АКІСЛЕ́ННЕ-АДНАЎЛЕ́ННЕ, акісляльна-аднаўляльныя рэакцыі,

хімічныя рэакцыі, пры якіх адбываецца пераход электронаў ад атамаў, малекул ці іонаў аднаго злучэння да атамаў, малекул і іонаў другога. Паводле электроннай тэорыі акісленне вызначаецца як страта (напр., Zn-2e = Zn​2+), а аднаўленне як далучэнне (напр., Cl2 + 2e = 2Cl​) электронаў. Рэчыва, якое далучае электроны, наз. акісляльнікам, а якое іх страчвае — аднавіцелем. Акісленне-аднаўленне ўзаемазвязаныя працэсы, якія адбываюцца адначасова: Zn + Cl2 = Zn Cl2 (Zn аднавіцель, акісляецца да Zn​2+, а Cl2 акісляльнік, аднаўляецца да 2Cl​). Важнейшыя акісляльнікі: кісларод, хлор, пераксід вадароду, марганцавакіслы калій і інш. Аднаўляльнікі: вугаль, вадарод, ёдзісты калій, аксід вугляроду і інш. Пры складанні ўраўненняў акіслення-аднаўлення ўлічваецца электраадмоўнасць атамаў (здольнасць атама ў малекуле прыцягваць і ўтрымліваць электроны) і акіслення ступень. Перамяшчэнне электронаў у акісленні-аднаўленні адбываецца за кошт розніцы энергій сувязі, у аднаўляльніку электроны звязаны слабей. Рэакцыямі акіслення-аднаўлення карыстаюцца пры атрыманні металаў і неметалаў, розных хім. прадуктаў (аміяку, азотнай і сернай кіслот і інш.), яны ляжаць у аснове гарэння ўсіх відаў паліва, карозіі металаў, электролізу раствораў і расплаваў, дзеяння хім. крыніц току. Уласціва біял. сістэмам (гл. ў арт. Акісленне біялагічнае, Фотасінтэз).

т. 1, с. 192

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

АЛМА́З

(цюрк. алмас ад грэч. adamas несакрушальны),

дыямент, мінерал, крышт. кубічная мадыфікацыя самароднага чыстага вугляроду. Бясколерны, белы, блакітны, зеленаваты, жаўтаваты, чырванаваты, шэры ці чорны. Бляск алмазны, тлусты. Празрысты; моцная дысперсія святла. Цв. 10 (найцвярдзейшы з вядомых мінералаў). Шчыльн. 3,5—3,53 г/см³. Каштоўны камень 1-га класа.

Трапляецца ў ультраасноўных вывергнутых пародах — кімберлітах, здабываецца з карэнных радовішчаў і россыпаў, звычайна ў выглядзе дробных зярнят і асколкаў крышталікаў (сярэдняя маса 0,2 карата — 40 мг). Вельмі рэдкія алмазы, маса якіх перавышае 50 каратаў (10 г). Самыя вял. ў свеце: «Кулінан» (3106 каратаў, Паўд. Афрыка, Трансвааль, 1905), «Эксцэльсіёр» (971,5 карата, Паўд. Афрыка, ПАР, 1983), «Зорка Сьера-Леоне» (968,9 карата, Зах. Афрыка, Сьера-Леоне, 1972), «Прэзідэнт Варгас» (726,6 карата, Бразілія, 1938), «Джонкер» (726 каратаў, Паўд. Афрыка, Трансвааль, 1934) і інш. Празрыстыя і бясколерныя крышталі самых вял. памераў выкарыстоўваюцца ў ювелірнай справе (пасля агранкі наз. брыльянтамі), дробныя, зярністыя, афарбаваныя або з дэфектамі (борт, карбанада) — у тэхн. мэтах (для бурэння свідравін у цвёрдых пародах, шліфавання ў металаапрацоўцы, у электроннай прам-сці, рэзкі шкла і інш.). Радовішчы алмазу ў Аўстраліі, Рас. Федэрацыі — Рэспубліка Саха (Якуція), у Паўд. Афрыцы, Паўд. Амерыцы, Індыі. Пошукі алмазу вядуцца на Беларусі (гл. Алмазная прамысловасць).

Алмаз «Гарняк» (44,62 кар).
Да арт. Алмаз. Малая расійская імператарская карона. Серабро. Брыльянты. С.-Пецярбург. 1801.

т. 1, с. 264

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ГЕТЭРАПЕРАХО́Д,

кантакт паміж двума рознымі паводле хім. саставу ці (і) фазавага стану паўправаднікамі (ПП). Па тыпе праводнасці спалучаных ПП адрозніваюць гетэрапераходы анізатыпныя — кантактуюць ПП з электроннай (n) і дзірачнай (p) эл.-праводнасцямі (p-n-гетэрапераход; гл. Электронна-дзірачны пераход), і ізатыпныя — кантактуюць ПП з адным тыпам праводнасці (n-n-гетэрапераход ці p-p-гетэрапераход). Камбінацыі некалькіх гетэрапераходаў утвараюць гетэраструктуры.

Для атрымання гетэрапераходу выкарыстоўваюцца кантакты паміж германіем Ge, крэмніем Si, ПП злучэннямі тыпу A​IIIB​V, дзе A​III — элемент III групы перыяд. сістэмы элементаў (алюміній Al, галій Ga, індый In), B​V — элемент V групы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb), і іх цвёрдымі растворамі: Ge—Si, Ga Al As — Ga As, Ga Al—Ge, In Ga As — In P. Гетэрапераход атрымліваюць эпітаксіяй. Галоўная асаблівасць гетэрапераходу — скачкападобнае змяненне ўласцівасцей на мяжы падзелу ПП (шырыні забароненай зоны, энергіі роднасці да электрона, рухомасці носьбітаў зараду, іх эфектыўнай масы і інш.). Кіраванне імі шляхам падбору спалучаных ПП матэрыялаў дае магчымасць ствараць арыгінальныя ПП прылады. Гетэрапераходы выкарыстоўваюцца ў пераключальніках хуткадзейных лагічных схем для ЭВМ, ПП лазерах, святлодыёдах і інш.

Літ.:

Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник: Пер. с англ. М., 1975;

Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. М., 1979.

Л.М.Шахлевіч.

т. 5, с. 209

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ГАЛЬВАНАТЭ́ХНІКА

(ад гальвана... + тэхніка),

галіна прыкладной электрахіміі, якая займаецца працэсамі электралітычнага асаджэння металаў на паверхні вырабаў. Уключае гальванастэгію, гальванапластыку і розныя спосабы электрахім. апрацоўкі металаў (аксідаванне, анадзіраванне, электралітычнае паліраванне і інш.). Асновы закладзены Б.С.Якобі, які ў 1838 адкрыў гальванапластыку і распрацаваў спосабы яе выкарыстання. Выкарыстоўваецца ў аўтамабілебудаванні, авіяц., радыётэхн. і электроннай прам-сці, у паліграфіі і інш.

Тэхнал. працэсы гальванатэхнікі заснаваны на з’яве электролізу. Асн. кампанент электраліту — солі металу, які ідзе на пакрыццё. У растворы яны распадаюцца на дадатна зараджаныя іоны металу (катыёны) і адмоўна зараджаныя групы (аніёны). Іоны металу асаджаюцца на адмоўным полюсе (катодзе), якім з’яўляюцца самі вырабы ці іх матрыцы. Аноды — пласціны або пруткі металу, які раствараецца ў электраліце і асаджаецца. У некаторых працэсах (напр., храміраванне, залачэнне) ужываюцца нерастваральныя аноды, а солі асноўнага металу дадаюцца звонку. Гальванатэхн. працэсы выконваюцца ў гальванічных ваннах (стацыянарных, паўаўтаматычных, ваннах-агрэгатах). Стацыянарныя ванны маюць прылады для вымярэння т-ры і прыстасаванні для перамешвання электраліту. Неметал. вырабы і матрыцы (з гіпсу, воску, пластмасы і інш.) для электраправоднасці пакрываюць графітам або тонкім слоем хімічна асаджанага металу; металічныя апрацоўваюцца акісляльнікамі для атрымання пасіўнай плёнкі, што дапамагае аддзяліць копію ад матрыцы. На з’яве нераўнамернага растварэння металу пры аноднай палярызацыі заснавана электралітычнае паліраванне.

У.М.Сацута.

т. 4, с. 476

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ЗО́ЛАТА

(Aurum),

Au, хімічны элемент I групы перыяд. сістэмы, ат. н. 79, ат. м. 196,9665, адносіцца да высакародных металаў. У прыродзе 1 стабільны ізатоп ​197Au. У зямной кары 4,3·10​-7% па масе. Гал. з мінералаў — золата самароднае. Вядома з глыбокай старажытнасці.

Жоўты мяккі і вельмі пластычны метал, tпл 1064,4 °C, tкіп 2880 °C, шчыльн. 19320 кг/м3. Хімічна даволі інертнае, устойлівае ў паветры і вадзе; з кіслародам, азотам, вадародам, вугляродам непасрэдна не ўзаемадзейнічае. Узаемадзейнічае з галагенамі пры награванні (напр., з хлорам пры 250 °C утварае хларыд AuCl3 — рубінава-чырвонае крышт. рэчыва, раскладаецца пры t >254 °C); гарачай селенавай к-той; сумесямі кіслот сернай і азотнай, азотнай і салянай (царская гарэлка); воднымі растворамі цыянідаў у прысутнасці кіслароду (гл. Цыяніраванне). Лёгка ўтварае амальгаму, на гэтым заснаваны адзін з метадаў вылучэння з горных парод (гл. Амальгамацыя). Дае з інш. металамі (медзь, серабро, плаціна) сплавы, больш трывалыя і цвёрдыя за З. чыстае. Выкарыстоўваюць З. і яго сплавы ў электроннай прам-сці (кантакты); у вытв-сці хімічна ўстойлівай апаратуры, прыпояў, каталізатараў, гадзіннікаў; для залачэння, афарбоўкі шкла; для вырабу зубных пратэзаў, ювелірных вырабаў, манет, медалёў (колькасць З. ў іх паказвае проба; гл. Проба высакародных металаў).

Літ.:

Баукова Т.В., Леменовский Д.А. Золото в химии и медицине. М., 1991.

І.В.Боднар.

т. 7, с. 104

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

АСТРАМЕ́ТРЫЯ

(ад астра... + ...метрыя),

раздзел астраноміі, які вывучае ўзаемнае размяшчэнне нябесных целаў у прасторы і змену яго з цягам часу, а таксама памеры і форму планет і іх спадарожнікаў. Уключае фундаментальную астраметрыю (вызначае найб. дакладную сістэму сферычных каардынат), сферычную астраномію (распрацоўвае матэм. метады рашэння задач, звязаных з бачным размяшчэннем і рухам свяціл на нябеснай сферы), практычную астраномію (распрацоўвае астранамічныя інструменты і прылады). Да астраметрыі належыць таксама вызначэнне момантаў сонечных і месяцавых зацьменняў, вырашэнне праблем календара. На падставе астраметрычных назіранняў вызначаны шкала дакладнага часу, даныя пра становішча восі вярчэння Зямлі ў прасторы і ў целе Зямлі, сістэма астранамічных пастаянных, каталогі зорак, пунктаў зямной паверхні з астр. каардынатамі і пунктаў з планетаграфічнымі каардынатамі на паверхні Месяца, Марса, Меркурыя і інш. планет. Еўрапейскае касмічнае агенцтва ў 1989 запусціла астраметрычны спадарожнік «Гіпаркос», які вызначыў каардынаты, уласныя рухі і трыганаметрычныя паралаксы 118 тыс. зорак з дакладнасцю да 2-тысячных доляў вуглавой секунды і амаль для мільёна зорак з меншай дакладнасцю. Выкарыстанне ў астраметрыі сродкаў радыё-, электроннай і выліч. тэхнікі дазваляе выконваць арыентацыю касм. апаратаў у час працяглых міжпланетных палётаў, назіраць ШСЗ і інш. Метадамі астраметрыі карыстаюцца ў геадэзіі, картаграфіі і навігацыі.

Літ.:

Подобед В.В., Нестеров В.В. Обшая астрометрия. 2 изд. М., 1982;

Бакулин П.Н. Фундаментальные каталоги звезд. 2 изд. М., 1980;

Бакулин П.И., Блинов Н.С. Служба точного времени. 2 изд. М., 1977;

Положенцев Д.Д. Радио- и космическая астрометрия. Л., 1982.

Дз.Дз.Палажэнцаў.

т. 2, с. 50

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ВЯЛІ́КАЯ ІНТЭГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА,

інтэгральная схема з вялікай колькасцю схемных элементаў (высокай ступені інтэграцыі); асн. элементная база ЭВМ і радыёэлектронных сродкаў. Аналагавыя вялікія інтэгральныя схемы маюць да 800, лічбавыя — да некалькіх дзесяткаў тысяч элементаў. Звышвялікая інтэгральная схема мае на парадак большую ступень інтэграцыі. Вялікія інтэгральныя схемы забяспечваюць надзейнасць радыёэлектроннай тэхнікі, яе малыя габарыты і масу, нізкую спажываную магутнасць.

Асаблівасць вялікіх інтэгральных схем — малыя памеры яе элементаў і міжэлементных злучэнняў (да 1,2 мкм пры выкарыстанні фоталітаграфіі і менш за 1 мкм пры рэнтгенаўскай і электроннай літаграфіі); скарачэнне колькасці знешніх вывадаў для забеспячэння хуткадзеяння, напр. у аднакрышталёвых ЭВМ. Адрозніваюць вялікія інтэгральныя схемы цвердацельныя (маналітныя; бываюць на аснове структур метал-дыэлектрык-паўправаднік і біпалярных структур) і гібрыдныя (дыскрэтныя бяскорпусныя паўправадніковыя прыборы і інтэгральныя схемы размешчаны на плёначнай падложцы; маюць больш шырокі частотны дыяпазон у параўнанні з маналітнымі; недахопы — меншая шчыльнасць упакоўкі элементаў, меншая надзейнасць). Праектаванне і тэхнал. рэалізацыя вялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца пры дапамозе ЭВМ.

Вялікія інтэгральныя схемы выкарыстоўваюцца як запамінальныя прыстасаванні, аналага-лічбавыя і лічбавыя пераўтваральнікі, узмацняльнікі, у мікрапрацэсарных камплектах і інш. На Беларусі навук. распрацоўкі і вытворчасць вялікіх інтэгральных схем і звышвялікіх інтэгральных схем ажыццяўляюцца ў навук.-вытв. аб’яднаннях «Інтэграл», «Карал», канцэрне «Планар», Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, Мінскім н.-д. прыладабудаўнічым ін-це, НДІ радыёматэрыялаў і інш.

Літ.:

Технология СБИС: Пер. с англ. Кн. 1—2. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

В.У.Баранаў, А.П.Дастанка.

т. 4, с. 380

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ГАА́ГА

(’s-Gravenhage, Den Haag),

горад на З Нідэрландаў. Месцазнаходжанне рэзідэнцыі каралеўскага двара, урада, парламента. Адм. ц. правінцыі Паўд. Галандыя. 444,6 тыс. ж. (1993). Порт на Паўн. м. (аванпорт — г. Схевенінген). Сетка каналаў, аўтамаб. і чыг. шляхоў звязвае Гаагу з інш. гарадамі. Развіта вытв-сць радыё- і тэлеапаратуры, электроннай апаратуры. Харч. (кандытарскія вырабы і інш.) і лёгкая прам-сць. Вытв-сць маст. вырабаў са шкла, дрэва і інш. У прыгарадзе — авіяц. з-ды «Фокер». У Гаазе працуюць праўленні шматлікіх гандл. і прамысл. фірмаў, установы сферы абслугоўвання. Месцазнаходжанне Міжнар. суда ААН. Каралеўская акадэмія выяўл. мастацтва.

Упершыню ўпамінаецца ў 1097 (да 1250 тут знаходзіўся паляўнічы домік графаў Галандыі, потым замак). Пасля стварэння Рэспублікі Злучаных правінцый (канец 16 ст.) — месца пасяджэнняў Генеральных штатаў. У 1806 Луі Банапарт надаў Гаазе статус горада і адначасова перанёс сталіцу ў Амстэрдам. Пасля ўтварэння Каралеўства Нідэрландаў (1815) — каралеўская рэзідэнцыя, а пасля абвяшчэння незалежнасці Бельгіі (1830) — фактычная сталіца краіны. З 2-й пал. 17 ст. Гаага — месца правядзення міжнар. канферэнцый і заключэння пагадненняў (гл. Гаагскія канвенцыі). У 2-ю сусв. вайну акупіравана (1940—45) ням. фашыстамі.

Цэнтр горада ў большасці захаваў сваё старадаўняе аблічча. На беразе воз. Вейвер — ансамбль Біненхоф (Унутраны двор, 13—18 ст.), гатычныя Рыцарская зала (каля 1280) і царква Сінт-Якабскерк (базіліка 14—16 ст.). Арх. помнікі рэнесансу — Старая ратуша (1564—65), класіцызму — палац Маўрыцхёйс (1633—35, арх. Я. ван Кампен, П.Пост), каралеўскі палац Хёйс-тэн-босх («Дом у лесе», 1644, арх. Пост; дабудаваны ў 1734—37 і 1790), Каралеўская б-ка (1734—36, арх. Д.Маро; 1761; арх. П. дэ Сварт). Прамавугольная сетка вуліц Гаагі мадэрнізавана і дапоўнена свабоднай планіроўкай новых раёнаў (1908—09, арх. Х.П.Берлаге, В.М.Дзюдак), забудаваных пераважна пасля 2-й сусв. вайны. Сярод пабудоў 20 ст. — Палац Міру (1907—13, арх. Л.М.Карданье), Муніцыпальны музей (1916—35, арх. Берлаге), канторы «Волхардынг» (1928, арх. Я.Бёйс) і «Шэл-Недэрланд» (1938—42, арх. П.Аўд), Каралеўскія кабінеты карцін (у Маўрыцхёйс), манет, медалёў і разных камянёў, Музей касцюма.

т. 4, с. 407

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ЛАД у музыцы,

абстрактна-лагічная сістэма, якая арганізуе гукавышынны бок музыкі на аснове колькасных (гукарадных) і якасных (функцыянальных) паказчыкаў і рэалізуе сябе ў працэсе інтанавання. Гукарад Л. — мелодыкаінтэрвальная схема, што прадстаўляе яго гукі ў паступенным парадку; функцыянальнасць заключаецца ў падзеле элементаў Л. на ўстойлівыя (цэнтр сістэмы) і няўстойлівыя (падпарадкаваныя ім). На падставе гэтых гал. характарыстык вылучаюць канкрэтныя віды Л. — т. зв. лады. Вызначальнымі з’яўляюцца тып гукарада (ангемітоніка, дыятоніка, храматыка, прамежкавыя формы), будова ўстойлівага (танічнага) цэнтра (меладычны тон, кансананс-трохгучча, сугучча-дысананс) і размяшчэнне гэтага цэнтра на пэўнай ступені гукарада (на аснове аднаго гукарада магчымы розныя лады). Ступень абагульнення рэальнага працэсу інтанавання неаднолькавая на розных узроўнях праяўлення Л. Ладаінтанацыйны ўзровень, што ўпарадкоўвае вышынныя суадносіны ў непасрэдным разгортванні музыкі ў рамках дробных пабудоў (папевак, асобных меладычных зваротаў), найб. блізкі да пачуццёвай канкрэтнасці інтанацыі. На ладафункцыянальным узроўні ладавая інтанацыйнасць рэтраспектыўна абагульняецца, гукарадны ж узровень найб. абстрактны. Эвалюцыя Л. адлюстроўвае развіццё муз. мыслення і звязана з колькасным павелічэннем аб’ёму і гукавога матэрыялу і якасным ускладненнем прынцыпаў яго арганізацыі. Пачатковыя этапы эвалюцыі прасочваюцца ў муз. фальклоры многіх народаў: вылучэнне апорных тонаў у першабытным экмелічным (без замацаванай вышыні гукаў) глісандаванні; манадыйны Л. у межах вузкааб’ёмных гукарадоў (алігатонікі); манадыйны Л. на аснове развітой гукараднай сістэмы ангемітонікі і дыятонікі. Гіст. формы Л.: апяванне цэнтр. тона (устою) блізкімі па вышыні гукамі, мадальныя (манадыйныя) Л., звязаныя з прынцыпамі мелодыі-мадэлі (модуса, папеўкі). Прафес. еўрап. музыка напачатку апіралася на традыцыі фалькл. ладаўтварэння (з характэрнай для яго ладавай пераменнасцю), аднак у сувязі з ускладненнем характару шматгалосся актыўна развіваюцца і новыя прынцыпы Л Шматгалосае раскрыццё меладычных (манадыйных) Л. змяняецца танальна-гарманічнай сістэмай (гл. Мажора-мінорная сістэма, Танальнасць) — асновай еўрап. музыкі новага часу, што апіраецца на 2 Л.мажор і мінор. Прафес. муз. мастацтва 20 ст. вызначаецца разнастайнасцю канкрэтных форм і прынцыпаў Л., спалучэннем вядомых раней і істотна новых з’яў, у т.л. і тых (у серыйнай тэхніцы, канкрэтнай музыцы, электроннай музыцы, санорыцы), якія цяжка ці немагчыма аднесці да сферы Л.

Першае навук. абгрунтаванне Л. ў еўрап. музыцы далі прадстаўнікі піфагарэйскай школы ў Стараж. Грэцыі ў 6—4 ст. да н.э. Сваю тэорыю Л. вылучыла еўрап. сярэдневякоўе. Ладавыя заканамернасці танальна-гарманічнай сістэмы ўпершыню асэнсаваў і вытлумачыў Ж.Ф.Рамо, у рамках сістэмы якога паняцце «Л.» цесна сутыкаецца з паняццямі «гармонія» і «танальнасць». Пытанні Л. ў практыцы ўсх.-слав. партэсных спеваў абагульнены ў працах І.Шайдуры (1-я пал. 17 ст.) і М.Дулецкага («Граматыка мусікійская»). У 19—20 ст. вял. ўвагу ладаваму боку музыкі аддавалі рус. тэарэтыкі У.Адоеўскі, А.Сяроў, П.Сакальскі, Дз.Разумоўскі, А.Кастальскі, Б.Яворскі, Б.Асаф’еў, В.Бяляеў, К.Квітка, Ю.Цюлін, Х.Кушнароў, М.Бражнікаў, М.Успенскі, А.Далжанскі, Л.Мазель, Ю.Кон, Ю.Халопаў. На Беларусі да праблем Л. звярталіся музыказнаўцы А.Друкт, Б.Златавярхоўнікаў, Т.Мдывані, Р.Сергіенка, Н.Юдзеніч, В.Ялатаў і інш.

Літ.:

Елатов В.И. Ладовые основы белорусской народной музыки. Мн., 1964;

Бершадская Т. Принципы ладовой классификации // Сов. музыка. 1971. № 8;

Яе ж. Лекции по гармонии. Л., 1978;

Кон Ю.Г. Вопросы анализа современной музыки. Л., 1982.

А.А.Друкт.

т. 9, с. 93

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

ЛА́ЗЕРНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць тэхнал. прыёмаў і спосабаў апрацоўкі, змены ўласцівасцей, стану і формы матэрыялу або паўфабрыкату з дапамогай выпрамянення лазераў. Асн. аперацыі Л.т. звязаны з цеплавым дзеяннем лазернага выпрамянення (пераважна цвердацелых лазераў і газавых лазераў). Эфектыўнасць Л.т. абумоўлена высокай лакальнасцю і кароткачасовасцю ўздзеяння, вял. шчыльнасцю патоку энергіі ў зоне апрацоўкі, магчымасцю вядзення тэхнал. працэсаў у празрыстых асяроддзях (у вакууме, газе, вадкасці, цвёрдым целе). Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы і электравакуумнай тэхніцы, паліграфіі, машынабудаванні, у прам-сці буд. матэрыялаў для свідравання адтулін, рэзкі і скрайбіравання (нанясення малюнкаў на паверхню) плёнак і паўправадніковых пласцін, зваркі (гл. Лазерная зварка), загартоўкі, гравіроўкі, нарэзкі рэзістараў, рэтушы фоташаблонаў і інш.

Свідраванне адтулін звычайна робіцца імпульсным лазерам (працягласць імпульсу 0,1—1 мс) у любых матэрыялах (цвёрдых, крохкіх, тугаплаўкіх, радыеактыўных). Лазерам свідруюць алмазныя фільеры для валачэння дроту, стальныя і керамічныя фільеры для вытв-сці штучных валокнаў, рубінавыя камяні для гадзіннікаў, ферытавыя пласціны для запамінальных прыстасаванняў ЭВМ, дыяфрагмы электронна-прамянёвых прылад, керамічныя ізалятары, вырабы са звышцвёрдых сплаваў і інш. Лазерная рэзка вядзецца ў імпульсным і бесперапынным рэжыме, з падачай у зону рэзкі струменю газу (звычайна паветра або кіслароду). Выкарыстоўваецца для раздзялення дыэлектрычных і паўправадніковых падложак (таўшчынёй 0,3—1 мм), скрайбіравання паўправадніковых пласцін, рэзання крохкіх вырабаў са шкла, сіталу і пад. (метадам тэрмічнага расколвання) і інш. Фігурная апрацоўка паверхні — стварэнне мікрарэльефа на матэрыялах выпарэннем, тэрмаапрацоўкай, акісляльна-аднаўляльнымі і інш рэакцыямі, выкліканымі награваннем, тэрмастымуляванымі дыфузійнымі працэсамі. Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы, паліграфічнай прам-сці, пры апрацоўцы цвёрдых сплаваў, ювелірных камянёў і інш. У электроннай тэхніцы перспектыўныя кірункі Л.т.: паверхневы адпал паўправадніковых пласцін з мэтай узнаўлення структуры іх крышталічнай рашоткі пры іонным легіраванні, стварэнне актыўных структур на паверхні паўправаднікоў, атрыманне p-n-пераходаў метадам лакальнай дыфузіі з лазерным нагрэвам, нанясенне тонкіх метал. і дыэл. плёнак лазерным выпарэннем і інш. У фоталітаграфіі Л.т. выкарыстоўваюцца для вырабу звышмініяцюрных друкарскіх плат, інтэгральных схем, відарысаў і інш. элементаў мікраэлектроннай тэхнікі; у хім. і мікрабіял. вытв-сці — для селектыўнага стымулявання хім. і біял. актыўнасці малекул; у медыцыне — для лячэння скурных захворванняў, язваў страўніка, кішэчніка і інш. Магутныя (ад 1 кВт і вышэй) лазеры выкарыстоўваюцца для рэзкі і зваркі тоўстых стальных лістоў, паверхневай загартоўкі, наплаўлення і легіравання буйнагабарытных дэталей, ачысткі будынкаў ад паверхневых забруджванняў, рэзкі мармуру, граніту, раскрою тканіны, скуры і інш.

На Беларусі распрацоўкі па Л.т. вядуцца ў ін-тах Нац. АН (фізікі, малекулярнай і атамнай фізікі, фізіка-тэхнічным, прыкладной фізікі, фотабіялогіі і інш.), Ін-це прыкладных фіз. праблем БДУ, Гомельскім ун-це, у шэрагу галіновых НДІ.

Літ.:

Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов. М., 1985;

Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов: Пер. с англ. М., 1986;

Промышленное применение лазеров: Пер. с англ. М., 1988.

В.В.Валяўка, В.К.Паўленка.

Да арт. Лазерная тэхналогія. А Схема лазернай рэзкі з тэлекантролем працэсу. 1 — дэталь, якая апрацоўваецца; 2 — прыстасаванне факусіроўкі лазернага праменя; 3 — лазер; 4 — замкнёная тэлевізійная сістэма; 5 — дысплей. Б. Схема станка з рубінавым лазерам для святлопрамянёвай апрацоўкі: 1 — імпульсная лямпа; 2 — кандэнсатар; 3 — паралельныя люстэркі; 4 — штучны рубін; 5 — лінза; 6 — выраб, які апрацоўваецца.

т. 9, с. 101

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)