Verbum

ВЯЛІ́КАЯ ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА,

інтэгральная схема з вялікай колькасцю схемных элементаў (высокай ступені інтэграцыі); асн. элементная база ЭВМ і радыёэлектронных сродкаў. Аналагавыя вялікія інтэгральныя схемы маюць да 800, лічбавыя — да некалькіх дзесяткаў тысяч элементаў. Звышвялікая інтэгральная схема мае на парадак большую ступень інтэграцыі. Вялікія інтэгральныя схемы забяспечваюць надзейнасць радыёэлектроннай тэхнікі, яе малыя габарыты і масу, нізкую спажываную магутнасць.

Асаблівасць вялікіх інтэгральных схем — малыя памеры яе элементаў і міжэлементных злучэнняў (да 1,2 мкм пры выкарыстанні фоталітаграфіі і менш за 1 мкм пры рэнтгенаўскай і электроннай літаграфіі); скарачэнне колькасці знешніх вывадаў для забеспячэння хуткадзеяння, напр. у аднакрышталёвых ЭВМ. Адрозніваюць вялікія інтэгральныя схемы цвердацельныя (маналітныя; бываюць на аснове структур метал-дыэлектрык-паўправаднік і біпалярных структур) і гібрыдныя (дыскрэтныя бяскорпусныя паўправадніковыя прыборы і інтэгральныя схемы размешчаны на плёначнай падложцы; маюць больш шырокі частотны дыяпазон у параўнанні з маналітнымі; недахопы — меншая шчыльнасць упакоўкі элементаў, меншая надзейнасць). Праектаванне і тэхнал. рэалізацыя вялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца пры дапамозе ЭВМ.

Вялікія інтэгральныя схемы выкарыстоўваюцца як запамінальныя прыстасаванні, аналага-лічбавыя і лічбавыя пераўтваральнікі, узмацняльнікі, у мікрапрацэсарных камплектах і інш. На Беларусі навук. распрацоўкі і вытворчасць вялікіх інтэгральных схем і звышвялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца ў навук.-вытв. аб’яднаннях «Інтэграл», «Карал», канцэрне «Планар», Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, Мінскім н.-д. прыладабудаўнічым ін-це, НДІ радыёматэрыялаў і інш.

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. Кн. 1—2. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

В.​У.​Баранаў, А.​П.​Дастанка.

т. 4, с. 380

МЕЗО́ННАЯ ХІ́МІЯ,

раздзел хіміі, які вывучае атамныя сістэмы, дзе ядро атама заменена інш. дадатнай часціцай (напр., μ​⁺-мюонам, пазітронам) або электрон заменены інш. адмоўнай часціцай (напр., μ​⁻ мюонам, π​⁻- ці K​⁻-мезонам). Узнікла ў 1960-я г. ў сувязі з даследаваннямі хім. рэакцый, якія адбываюцца пры ўзаемадзеянні мюонаў з рэчывам. З дапамогай М.х. атрымліваюць даныя аб размеркаванні электроннай шчыльнасці, крышталічнай і магн. структуры рэчыва, механізме і скорасці хім. рэакцый.

Асн. кірункі даследаванняў у М.х.: π​⁻- і μ​⁻ М.х., вывучэнне паводзін μ​⁺-мюона ў рэчыве і рэакцый мюонія. У π​⁻- М.х. асн. з’яўляецца рэакцыя перазарадкі π​⁻-мезона на пратонах π​⁻ + p → n + π​⁰, імавернасць якой залежыць ад зараду ядра атама, з якім злучаны вадарод, тыпу сувязі паміж атамамі вадароду і інш., што дае магчымасць адрозніць хімічна звязаны вадарод ад свабоднага вадароду. У аснове μ​⁻- М.х. ляжыць вымярэнне энергій і інтэнсіўнасцей асобных ліній у рэнтгенаўскіх спектрах мезаатамаў. Асаблівасці рэнтгенаўскага выпрамянення μ​⁻-атамаў дазваляюць вызначыць элементны састаў узору, а таксама від хім. злучэння гэтых элементаў. μ​⁺-мюон і мюоній па сутнасці з’яўляюцца мечанымі атамамі, за рухам якіх можна сачыць ад моманту нараджэння да моманту распаду. Напр., лакальныя магн. палі ў крышталях узаемадзейнічаюць са спінам мюона і змяняюць карціну яго прэцэсіі, што дазваляе вывучаць характарыстыкі ўнутраных магн. палёў. На аснове вывучэння рэакцый мюонію робяць высновы аб рэакцыях атамарнага вадароду.

Літ.:

Кириллов-Угрюмов В.Г., Никитин Ю.П., Сергеев Ф.М. Атомы и мезоны. М., 1980;

Евсеев В.С., Мамедов Т.Н., Роганов В.С. Отрицательные мюоны в веществе. М., 1985.

т. 10, с. 259

МЕТАЛАО́ПТЫКА,

раздзел фізікі, у якім вывучаецца ўзаемадзеянне металаў з эл.-магн. хвалямі аптычнага дыяпазону. Аптычныя характарыстыкі металаў выкарыстоўваюцца ў вытв-сці метал. люстэркаў, святлодзялільных паверхняў, дыфракцыйных рашотак і інш.; метадамі М. выяўляюцца вокісныя плёнкі на паверхні металаў, вызначаюцца іх аптычныя ўласцівасці і інш.

Узаемадзеянне эл.-магн. хвалі з металам звязана з наяўнасцю ў ім электронаў праводнасці і валентных электронаў. Аптычныя ўласцівасці металаў апісваюцца камплексным паказчыкам пераламлення, які ўстанаўлівае сувязь паміж падаючай і пераломленай хвалямі праз каэфіцыент паглынання і характарызуе затуханне хвалі ўнутры металу. Значэнні каэфіцыентаў адбіцця і паглынання залежаць ад электроннай будовы металу і даўжыні падаючай хвалі. Вял. каэфіцыент адбіцця (напр., у серабра да 99%) у шырокім дыяпазоне частот абумоўлены вял. канцэнтрацыяй электронаў праводнасці. Токі праводнасці экраніруюць знешняе эл.-магн. поле і вядуць да затухання хвалі ўнутры металу (хваля затухае ў слоі металу таўшчынёй да 1 мкм). Электроны праводнасці могуць паглынаць надзвычай малыя кванты энергіі, што істотна ў радыёчастотнай і інфрачырвонай абласцях спектра. Валентныя электроны ўдзельнічаюць ва ўнутр. фотаэфекце, што вядзе да ўтварэння палос паглынання, якія назіраюцца ў бачнай і бліжэйшай ультрафіялетавай абласцях спектра. З павелічэннем частаты каэфіцыент паглынання металаў змяншаецца і, напр., у рэнтгенаўскай вобласці, дзе аптычныя ўласцівасці металаў вызначаюцца электронамі ўнутр. абалонак атамаў, металы амаль не адрозніваюцца па аптычных уласцівасцях ад дыэлектрыкаў.

Літ.:

Соколов А.В. Оптические свойства металлов. М., 1961;

Металлооптика и сверхпроводимость. М., 1988;

Степанов Б.И. Введение в современную оптику. Мн., 1989.

В.​Л.​Рззнікаў.

т. 10, с. 304

ГАЛЬВАНАТЭ́ХНІКА (ад гальвана... + тэхніка),

галіна прыкладной электрахіміі, якая займаецца працэсамі электралітычнага асаджэння металаў на паверхні вырабаў. Уключае гальванастэгію, гальванапластыку і розныя спосабы электрахім. апрацоўкі металаў (аксідаванне, анадзіраванне, электралітычнае паліраванне і інш.). Асновы закладзены Б.С.Якобі, які ў 1838 адкрыў гальванапластыку і распрацаваў спосабы яе выкарыстання. Выкарыстоўваецца ў аўтамабілебудаванні, авіяц., радыётэхн. і электроннай прам-сці, у паліграфіі і інш.

Тэхнал. працэсы гальванатэхнікі заснаваны на з’яве электролізу. Асн. кампанент электраліту — солі металу, які ідзе на пакрыццё. У растворы яны распадаюцца на дадатна зараджаныя іоны металу (катыёны) і адмоўна зараджаныя групы (аніёны). Іоны металу асаджаюцца на адмоўным полюсе (катодзе), якім з’яўляюцца самі вырабы ці іх матрыцы. Аноды — пласціны або пруткі металу, які раствараецца ў электраліце і асаджаецца. У некаторых працэсах (напр., храміраванне, залачэнне) ужываюцца нерастваральныя аноды, а солі асноўнага металу дадаюцца звонку. Гальванатэхн. працэсы выконваюцца ў гальванічных ваннах (стацыянарных, паўаўтаматычных, ваннах-агрэгатах). Стацыянарныя ванны маюць прылады для вымярэння т-ры і прыстасаванні для перамешвання электраліту. Неметал. вырабы і матрыцы (з гіпсу, воску, пластмасы і інш.) для электраправоднасці пакрываюць графітам або тонкім слоем хімічна асаджанага металу; металічныя апрацоўваюцца акісляльнікамі для атрымання пасіўнай плёнкі, што дапамагае аддзяліць копію ад матрыцы. На з’яве нераўнамернага растварэння металу пры аноднай палярызацыі заснавана электралітычнае паліраванне.

У.​М.​Сацута.

т. 4, с. 476

А́ТАМ (ад грэч. atomos непадзельны),

часціца рэчыва, найменшая частка хім. элемента, якая з’яўляецца носьбітам яго ўласцівасцяў. Кожнаму элементу адпавядае пэўны род атама, якія абазначаюцца сімвалам хім. элемента і існуюць у свабодным стане або ў злучэнні з інш. атамамі, у складзе малекул. Разнастайнасць хім. злучэнняў абумоўлена рознымі спалучэннямі атамаў у малекулах. Фіз. і хім. ўласцівасці свабоднага атама вызначаюцца яго будовай. Атам мае дадатна зараджанае цэнтр. атамнае ядро і адмоўна зараджаныя электроны і падпарадкоўваецца законам квантавай механікі.

Асн. характарыстыка атама, што абумоўлівае яго прыналежнасць да пэўнага элемента, — зарад ядра, роўны +Ze, дзе Z = 1, 2, 3, ... — атамны нумар элемента, e — элементарны эл. зарад. Ядро з зарадам +Ze утрымлівае вакол сябе Z электронаў з агульным зарадам -Ze. У цэлым атам электранейтральны. Пры страце электронаў ён ператвараецца ў дадатна зараджаны іон. Маса атама ў асноўным вызначаецца масай ядра і прапарцыянальная яго атамнай масе, якая прыблізна роўная масаваму ліку. Пры яго павелічэнні ад 1 (для атама вадароду, Z = 1) да 250 (для атама трансуранавых элементаў, Z>92) маса атама мяняецца ад 1,67∙10​⁻²⁷ да 4∙10​⁻²⁵ кг. Памеры ядра (парадку 10​⁻¹⁴—10​⁻¹⁵ м) вельмі малыя ў параўнанні з памерамі ўсяго атама (10​⁻¹⁰ м). Паводле квантавай тэорыі, для электронаў у атаме магчымы толькі пэўныя (дыскрэтныя) значэнні энергіі, якія для атама вадароду і вадародападобных іонаў вызначаюцца формулай ${\displaystyle {\mathrm{E}}_{\mathrm{n}}=-\mathrm{h}\mathrm{c}\mathrm{R}\frac{{\mathrm{Z}}^2}{{\mathrm{n}}^2}}$ , дзе h — Планка пастаянная, c — скорасць святла, R — Рыдберга пастаянная, n = 1, 2, 3 ... цэлы лік, які вызначае магчымае значэнне энергіі і наз. галоўным квантавым лікам. Велічыня hcR=13,60 эВ ёсць энергія іанізацыі атама вадароду, г. зн. энергія, неабходная на тое, каб перавесці электрон з асн. ўзроўню (n=1) на ўзровень n=∞, што адпавядае адрыву электрона ад ядра. Электроны ў атаме пераходзяць з аднаго ўзроўню энергіі на другі паводле квантавага закону ${\mathrm{E}}_{\mathrm{i}}-{\mathrm{E}}_{\mathrm{k}}=\mathrm{h\nu }$. Кожнаму значэнню энергіі адпавядае 2n​² розных квантавых станаў, што адрозніваюцца значэннямі трох дыскрэтных фізічных велічыняў: арбітальнага моманту імпульсу M_e, яго праекцыі M_ez на некаторы напрамак z і праекцыі (на той жа напрамак) спінавага моманту імпульсу M_sz. M_e вызначаецца азімутальным квантавым лікам 1, які прымае n значэнняў (1=0, 1, 2 ..., n-1); M_ez — арбітальным магнітным квантавым лікам m_e, які прымае 21+1 значэнняў (m₁ = 1, 1-1, ..., -1); Msz спінавым магнітным квантавым лікам ms, які мае значэнні ½ і −½ (гл. Спін, Квантавыя лікі). Агульны лік станаў з аднолькавай энергіяй (зададзена n) наз. ступенню выраджэння ці статыстычнай вагой. Для атама вадароду і вадародападобных іонаў ступень выраджэння ўзроўняў энергіі ${\mathrm{g}}_{\mathrm{n}}=2{\mathrm{n}}^2$. Зададзенаму набору квантавых лікаў n, 1, m_e адпавядае пэўнае размеркаванне электроннай шчыльнасці (імавернасці знаходжання электрона ў розных месцах атама). Паводле Паўлі прынцыпу, у атаме не можа быць двух (або больш) электронаў у аднолькавым стане, таму максімальны лік электронаў у атаме з зададзенымі n і 1 роўны 2 (21 + 1). Электроны ўтвараюць электронную абалонку атама і цалкам яе запаўняюць. На аснове ўяўлення пра паступовае запаўненне, з павелічэннем Z, усё больш аддаленых ад ядра электронных абалонак можна растлумачыць перыядычнасць хім. і фіз. уласцівасцяў элементаў. Гл. таксама Перыядычная сістэма элементаў Мендзялеева.

Літ.:

Шпольский Э.В. Атомная физика. Т. 1—2. М., 1984;

Борн М. Атомная физика. М., 1970;

Гольдин Л.Л., Новикова Г.И. Введение в квантовую физику. М., 1988;

Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т. 3. Квантовая механика;

Нерелятивистская теория. 4 изд. М., 1989.

М.​А.​Ельяшэвіч.

т. 2, с. 66

ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА, інтэгральная мікрасхема, мікрасхема,

мікрамініяцюрнае электроннае ўстройства для пераўтварэння, апрацоўкі ці захавання (назапашвання) інфармацыі, пададзенай у выглядзе эл., аптычных і інш. сігналаў. Складаецца з электрычна звязаных паміж сабой электрарадыёэлементаў (ЭРЭ), сфарміраваных у адзіным тэхнал. цыкле на аснове агульнай нясучай канструкцыі (падложкі). Актыўныя ЭРЭ І.с.: дыёды, транзістары, структуры метал—дыэлектрык—паўправаднік і інш.; пасіўныя: рэзістары, кандэнсатары электрычныя, трансфарматары, індуктыўнасці шпулі і інш. Тэорыю, метады разліку, тэхналогію вырабу І.с. вывучае і распрацоўвае мікраэлектроніка.

І.с. адрозніваюць: па спосабе аб’яднання (інтэгравання) элементаў — паўправадніковыя, ці маналітныя (асн. тып), плёначныя і гібрыдныя (у т. л. шматкрышталёвыя); па выглядзе інфармацыі, што апрацоўваюць, — лічбавыя і аналагавыя; па ступені інтэграцыі (колькасці элементаў на падложцы) — малыя, сярэднія, вялікія, звышвялікія. У маналітных І.с. элементы фарміруюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай, у асн. крэмніевай ці арсенідгаліевай, пласціны) у выніку камбінацыі працэсаў легіравання, траўлення, аксідавання, металізацыі і інш., што праводзяцца метадам фоталітаграфіі. Плёначныя І.с. змяшчаюць толькі пасіўныя элементы. Падложкамі гібрыдных І.с. служаць дыэлектрычныя пласціны, напр з керамікі, або пакрытыя дыэлектрыкам метал. пласціны, напр. на аснове алюмінію і яго аксідаў. На іх паверхні жорстка замацаваны мініяцюрныя ЭРЭ, злучаныя паміж сабой танка- ці таўстаплёначнымі праваднікамі; пасіўныя ЭРЭ могуць быць навяснымі ці плёначнымі. І.с. з’яўляюцца элементнай базай сучасных сродкаў электроннай тэхнікі. Гл. таксама Вялікая інтэгральная схема.

Літ.:

Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справ. М., 1989;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

В.​У.​Баранаў, А.​П.​Дастанка.

т. 7, с. 280

ІНСТЫТУ́Т НАДЗЕ́ЙНАСЦІ МАШЫ́Н Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1957 пад назвай Ін-т машыназнаўства і аўтаматызацыі АН БССР. У 1963—64 у сістэме Дзярж. к-та па машынабудаванні пры Дзяржплане СССР, у 1965—70 — у сістэме Мін-ва станкабудавання інстр. прам-сці СССР (наз. Эксперым. НДІ машыназнаўства), з 1971 — у сістэме Нац. АН Беларусі. У ін-це (1998) н.-д. цэнтр, 14 лабараторый, 3 аддзелы, цэнтр па сертыфікацыйных выпрабаваннях, КБ з доследнай вытв-сцю, аспірантура, савет па абароне канд. і доктарскіх дысертацый.

Асн. кірункі навук. дзейнасці: распрацоўка тэорыі прагназавання і метадаў павышэння надзейнасці і бяспечнасці вырабаў і вытв-сцей машынабудавання (станкоў, аўтамабіляў, трактароў, с.-г. машын), аптымізацыі іх структур і канструкцый, распрацоўка і ўкараненне новых тэхналогій забеспячэння надзейнасці, стварэнне метадаў і сродкаў паскораных выпрабаванняў і тэхн. дыягностыкі вырабаў машынабудавання. Ін-т разам з БПА заснаваў Бел. нац. камітэт па тэорыі машын і механізмаў і новы тэхн. камітэт надзейнасці машын і механізмаў у межах Міжнар. федэрацыі па тэорыі машын і механізмаў (правадз. член гэтай федэрацыі з 1995), а таксама навук. школы: стварэння метадаў прагназавання параметраў надзейнасці машын, механізмаў, механатронных сістэм; стварэння і даследаванняў новых эфектыўных метадаў і сродкаў вібрааховы і павышэння надзейнасці мех. сістэм; стварэння сістэм прыводаў машын, ацэньвання надзейнасці гідраўл. прыводаў і гідрааўтаматыкі, распрацоўкі методык паскораных выпрабаванняў гідрапрыводаў; фіз. асноў і сучасных метадаў умацавальных пакрыццяў і хім.-тэрмічнай апрацоўкі. Выдадзена 30 манаграфій; атрымана больш за 1100 патэнтаў і аўтарскіх пасведчанняў на новыя канстр. і тэхнал. распрацоўкі; распрацаваны камплект электроннай і рэнтгенаграфічнай апаратуры для фіз. даследаванняў і мікраструктурнага аналізу матэрыялаў, а таксама выпрабавальныя стэнды з мікрапрацэсарнымі дыягнастычнымі сістэмамі. Распрацоўкі ін-та адзначаны Дзярж. прэміяй Беларусі (1986). У Ін-це працавалі чл.-кар. АН Беларусі Н.М.Дарожкін, В.М.Трэер, І.С.Цітовіч; працуе чл.-кар. Нац. АН Беларусі А.В.Бераснеў.

А.​В.​Бераснеў, У.​Л.​Басінюк.

т. 7, с. 270

ІНСТЫТУ́Т ФІ́ЗІКА-АРГАНІ́ЧНАЙ ХІ́МІІ Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1929 (да 1959 Ін-т хіміі АН БССР). На базе аддзела біяарган. хіміі ін-та створаны Інстытут біяарганічнай хіміі Нац. АН Беларусі (1974), на базе аддзела мадэльных установак — Хіміка-тэхнал. цэнтр Нац. АН Беларусі (1993). У Ін-це (1998): 4 аддзелы, 1 лабараторыя, аспірантура.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: стварэнне новых мембран, палімерных сарбентаў і іонаабменных валокнаў, палімераў водарастваральных і тэхн. прызначэння; распрацоўка новых метадаў сінтэзу арган. і элементаарган. злучэнняў, тэхналогіі ачысткі вады і паветра, метадаў атрымання лек. прэпаратаў; даследаванне каталітычных сістэм на аснове палімерных валокнаў, свабоднарадыкальных рэакцый у кандэнсаванай фазе. Распрацаваны: антыблочная кампазіцыя для вытв-сці цэлафану; антыстатык «Тэтрамікс», штучныя глебы для раслін; радыехім. метады і прамысл. тэхналогія вырабу заменнікаў крыві (прэпараты Рандэкс, Неарандэкс і інш.); тэхналогіі атрымання лесахім. прадукцыі (політэрпены, лыжныя мазі, садовы вар, кляі, бактэрыцыдныя прэпараты, рэгулятары росту раслін) і дапаможных матэрыялаў для электроннай і радыёпрам-сці (фотарэзістары, паляроідныя плёнкі, кантрастузмацняльныя матэрыялы, матэрыял для электравізуалізацыі); каталізатары вытв-сці капралактаму, элементарнай серы і працэсу рыфромінгу; тэхналогія вытв-сці з бульбы рэагенту дэпрэсарту і вылучэння біялагічна актыўных рэчываў з воднага асяроддзя і прадуктаў мікробнага сінтэзу; метады сінтэзу бензахіналінаў, амінаў, пірыдзінаў, ртутнаарган. злучэнняў, разнастайных функцыянальна замешчаных аліфатычных і гетэрацыклічных полігалагенарган. злучэнняў, арган. пераксідаў; электрахім. спосабы атрымання π-комплексаў пераходных металаў. На аснове распрацаваных тэхналогій наладжана вытв-сць ультра- і мікрафільтрацыйных мембран і мембраннага абсталявання, хімічна актыўных тэкст. матэрыялаў і фільтрацыйнага абсталявання для ачысткі паветра прадпрыемстваў рознага профілю ад таксічных прымесей. Асвоены выпуск лек. прэпаратаў на аснове чыстых амінакіслот. У ін-це працавалі акад. АН Беларусі А.А.Ахрэм, Б.В.Ерафееў, М.С.Казлоў, К.М.Караткоў, С.М.Ліпатаў, М.І.Міцкевіч, Я.М.Павушкін, М.М.Паўлючэнка, М.А.Прыляжаеў, У.В.Шкатэлаў, М Ф.Ярмоленка, чл.-кар. Ю.А.Альдэкоп, І.І.Бардышаў, П.І.Бялькевіч; працуюць акад. Нац. АН Беларусі У.С.Салдатаў (дырэктар з 1981), чл.-кар. У.Я.Агабекаў, М.А.Майер.

Л.​В.​Гладкіх.

т. 7, с. 273

ІНФАРМА́ЦЫІ ТЭО́РЫЯ,

раздзел кібернетыкі, які вывучае працэсы захоўвання, пераўтварэння і перадачы інфармацыі. У І.т. выкарыстоўваюцца метады тэорый імавернасцей, лікаў, графаў, гульняў, матэм. статыстыкі, алгебры. Інтэнсіўнае развіццё абумоўлена патрэбамі сродкаў сувязі, электроннай выліч. і кіравальнай тэхнікі, радыёлакацыі і інш.

Узнікла ў канцы 1940-х г. на аснове прац амер. матэматыка К.​Шэнана; значны ўклад у яе абгрунтаванне зрабілі сав. вучоныя А.​М.​Калмагораў, А.​Я.​Хінчын, А.​А.​Харкевіч. Асн. частка І.т. — агульная тэорыя сувязі, якая распрацоўвае эфектыўныя метады перадачы інфармацыі па лініях сувязі, вывучае праблемы аптымальнага кадзіравання і фільтрацыі інфармацыі, выяўлення і прадказання сігналаў. І.т. зыходзіць з таго, што сігналы (паведамленні) паступаюць ад крыніцы ў выпадковай паслядоўнасці, маюць пэўную імавернасць, а таксама імавернасць таго, што паведамленні могуць скажацца ў час перадачы. У якасці меры такой неазначальнасці прымаецца сярэдняя колькасць двайковых знакаў, неабходная для запісу адвольнага паведамлення дадзенай крыніцы самым эканомным спосабам кадзіравання Гэтая мера не меншая за энтрапію мноства паведамленняў $H=\sum _{i=1}^n{p}_i{\log }_2\text{(}\frac{1}{p_i}\text{)}$ , дзе n — колькасць паведамленняў, P_i — імавернасць з’яўлення асобнага паведамлення. Колькасць інфармацыі ў паведамленні X адносна паведамлення Y вызначаецца суадносінамі I(X, Y) = H(X) + Y(Y) − H(X, Y), дзе H(X, Y) — энтрапія пары (X, Y). Скорасць V перадачы інфармацыі па канале сувязі не перавышае велічыні, вызначанай з суадносін Hv = C, дзе H — энтрапія крыніцы на сімвал, C — прапускная здольнасць дадзенага канала.

На Беларусі даследаванні па І.т. праводзяцца з 1960-х г. у Ін-це тэхн. кібернетыкі Нац. АН, БДУ, Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Шеннон К Работы по теории информации и кибернетике: Пер. с англ. М., 1963;

Дивногорцев Г.П., Караченцева Н.Я., Яшин В.М. Передача данных в сетях вычислительных центров. Мн., 1971;

Липницкий С.Ф., Ярмош Н.А. Моделирование интеллектуальных процессов в инженерных информационных системах. Мн., 1996.

М.​А.​Ярмаш.

т. 7, с. 291