабільнасці паўправадніковых структур, многаканальнай перадачы інфармацыі і інш.

Літ.:

Осинский В.И. Интегральная оптоэлектроника. Мн., 1977;

Интегральная оптоэлектроника: Элементы, устройства, технология. М., 1990.

Л.​І.​Гурскі.

т. 11, с. 441

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ІНСТЫТУ́Т ЭЛЕКТРО́НІКІ Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1973 на базе Лабараторыі электронікі АН Беларусі (існавала з 1961). У ін-це (1998) 10 лабараторый, аспірантура, савет па абароне канд. і доктарскіх дысертацый.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: фіз. асновы оптаэлектронікі і аптычныя метады апрацоўкі інфармацыі; фіз. асновы мікраэлектронікі, у межах якіх распрацоўкі накіраваны на стварэнне элементнай базы для звышхуткадзейных і высокапрадукцыйных сістэм атрымання, захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі; оптаэлектронных элементаў і прылад для аптычнай (у т. л. лазерна-галаграфічных сістэм) апрацоўкі інфармацыі, валаконна-аптычных ліній сувязі, вымяральнай тэхнікі і фотааўтаматыкі; оптыка-электронных, магн.-эл. і інш. пераўтваральнікаў для сістэм кантролю і вымярэння; вакуумных мікраэлектронных прылад для экстрэмальных умоў эксплуатацыі, прылад мікрамеханікі і мікрасенсорыкі; матэрыялаў для мікраэлектронікі і нанатэхналогій. Вынікі навук. даследаванняў: распрацаваны новыя матэрыялы для мікраэлектронікі; метады і сродкі прасторавай і прасторава-часавай мадуляцыі светлавых патокаў, якія забяспечваюць эфектыўнае пераўтварэнне двух- і аднамерных аптычных сігналаў; распрацаваны і створаны фотапрыёмнікі і фотапрыёмныя структуры для валаконна-аптычных ліній сувязі, сістэм аўтафакусіроўкі, рэгістрацыі звышслабых свячэнняў; высокаадчувальныя фотарэзістары і на іх аснове створаны оптаэлектронныя пераўтваральнікі для нанавальтметраў і мультыметраў; створаны спецыялізаваныя высокакагерэнтныя цвердацелыя лазеры для патрэб аптычнай лакацыі, галаграфіі і неразбуральнага кантролю вібратрываласных характарыстык вырабаў машынабудавання метадамі галаграфічнай інтэрфераметрыі, алюма-аксідная тэхналогія стварэння вакуумнай мікраэлектронікі, мікрамеханікі і нанаэлектронікі, вакуумныя інтэгральныя схемы для экстрэмальных умоў эксплуатацыі пры высокіх узроўнях т-р і радыяцыі; выпрацаваны прынцыпы пабудовы высокаадчувальных вымяральнікаў кампанентаў вектара індукцыі магн. поля Зямлі; створана апаратура арыентацыі галаўных частак метэаракет, вымярэння траекторый ствалоў свідравін у працэсе бурэння, спектрафотаметрычная апаратура, якая ўстанаўліваецца на ШСЗ для даследаванняў азонасферы Зямлі, шэраг высокапрадукцыйных сістэм аўтаматызаванага высокадакладнага вымярэння і кантролю памераў вырабаў электроннай тэхнікі, валаконнай оптыкі, а таксама субмікронных часцінак у тэхнал. асяроддзях; устаноўлены заканамернасці структурных і фазавых пераўтварэнняў у тонкіх паўправадніковых і метал. плёнках, сістэмах метал-паўправаднік пры імпульсным лазерным уздзеянні. Распрацоўкі ін-та адзначаны Дзярж. прэміяй СССР (1985), Дзярж. прэміямі Беларусі (1982, 1996), ЛКСМБ (1974). У Ін-це працаваў чл.-кар. АН СССР В.М.Аўдзееў; працуюць акад. Нац. АН Беларусі У.А.Піліповіч і чл.-кар. А.А.Кавалёў.

Я.​К.​Чаховіч.

т. 7, с. 275

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ААМЫ́НЬ (партуг. Макао),

тэрыторыя ва Усх. Азіі, на ўзбярэжжы Паўд.-Кітайскага м., у дэльце р. Сіцзян. Належыць Партугаліі. Уключае п-аў Аамынь і а-вы Тайпа і Калаане. Пл. 16 км². Адм. ц.г. Аамынь. Нас. 497 тыс. чал. (1991); кітайцы (больш за 95%), партугальцы і інш. Афіц. мова партугальская. Вернікі пераважна католікі. Большая частка насельніцтва жыве ў г. Аамынь. Рэльеф узгорысты. Клімат мусонны; ападкаў 1800 мм за год, бываюць тайфуны.

Тэр. Аамыня са стараж. часоў належала Кітаю, мела розныя назвы. Тут знаходзіўся палац кіт. імператрыцы — Магэ (Палата Матухны, адсюль назва Макао). У 14—17 ст. Аамынь — гандл. гавань у пав. Сяншань (цяпер Чжуншань), прав. Гуандун. У 1553 у Аамыні з’явіліся партугальцы, з 1555 яны арандавалі Аамынь, у 1557 стварылі адміністрацыю пры захаванні суверэнных правоў Кітая. У 1849 партуг. ўрад абвясціў Аамынь незалежным ад Кітая. Паводле навязанага Кітаю ў 1887 Дагавора аб дружбе і гандлі Партугалія атрымала права на «вечнае кіраванне» Аамынем. У 1940 захоплены Японіяй. Пасля паражэння Японіі ў 2-й сусв. вайне — пад кантролем Партугаліі, якая ў 1951 абвясціла Аамынь сваёй «заморскай правінцыяй» на чале з губернатарам. Урад КНР неаднаразова заяўляў, што Аамынь — тэр. Кітая, і настойваў на вяртанні яго праз мірныя перагаворы. У 1987 прынята сумесная кіт.-партуг. заява, якой прадугледжана з 20.12.1999 аднаўленне суверэнных правоў КНР на Аамынь, а таксама дазволена стварыць асобны адм. раён у адпаведнасці з абвешчаным Пекінам прынцыпам «адна дзяржава — два лады». Паліт. партыі: Дэмакратычны цэнтр Аамыня, Асацыяцыя абароны Аамыня.

Аснова эканомікі — турызм і галіны, якія яго абслугоўваюць. Развіта вытв-сць тэкст., электронных вырабаў, феерверкаў, вырабаў са скуры, він, камфары. Аамынь — буйны пасрэдніцкі цэнтр міжнар. гандл. і валютна-фін. аперацый. Пад с.-г. ўгоддзямі каля 2% тэрыторыі. Вырошчваюць агародніну, развіты птушкагадоўля і рыбалоўства. Асн. гандл. партнёры — Кітай, Сянган, ЗША і Канада. Экспартуе адзенне, тэкстыль, шоўк, прадукцыю саматужных промыслаў, тытунёвыя вырабы, чай, рыбу. Вял. ролю адыгрывае рээкспарт тавараў з Кітая. Імпартуе сыравіну, харч. прадукты, пітную ваду. Аамынь вядомы як перавалачны пункт кантрабанднага гандлю золатам і опіумам. Ігральны бізнес. Марскі курорт. Паромная сувязь Аамыня — Сянган. Штогод Аамынь наведваюць 5 млн. турыстаў. Грашовая адзінка — патака.

Ю.​В.​Ляшковіч, У.​С.​Кошалеў.

т. 1, с. 8

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)