«ДЗІПРАЖЫЎМА́Ш», Дзяржаўны інстытут па праектаванні прадпрыемстваў машынабудавання Міністэрства прамысловасці Рэспублікі Беларусь. Засн. ў 1971 у Гомелі як філіял Кіеўскага ін-та «Дзіпрасельмаш». З 1978 сучасная назва. Асн. кірункі дзейнасці: праектаванне новых і рэканструкцыя дзеючых прамысл. прадпрыемстваў і збудаванняў, аб’ектаў сац.-культ. прызначэння, экалагічных (ачышчальныя збудаванні, сан.-ахоўныя зоны), распрацоўка праектаў гранічна дапушчальных выкідаў.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГА́РДА (Garda),
кліматычны курорт у Італіі на ПнЗ ад г. Верона каля адгор’яў Паўд. Альпаў. У складзе зоны адпачынку і турызму вакол буйнейшага ў Італіі аднайм. возера. Мяжуе з размешчанымі ў яго наваколлі інш. шматлікімі курортамі. Мяккі міжземнаморскі клімат з рысамі горнага, выкарыстоўваецца для прафілактыкі і лячэння шырокага спектра захворванняў, пры якіх эфектыўнае кліматалячэнне.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
АЛЬПАКА́,
млекакормячае з роду ламаў, сям. вярблюдавых. Свойская жывёла высакагорнай (4200 м над узр. м.) зоныЦэнтр. Андаў Паўд. Амерыкі (мяжа Перу і Балівіі); цэнтр альпакаводства каля воз. Тытыкака. Паходжанне дакладна невядома.
Афарбоўка бурая або чорная. Галава кароткая. Корміцца расліннасцю. Нараджае 1, зрэдку 2 дзіцянят. Гадуюць дзеля каштоўнай шэрсці (1,1—1,25 кг раз у 2 гады).
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГАПАНО́ВІЧ (Дзмітрый Апанасавіч) (26.10.1896, в. Танежыцы Слуцкага р-на Мінскай вобл. — 29.11.1952),
генерал-лейтэнант (1944). Удзельнік грамадз. вайны. З 1937 у Палітупраўленні РСЧА. У Вял.Айч. вайну чл.ваен. савета Цэнтр. фронту, Кіеўскай, Уральскай, Маскоўскай ваен. акруг, Маскоўскай зоны абароны. З 1947 нам. па паліт. частцы камандуючага войскамі ваен. акругі, нач.Гал. ўпраўлення баявой і фіз. падрыхтоўкі сухапутных войск.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ДЭЛІМІТА́ЦЫЯ ГРАНІ́Ц,
вызначэнне становішча і напрамку дзярж. граніцы па дамоўленасці паміж сумежнымі дзяржавамі, зафіксаванае ў дагаворы і графічна выяўленае на картах, якія прыкладаюцца да яго. На падставе Д.г. праводзіцца дэмаркацыя граніц. Д. наз. таксама размежаванне марской тэр. сумежных дзяржаў (унутр. вод, тэр. мора, выключнай эканам.зоны, кантынент. шэльфа), якое ажыццяўляецца на падставе міждзярж. дагавора або судовага ці арбітражнага рашэння.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГО́РВАЛЬ,
бальнеакліматычны курорт у Гомельскай вобл. За 20—26 км ад гарадоў Рэчыца, Светлагорск і Жлобін, у сутоках рэк Бярэзіна і Дняпро. Плошча курортнай зоны каля 25 км², амаль ⅔ яе пад лесам. Асн.лек. фактары — хларыдна-натрыевыя мінер. воды (расолы) з высокім утрыманнем брому і ёду, спрыяльны, умерана-кантынентальны клімат. Лечаць хваробы нерв. сістэмы і інш.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ЗО́НА СПАКО́Ю,
месца ў прыродным наваколлі, дзе ў пэўныя перыяды або пастаянна захоўваюць асобы рэжым гасп. дзейнасці і рэкрэацыі. Вылучаюць З.с., каб забяспечыць спрыяльныя ўмовы для існавання жывых арганізмаў або захаваць асобныя прыродныя ўчасткі ў практычна некранутым стане. Часовыя З.с. вылучаюць у межах паляўнічых і рыбалоўных угоддзяў, зялёных зон, лесапаркаў і інш., асабліва ў месцах масавага размнажэння дзікіх жывёл. Ахоўны рэжым у іх з сярэдзіны вясны да сярэдзіны лета (т.зв. месяцы цішыні). Знаходжанне людзей, свойскай жывёлы, усе віды дзейнасці, якія могуць парушыць сезонныя рытмы жыцця дзікіх жывёл, забаронены. На тэр. запаведнікаў і нац. паркаў вылучаюцца пастаянныя зоны поўнага спакою (зоны абсалютнай запаведнасці), дзе забараняецца любое ўмяшанне чалавека ў прыродныя працэсы, усе віды гасп. дзейнасці (акрамя прысутнасці навук. супрацоўнікаў, занятых назіраннем за станам і дынамікай асяроддзя). З.с. таксама наз. тэрыторыя, на якой устаноўлены рэжым найменшага або абсалютна мінім. тэхнагеннага ўздзеяння для стварэння ўмоў адпачынку людзей ці фізіятэрапеўт. лячэння.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГЛОТАГЕНЕ́З (ад грэч. glōtta мова + ...генез),
працэс станаўлення чалавечай натуральнай гукавой мовы. Праблема глотагенезу звязана з паходжаннем мовы і вывучаецца комплексна як мовазнаўствам (пераважна параўнальна-гістарычным мовазнаўствам і гіст. тыпалогіяй), так і інш. навукамі аб чалавеку. Супастаўляючы прамовы асобных макрасем’яў, параўнальна-гістарычны метад дазваляе акрэсліць формы верагоднай зыходнай мовы Homo sapiens (сучаснага чалавека); гіст. тыпалогія дапамагае выявіць найб. верагодныя шляхі фарміравання асн. моўных катэгорый.
Здольнасць падтрымліваць зносіны развівалася ў чалавека ў адпаведнасці з развіццём пэўных зон мозга: спачатку жэставыя зносіны (правае паўшар’е), потым аднаслоўныя абазначэнні прадметаў словамі (заднія зоны левага паўшар’я) і ўтварэнне звязных сказаў (скронева-лобныя зоны левага паўшар’я). Тэорыю глотагенезу на працягу 20 ст. распрацоўвалі лінгвісты А.Трамбеці, Б.Разенкранц, антраполагі В.В.Бунак, Г.У.Хьюз, А.Ліберман, палеанеўролаг В.І.Качаткова. У 1984 засн.Міжнар.т-ва па даследаванні глотагенезу з цэнтрам у Парыжы.
Літ.:
Якушин Б.В. Гипотезы о происхождении языка. М., 1984.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ЗО́ННАЯ ТЭО́РЫЯкрышталічных цвёрдых цел,
квантавая тэорыя спектра энергій электронаў крышталя. Паводле З.т. гэты спектр складаецца з зон дазволеных і забароненых энергій. З.т. тлумачыць шэраг уласцівасцей і з’яў у крышталях, у прыватнасці, розны характар іх электраправоднасці.
Аснова З.т. — аднаэлектроннае прыбліжэнне: скорасць руху атамных ядраў каля становішчаў раўнавагі многа меншая за скорасць электронаў; кожны электрон рухаецца ў трохмерна-перыядычным полі, якое ствараецца ядрамі і астатнімі электронамі. Зона праводнасці (с) і валентная зона (v) утвораны сукупнасцю атамных энергет. узроўняў, «расшчэпленых» у выніку аб’яднання свабодных атамаў у крышт. рашотку. Узроўні энергіі валентных электронаў (е) атама расшчапляюцца і зрушваюцца значна больш, чым узроўні ўнутраных электронаў (і). Шырыня забароненай зоны Eg (энергет. шчыліна паміж v- і с-зонамі) вызначаецца раўнаважнай адлегласцю паміж ядрамі (пастаяннай крышт. рашоткі d) У крышталі з N ідэнтычных атамаў кожны атамны ўзровень расшчапляецца на N узроўняў, якія ўтвараюць квазінеперарыўную дазволеную зону або яе частку. Электроны запаўняюць дазволеныя зоны энергій у адпаведнасці з Паўлі прынцыпам: на N узроўнях зоны можа знаходзіцца не больш за 2N электронаў. Уласцівасці крышталя залежаць ад колькасці электронаў у зоне праводнасці і/ці ад колькасці незапоўненых узроўняў (вакансій для электронаў) у валентнай зоне. Калі энергет. зона запоўнена электронамі часткова, то пад уздзеяннем знешняга эл. поля яны пераразмяркоўваюцца па ўзроўнях у зоне. Пры гэтым парушаецца сіметрыя размеркавання электронаў па скорасцях — узнікае эл. ток. Таму крышталь з часткова запоўненай c-зонай з’яўляецца правадніком электрычнасці — металам. Электроны ў поўнасцю запоўненай v-зоне з-за прынцыпу Паўлі не могуць пераразмяркоўвацца па ўзроўнях энергіі; крышталь з пустой с-зонай і поўнасцю запоўненай электронамі v-зонай — дыэлектрык. Калі цеплавая энергія дастатковая для пераводу часткі электронаў з v-зоны ў c-зону, то электраправоднасць крышталя расце пры награванні; такі крышталь — паўправаднік. Пры слаба перакрытых с- і v-зонах крышталь з’яўляецца паўметалам (напр., вісмут), а пры змыканні гэтых зон (Eg=0) — бясшчылінным паўправадніком (напр., шэрае волава). З.т. — набліжэнне да рашэння фундаментальнай задачы: вывесці ўласцівасці крышталя з уласцівасцей атамаў, з якіх ён складаецца.
Літ.:
Харрисон У.А. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: Пер. с англ.Т. 1—2. М., 1983;
Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел: Пер. с англ.М., 1981.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПАЎПРАВАДНІКІ́,
рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).
П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет.зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.
На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац.АН, БДУ і інш.
Літ.:
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;
Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;
Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;
Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.