МІКАТАКСІКО́ЗЫ (ад грэч. mykēs грыб + таксікоз),

хваробы жывёл і чалавека, што выклікаюцца таксічнымі прадуктамі метабалізму мікраскапічных грыбоў — паразітаў раслін і сапрафітаў (мікатаксінамі); група атручэнняў. Вылучаюць М. кармавыя (харчовыя), або аліментарныя, калі мікатаксіны трапляюць у арганізм з ежай расліннага, радзей жывёльнага (малако, мяса, яйцы, заражаныя грыбкамі або ад жывёл з мікатаксінамі ў арганізме) паходжання, рэспіраторныя, або пнеўмамікатаксікозы, і дэрматамікатаксікозы (адпаведна праз слізістую абалонку дыхальных шляхоў і пашкоджанні скуры, напр., у людзей, якія працуюць з пашкоджанай грыбамі сыравінай). Характэрны кароткі інкубацыйны перыяд, раптоўнасць узнікнення, масавасць, адсутнасць заразнасці і імунітэту, затуханне пры змене кармоў. Праяўляюцца інтаксікацыяй з пашкоджаннем розных органаў і сістэм (у адрозненне ад мікозаў, грыбы ў іх не паразітуюць). Пашыраны ўсюды. На Беларусі адзначаюцца пераважна ў коней, свіней, авечак, птушак.

Найб. пашыраны аліментарныя М. — фузарыятаксікозы. Дэндрадохіятаксікоз (часцей у коней) характарызуецца маланкавым цячэннем з пашкоджаннем сардэчна-сасудзістай сістэмы, унутр. органаў, некрозамі на скуры, слізістых абалонках і летальным вынікам. Пры мукаратаксікозе (у свіней, птушак) часам павышаецца т-ра цела, пашкоджваюцца страўнікава-кішачны тракт і печань. Акрамя гэтых органаў пры міратэцыятаксікозе (у авечак) і пеніцылатаксікозах (часцей у свіней) найб. пашкоджваюцца ныркі і сэрца, пры рызопусатаксікозе (часцей у свіней) — лёгкія, пры аспергіла — (часцей у свіней, птушак), клавіцэпспасполітаксікозе (часцей у коней, авечак. буйн. раг. жывёлы) і эргатызме (таксама ў чалавека) — ц. н. с. Эргатызм, або агонь святога Антонія, працякае ў вострай (канвульсіўнай) ці хранічнай (гангрэнознай) форме. Гл. таксама Афлатаксіны, Стахібатрыятаксікоз.

т. 10, с. 352

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПЕЦЯРБУ́РГСКАЯ АКАДЭ́МІЯ МАСТА́ЦТВАЎ, Акадэмія мастацтваў у Пецярбургу,

вышэйшая ўстанова ў галіне пластычных мастацтваў і архітэктуры ў 1757—1918. Засн. паводле праекта І.​І.​Шувалава (першы гал. дырэктар да 1763) як «Акадэмія трох найзнатнейшых мастацтваў» (жывапіс, дойлідства і скульптура). З 1764 Імператарская АМ. Была цэнтрам прафес. маст. адукацыі, навукова-творчым цэнтрам Расіі, рэгламентавала маст. жыццё. У сярэдзіне 19 ст. стала апорай кансерватызму, што абумовіла выхад з акадэміі шэрагу прагрэс. мастакоў (т. зв. бунт чатырнаццаці, гл. Пецярбургская арцель мастакоў, Перасоўнікі). У 1893 у П.А.м. праведзена рэформа, у склад яе прафесараў увайшлі буйнейшыя мастакі-рэалісты А.​Куінджы, У.​Макоўскі, І.​Рэпін, І.​Шышкін і інш. Прэзідэнты акадэміі: І.​І.​Бецкі (1764—94), А.​І.​Мусін-Пушкін (1795—97), Г.​А.​Шуазёль-Гуф’е (1797—1800), А.​С.​Строганаў (1800—11), А.​Аленін (1817—43), М.​Лейхтэнбергскі (1843—52), вял. кн. Марыя Мікалаеўна (1852—76), вял. кн. Уладзімір Аляксандравіч (1876—1909), вял. кн. Марыя Паўлаўна (1909—17). Пасля скасавання заменена інш. навуч. ўстановамі.

У розны час у акадэміі вучыліся бел. мастакі Л.​Альпяровіч, І.​Аскназій, С.​Богуш-Сестранцэвіч, В.​Ваньковіч, Г.​Вейсенгоф, В.​Волкаў, А. і І. Гараўскія, Т.​Гарэцкі, Ф.​Дмахоўскі, С.​Заранка, А.​Каменскі, К.​Карсалін, Я.​Кругер, К.​Кукевіч, Я.​Манюшка, Э.​Паўловіч, Л.​Пігулеўскі, Ю.​Пэн, Б.​Русецкі, Ф.​Рушчыц, К.​Стаброўскі, браты І., Я. і А. Хруцкія і інш. Членам Імператарскай АМ быў І.​Аляшкевіч.

т. 12, с. 341

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПІ́НСКАЯ ПРАВАСЛА́ЎНАЯ ЕПА́РХІЯ,

адм.-тэр. адзінка праваслаўнай царквы на Беларусі. З канца 10 — пач. 11 ст. тэр. епархіі ўваходзіла ў склад Тураўскай праваслаўнай епархіі ў падпарадкаванні Кіеўскай мітраполіі. У 1241 кафедра перанесена ў Пінск, што лічыцца пачаткам дзейнасці П.п.е. У 14 ст. епархія тройчы знаходзілася ў юрысдыкцыі Галіцкай мітраполіі, пасля яе скасавання — зноў у Кіеўскай. У 1595—1795 пінскай кафедрай валодалі уніяты, аднак у 1620—32 П.п.е. адраджалася і існавала адначасова з уніяцкай. У 1795—1839 уніяцкія прыходы епархіі аб’ядналіся з правасл. царквой і іх тэр. была ўключана ў склад Мінскай праваслаўнай епархіі. У 1920 епархія адноўлена, у 1922—39 знаходзілася ў складзе Польскай аўтакефальнай правасл. царквы. У 1941 на пінскую кафедру быў прызначаны епіскап Маскоўскага патрыярхату, аднак з-за ваен. дзеянняў ён не змог кіраваць епархіяй. У 1942—44 епархія знаходзілася ў падпарадкаванні Украінскай аўтакефальнай праваслаўнай царквы; у 1944 вернута ў юрысдыкцыю Маскоўскага патрыярхату. У 1839—40 і 1980—90 тытул «епіскап пінскі» насілі вікарыі Мінскай епархіі. У 1990 дзейнасць П.п.е. адноўлена ў складзе Беларускай праваслаўнай царквы, яе тэр. ахоплівае 8 адм. раёнаў Брэсцкай вобл.: Пінскі, Баранавіцкі, Ганцавіцкі, Іванаўскі, Івацэвіцкі, Лунінецкі, Ляхавіцкі, Столінскі. На канец 1999 у епархіі 147 прыходаў, 34 капліцы, 128 святароў, 5 дыяканаў, Пінскі Варварынскі манастыр (адноўлены з 1993).

Літ.:

Пінская епархія // Беларускі праваслаўны каляндар, 2000. Мн., 1999.

В.​К.​Касцюк.

т. 12, с. 368

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПЛАЗМАХІ́МІЯ,

раздзел фізічнай хіміі, які вывучае хім. рэакцыі ў эл. разрадах і нізкатэмпературнай плазме. З’яўляецца навук. асновай плазмахім. тэхналогіі, апаратурную базу якой ствараюць плазматрон, камера змешвання рэагентаў, рэакцыйны аб’ём (часта сумешчаныя), сістэма выдзялення мэтавага прадукту і інш.

Асн. асаблівасць плазмахім. працэсаў — магчымасць хім. рэакцый, якія не адбываюцца ў звычайных умовах. Гэта тлумачыцца тым, што ў плазме ўтвараецца значна большая колькасць рэакцыйназдольных часціц (узбуджаных малекул, атамных і малекулярных іонаў, свабодных радыкалаў), чым пры звычайных умовах правядзення хім. рэакцый, прычым утварэнне некаторых з іх магчыма толькі ў плазме. Істотную ролю адыгрываюць свабодныя электроны, рэакцыі з удзелам якіх у большасці выпадкаў з’яўляюцца вызначальнымі. Плазмахім. тэхналогія дае магчымасць сінтэзаваць прадукты з асаблівымі ўласцівасцямі (напр., ультрадысперсныя парашкі, неарган. і арган. плёнкі), скарачае колькасць тэхнал. стадый, пашырае сыравінную базу і змяншае шкодныя выкіды ў навакольнае асяроддзе, спрашчае кіраванне працэсамі і інш. Метадамі П. можна атрымліваць вокіслы азоту з паветра, ацэтылен з вуглевадародаў, сінтэз-газ для вытв-сці вінілхларыду, каталізатары для азотнай і нафтаперапрацоўчай прам-сці, ферытавыя парашкі, вокіслы тытану і цырконію, фосфарныя злучэнні, а таксама паляпшаць і змяняць паверхневыя ўласцівасці матэрыялаў і інш.

На Беларусі тэарэт. і эксперым. даследаванні ў галіне П. вядуцца з 1967 у Ін-тах цепла- і масаабмену, фізікі Нац. АН, БДУ. Гл. таксама Плазменная тэхналогія, Фізіка плазмы.

Літ.:

Низкотемпературная плазма. Т. 3. Химия плазмы. Новосибирск, 1991;

Низкотемпературная плазма. Т. 4. Плазмохимическая технология. Новосибирск, 1991.

А.​Ф.​Бубліеўскі.

т. 12, с. 401

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПЛАНА́РНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць метадаў вырабу паўправадніковых прылад і інтэгральных схем шляхам фарміравання іх структур з аднаго боку монакрышт. паўправадніковай падложкі. Грунтуецца на стварэнні ў прыпаверхневым слоі падложкі абласцей з розным тыпам праводнасці або з рознай канцэнтрацыяй дамешкаў, якія ў сукупнасці ўтвараюць структуру паўправадніковай прылады ці інтэгральнай схемы. Забяспечвае выраб у адзіным тэхнал. працэсе вял. колькасці ідэнтычных прылад з высокай узнаўляльнасцю параметраў, высокую прадукцыйнасць і інш.; займае вядучае месца ў тэхналогіі вырабаў мікраэлектронікі.

Асн. аперацыі: нанясенне тонкай дыэлектрычнай плёнкі (звычайна аксіду крэмнію SiO2) на паверхню крышт. паўправадніка (крэмнію, германію, арсеніду галію); выдаленне пры дапамозе фоталітаграфіі ці электроналітаграфіі пэўных абласцей гэтай плёнкі (стварэнне тэхнал. маскі); лакальнае ўвядзенне ў крышталь праз атрыманую маску донарных ці акцэптарных дамешкаў (легіраванне). Усе вобласці выходзяць на адзін (рабочы) бок падложкі, што дае магчымасць праз вокны ў SiO2 рабіць іх камутацыю ў адпаведнасці з зададзенай схемай пры дапамозе плёначных метал. праваднікоў. Адрозніваюць планарна-эпітаксіяльную тэхналогію (уключае аперацыю эпітаксіяльнага арыентаванага нарошчвання на паверхню монакрышт. падложкі тонкага слоя крэмнію) і яе ўдасканаленую разнавіднасць — ізапланарную тэхналогію (з павялічанай якасцю ізаляцыі абласцей).

На Беларусі распрацоўкамі ў галіне П.т. і выкарыстаннем яе ў вытв-сці займаюцца ў НВА «Інтэграл».

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. К.Н. 1—2. М., 1986;

Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику: Пер. с яп. М., 1988;

Taur У. The incredible shrinking transistor // IEEE Spectrum. 1999. July.

В.​У.​Баранаў.

т. 12, с. 405

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПЛАСТЫ́ЧНАСЦЬ (ад грэч., plastikos прыдатны для лепкі, падатлівы) матэрыялаў, уласцівасць цвёрдых цел (матэрыялаў) пад уздзеяннем мех. нагрузак зменьваць без разбурэння сваю форму і захоўваць частку атрыманай дэфармацыі пасля спынення ўздзеяння. Залежыць ад структуры цела і ўмоў яго дэфармавання (скорасці нагружэння, т-ры, ціску і інш.). Малое значэнне або адсутнасць П. азначае процілеглую ўласцівасць — крохкасць матэрыялаў. Улік П. дазваляе вызначаць запасы трываласці, дэфармавальнасці і ўстойлівасці канструкцый, магчымасці апрацоўкі матэрыялаў ціскам (валачэння, коўкі, пракаткі, штампоўкі). Вывучаюць П. пластычнасці тэорыя, супраціўленне матэрыялаў і інш.

Пластычная дэфармацыя звязана з разрывам некат. міжатамных сувязей і ўтварэннем новых. П. аморфных цел вызначаецца імавернасцю рэлаксацыйных перагруповак атамаў і малекул (гл. Рэлаксацыя), а цел з крышт. будовай — утварэннем, перамяшчэннем і ўзаемадзеяннем дэфектаў у крышталях. У залежнасці ад колькасці атамаў, што ўдзельнічаюць у элементарным акце пластычнай дэфармацыі, адрозніваюць П.: самадыфузійную і дыфузійную (перамяшчэнне атамных слаёў крышталя, на якія ўздзейнічаюць знешнія сілы, на ўчасткі, дзе дзейнічаюць расцягвальныя сілы), краўдыённую (спараджэнне і перамяшчэнне краўдыёнаў — згушчэнняў атамаў уздоўж шчыльна ўпакаваных шэрагаў атамаў), дыслакацыйную (слізганне па крышталеграфічных плоскасцях, гл. Дыслакацыі ў крышталях), звязаную з дэфармацыяй элементарнай ячэйкі крышталя (гл. Двайнікаванне), з працяканнем фазавага пераўтварэння (гл. Фазавыя пераходы).

Літ.:

Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов: Пер. с англ. М., 1972;

Полухин П.И., Горелик С.С., Воронцов В.К. Физические основы пластической деформации. М. 1982;

Кайбышев О.А. Сверхпластичность промышленных сплавов. М., 1984;

Работнов Ю.Н. Механика деформируемого твердого тела. 2 изд. М., 1988.

т. 12, с. 411

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПЛЕШЧАНІ́ЦЫ,

гарадскі пасёлак у Лагойскім р-не Мінскай вобл., на беразе Плешчаніцкага вадасховішча, на перасячэнні аўтамагістралей Барысаў—Вілейка і Мінск—Віцебск. За 27 км ад Лагойска, 67 км ад Мінска, 8,1 тыс. ж. (2000).

Вядомы з 16 ст. як вёска ў Мінскім пав. ВКЛ. З 1793 у Рас. імперыі, мястэчка, 50 двароў, цэнтр воласці ў Барысаўскім пав. Мінскай губ. У Айч. вайну 1812 рус. атрад ген. Я.​І.​Чапліца разбіў тут авангард 9-га франц. корпуса маршала К.​Віктора. У 1817 іх уладальнікі Тышкевічы пабудавалі царкву, у 1825—35 працаваў прыгонны тэатр. У 19 ст. ў П. школа, царква, сінагога, бровар, 5 крам, 2 карчмы, 2 разы на год кірмашы. У 1897—1086 ж., нар. вучылішча, паштова-тэлегр. аддзяленне. З 17.7.1924 да 25.12.1962 цэнтр Плешчаніцкага раёна, потым у Лагойскім р-не Мінскай вобл. З 27.9.1938 гар. пасёлак. У Вял. Айч. вайну акупіраваны ням. фашыстамі, якія разбурылі пасёлак, у П. і раёне загубілі 2063 чал.; дзейнічала Плешчаніцкае маладзёжнае падполле, партызаны правялі Плешчаніцкую аперацыю 1943. У 1977 6,9 тыс. жыхароў.

Працуюць хлебазавод, птушкафабрыка, гандлёвае і швейнае прадпрыемствы; Плешчаніцкая геафізічная абсерваторыя. 2 сярэднія, муз., дзіцяча-юнацкая спарт. школы, ПТВ, 3 дашкольныя ўстановы, Дом дзіцячай творчасці, 2 б-кі, бальніца, камбінат быт. паслуг, Дом культуры, аддз. сувязі. Магіла ахвяр фашызму, брацкая магіла сав. воінаў і партызан, што загінулі ў Вял. Айч. вайну.

т. 12, с. 425

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ПРАЕКТАВА́ННЕ,

распрацоўка праекта (прататыпа, правобраза) аб’екта (прамысл. прадпрыемства, збудавання, машыны, абсталявання, аснасткі, дарогі, газа- ці нафтаправода, цеплатрасы, адзення, абутку і інш.) або сукупнасці дакументацыі для яго вытв-сці ці рэканструкцыі. Віды П.: арх.-буд., дарожнае, маш.-буд., тэхнал., с.-г. і інш. Уключае эскізны, тэхнічны і рабочы этапы. Бывае тыпавое і індывідуальнае. Робіцца спецыялізаванымі ўстановамі або падраздзяленнямі прадпрыемстваў.

П. — частка жыццёвага цыкла аб’екта ці тэхн. сістэмы, які ўключае стадыі: фармуляванне патрабаванняў да аб’екта, уласна П., вытв-сць, выпрабаванне доследных узораў вырабаў, серыйную вытв-сць, эксплуатацыю, мадэрнізацыю, утылізацыю. Пры неабходнасці перад П. выконваюцца н.-д. і доследна-канструктарскія работы. Уваходнымі данымі для П. з’яўляюцца патрабаванні, што выпрацоўваюцца ў тэхн. заданні. Традыцыйнае П. арыентуецца на эмпірычныя ітэрацыйныя метады, сучаснае грунтуецца на метадах аўтаматызаванага П. (гл. Аўтаматызацыя праектавання), машыннай графікі, матэматычнага мадэліравання. Выкарыстанне камп’ютэраў і спец. праграмнага забеспячэння дазваляе на стадыі П. прадугледзець магчымыя праектныя сітуацыі і выбраць варыянт рашэння, найб. адпаведны патрабаванням да аб’екта без вырабу яго прататыпа. У працэсе П. робяцца інж., тэхніка-эканам. і інш. разлікі, чарцяжы, схемы, макеты, складаюцца спецыфікацыі, тлумачальныя запіскі, каштарысы, калькуляцыі, апісанні. Пры тыпавым П. распрацоўваюцца праекты для шматразовага выкарыстання, пры індывідуальным выкарыстоўваюцца тыпавыя праектныя рашэнні. Пры П. кіруюцца дзярж. і ведамаснымі стандартамі, нормамі і правіламі

Літ.:

Джонс Дж.К. Методы проектирования: Пер. с англ. 2 изд. М., 1986;

Борисов В.И. Общая методология конструирования машин. М., 1978.

У.​І.​Махнач.

т. 12, с. 540

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

РАЗМНАЖЭ́ННЕ,

характэрная для ўсіх жывых арганізмаў уласцівасць узнаўлення сабе падобных, якая забяспечвае бесперапыннасць і пераемнасць жыцця. Адрозніваюць 3 асн. формы: бясполае размнажэнне (у прасцейшых — дзяленне папалам, шызаганія, у вышэйшых раслін — з дапамогай спор), вегетатыўнае размнажэнне (у шматклетачных арганізмаў шляхам адасаблення ч. цела і аднаўлення іх ад цэлага індывідуума, пачкаванне) і палавое размнажэнне (двухполае, г.зн. у выніку апладнення, і аднаполае нявіннае — партэнагенез). З-за адсутнасці палавога працэсу бясполае і вегетатыўнае Р. часта мае агульную назву — бясполае Р., хаця прырода і паходжанне іх неаднолькавыя: пры бясполым Р. асобіна развіваецца з адной клеткі, не дыферэнцыраванай паводле полу, а пры вегетатыўным — новай асобіне даюць пачатак шматклетачныя зачаткі рознага паходжання. Палавому Р. шматклетачных папярэднічае ўтварэнне гамет (шляхам меёзу), якія зліваюцца пры апладненні ў зіготу, і спадчынная інфармацыя, што знаходзіцца ў ДНК храмасом, аб’ядноўваецца. На працягу жыцця Р. бывае аднаразовае (такія арганізмы наз. монацыклічнымі і звычайна прыносяць шматлікае патомства) і шматразовае (поліцыклічныя арганізмы менш пладавітыя). Для жыццёвага цыкла многіх відаў жывёл характэрна чаргаванне розных форм Р., якое спалучаецца з чаргаваннем марфалагічна розных пакаленняў: палавое і бясполае, двухполае і партэнагенез, двухполае і вегетатыўнае. Чаргаванне палавога (гаметафіт) і бясполага (спарафіт) пакаленняў бывае і ў раслін. На інтэнсіўнасць Р. ўплываюць умовы навакольнага асяроддзя — т-ра, даўж. светлавога дня, ежа і інш. У вышэйшых жывёл дзейнасць органаў Р. знаходзіцца пад кантролем нерв. сістэмы і эндакрынных залоз.

Р.​Г.​Заяц.

т. 13, с. 262

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

РАЗУ́МНАГА ЭГАІ́ЗМУ ТЭО́РЫЯ,

этычная канцэпцыя, якая абгрунтоўвае ідэю, што асновай дабрачыннасці чалавека з’яўляецца «разумнае сябелюбства» (П.​Гольбах) або правільна зразуметы прынцып асабістай выгоды (не толькі матэрыяльнай, але і духоўнай — ганарыстасць і да т.п.). Зыходзіць з неабходнасці навучыць чалавека разумець свае інтарэсы «разумна», кіравацца запатрабаваннямі сапраўднай «прыроды»; а не адмаўляцца ад эгаізму. Калі грамадства будзе ўладкавана таксама «разумна», то інтарэсы і асобных індывідаў не будуць сутыкацца з інтарэсамі інш. людзей і грамадства. Элементы такога вучэння ўзніклі яшчэ ў старажытнасці (Дэмакрыт, Эпікур, некат. сафісты), атрымалі развіццё ў эпоху Адраджэння. Найб. поўна ідэі «разумнага эгаізму» сфармуляваны ў 18 ст. франц. асветнікамі, напр., у працах К.​Гельвецыя. Яны скіраваны супраць хрысціянска-рэліг. маралі з уласцівым ёй заклікам да адмаўлення ад свецкіх даброт і безумоўнага падпарадкавання індывіда царк.-феад. іерархіі. Аналагічныя ідэі развіваў ням. філосаф 19 ст. Л.​Феербах. Радыкалізаваны варыянт Р.э.т. абгрунтоўваў М.​Г.​Чарнышэўскі: неабходнасць свядомага падпарадкавання асабістай выгоды агульнай справе, ад поспеху якога ў рэшце выйграе і асабісты інтарэс індывіда. Уплыў Р.э.т. адбіўся на ідэйным змесце бел. Асветніцтва, у прыватнасці на этычных поглядах І.Я.Быкоўскага. Канцэпцыі «разумнага эгаізму» вынікаюць з прынцыпаў антрапал. філасофіі, якая бачыць крыніцы маральнасці ў самім чалавеку, незалежна ад яго ўключэння ў сістэму пэўных грамадскіх адносін. Р.э.т. не знаходзіць свайго прызнання ў грамадствах, дзе безумоўны прыярытэт аддаецца грамадскім інтарэсам, але культывуецца на пажыўнай глебе. сац. умоў там, дзе актывізуецца прыватны інтарэс.

А.​Б.​Савеня.

т. 13, с. 265

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)