Verbum

ВІХРЭ́НКА (Вячаслаў Сцяпанавіч) (н. 30.5.1943, в. Галіцына Тамбоўскай вобл., Расія),

бел. фізік. Д-р фізіка-матэм. н., праф. (1995). Скончыў Бел. тэхнал. ін-т (1965). З 1966 у Бел. тэхнал. ун-це. Навук. працы па статыстычнай фізіцы. Распрацаваў статыстычную тэорыю дынамічных і кінетычных працэсаў у малекулярных і іонных сістэмах, у т. л. працэсаў дыфузіі і тэрмадыфузіі ў цвёрдых і вадкіх крышталях.

Тв.:

Неравновесная статистическая механика ориентационно-упорядочивающихся сред (разам з В.​Б.​Нямцовым) // Тр. Бел. Гос. технол. ун-та. Сер. 5. Физ.-мат. науки. Мн., 1995. Вып. 2.

Я.​Г.​Міляшкевіч.

т. 4, с. 207

ГІ́РГЕЛЬ (Сяргей Сяргеевіч) (н. 12.2.1944, в. Цімошкава Міёрскага р-на Віцебскай вобл.),

бел. фізік. Д-р фізіка-матэм. н. (1992), праф. (1997). Скончыў Віцебскі пед. ін-т (1968). З 1974 у Гомельскім дзярж. ун-це. Навук. працы па оптыцы, магнітаоптыцы і фізіцы крышталёў. Пабудаваў тэорыю аптычных з’яў у магнітаўпарадкаваных крышталях з улікам іх анізатрапіі, гіратрапіі, паглынання і падрашотачнай структуры.

Тв.:

Поляризация электромагнитных волн в поглощающих магнитоупорядоченных кристаллах (разам з Б.​В.​Бокуцем) // Кристаллография. 1980. Т. 25. № 1;

Чётный эффект Фарадея в магнитоупорядоченных кристаллах // Докл. АН БССР. 1982. Т. 26. № 10.

т. 5, с. 262

НЯМЦО́Ў (Валянцін Барысавіч) (н. 24.2.1936, в. Навасёлкі Пухавіцкага р-на Мінскай вобл.),

бел. вучоны ў галіне статыстычнай механікі. Д-р фіз.-матэм. н. (1988), праф. (1989). Скончыў Бел. лесатэхн. ін-т (1959). З 1966 у Бел. тэхнал. ун-це. Навук. працы па даследаванні кандэнсаваных сістэм (вадкіх крышталёў, малекул ДНК, біял. мембран). Распрацаваў статыстычную тэорыю нераўнаважных працэсаў у вадкіх крышталях, прадказаў наяўнасць каларычнага і механахім. эфектаў награвання і змен канцэнтрацыі многакампанентных сістэм у выніку арыентацыйнай дэфармацыі хіральнага асяроддзя.

Тв.:

Неравновесная статистическая механика систем с ориентационным порядком. Мн., 1997.

Я.​Г.​Міляшкевіч.

т. 11, с. 410

ПЛАСТЫ́ЧНАСЦЬ (ад грэч., plastikos прыдатны для лепкі, падатлівы) матэрыялаў, уласцівасць цвёрдых цел (матэрыялаў) пад уздзеяннем мех. нагрузак зменьваць без разбурэння сваю форму і захоўваць частку атрыманай дэфармацыі пасля спынення ўздзеяння. Залежыць ад структуры цела і ўмоў яго дэфармавання (скорасці нагружэння, т-ры, ціску і інш.). Малое значэнне або адсутнасць П. азначае процілеглую ўласцівасць — крохкасць матэрыялаў. Улік П. дазваляе вызначаць запасы трываласці, дэфармавальнасці і ўстойлівасці канструкцый, магчымасці апрацоўкі матэрыялаў ціскам (валачэння, коўкі, пракаткі, штампоўкі). Вывучаюць П. пластычнасці тэорыя, супраціўленне матэрыялаў і інш.

Пластычная дэфармацыя звязана з разрывам некат. міжатамных сувязей і ўтварэннем новых. П. аморфных цел вызначаецца імавернасцю рэлаксацыйных перагруповак атамаў і малекул (гл. Рэлаксацыя), а цел з крышт. будовай — утварэннем, перамяшчэннем і ўзаемадзеяннем дэфектаў у крышталях. У залежнасці ад колькасці атамаў, што ўдзельнічаюць у элементарным акце пластычнай дэфармацыі, адрозніваюць П.: самадыфузійную і дыфузійную (перамяшчэнне атамных слаёў крышталя, на якія ўздзейнічаюць знешнія сілы, на ўчасткі, дзе дзейнічаюць расцягвальныя сілы), краўдыённую (спараджэнне і перамяшчэнне краўдыёнаў — згушчэнняў атамаў уздоўж шчыльна ўпакаваных шэрагаў атамаў), дыслакацыйную (слізганне па крышталеграфічных плоскасцях, гл. Дыслакацыі ў крышталях), звязаную з дэфармацыяй элементарнай ячэйкі крышталя (гл. Двайнікаванне), з працяканнем фазавага пераўтварэння (гл. Фазавыя пераходы).

Літ.:

Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов: Пер. с англ. М., 1972;

Полухин П.И., Горелик С.С., Воронцов В.К. Физические основы пластической деформации. М. 1982;

Кайбышев О.А. Сверхпластичность промышленных сплавов. М., 1984;

Работнов Ю.Н. Механика деформируемого твердого тела. 2 изд. М., 1988.

т. 12, с. 411

БЯЛО́Ў (Мікалай Васілевіч) (14.12.1891, г. Янаў, Польшча — 5.3.1982),

савецкі крышталёграф, геахімік, адзін з заснавальнікаў структурнай мінералогіі. Акад. АН СССР (1953, чл.-кар. 1946). Чл. Польскай АН (1978), Герой Сац. Працы (1969). Скончыў Петраградскі політэхн. ін-т (1921). З 1938 у Ін-це крышталяграфіі АН СССР, з 1946 у Горкаўскім, з 1953 у Маскоўскім ун-тах. Навук. працы па тэорыі шчыльнай упакоўкі атамаў у крышталях, крышталяхіміі сілікатаў, метадах расшыфроўкі структур мінералаў. Пад кіраўніцтвам Бялова высветлена структура больш як 100 сілікатаў і іх аналагаў. Дзярж. прэмія 1952. Ленінская прэмія 1974. Залаты медаль імя М.​В.​Ламаносава АН СССР 1966.

т. 3, с. 400

БЕ́ЛЫ (Уладзімір Мікалаевіч) (н. 25.10.1947, в. Рафалаў Брагінскага р-на Гомельскай вобл.),

бел. вучоны ў галіне оптыкі. Д-р фіз.-матэм. н. (1992), праф. (1994). Скончыў Гомельскі пед. Ін-т (1968). З 1968 у Ін-це фізікі АН Беларусі. Навук. працы па лінейнай і нелінейнай крышталяоптыцы, акустаоптыцы. Развіў тэорыю акустааптычнага ўзаемадзеяння ў крышталях са складанай анізатрапіяй. Прапанаваў новы прынцып узмацнення ультрагукавых хваляў.

Тв.:

Воздействие электрического поля на акустическую активность кристаллов // Кристаллография. 1980. Т. 25, вып. 5;

Влияние фазового сдвига фоторефрактивных решеток на пространственные солитоны (разам з М.​А.​Хіло) // Письма в журнал технической физики. 1994. Т. 20, вып. 18.

т. 3, с. 83

ДЭ́ВІСАН ((Davisson) Клінтан Джозеф) (22.10.1881, г. Блумінгтан, штат Ілінойс, ЗША — 1.2.1958),

амерыканскі фізік. Чл. Нац. АН ЗША. Скончыў Чыкагскі (1908) і Прынстанскі (1911) ун-ты. З 1911 у Тэхнал. ін-це Карнегі, з 1917 у Лабараторыях Бэл-Тэлефон, у 1946—54 візіт-праф. Віргінскага ун-та. Навук. працы па электроніцы, цеплавым выпрамяненні, фізіцы крышталёў і квантавай фізіцы. Незалежна ад Дж.​П.​Томсана адкрыў разам з амер. фізікам Л.​Джэрмерам (1927) дыфракцыю электронаў на крышталях нікелю, што стала эксперыментальным пацвярджэннем хвалевых уласцівасцей мікрааб’ектаў. Нобелеўская прэмія 1937.

Літ.:

Льоцци М. История физики: Пер. с итал. М., 1970. С. 403—404.

т. 6, с. 322

ГА́НА ЭФЕ́КТ,

генерацыя высокачастотных ваганняў эл. току ў паўправадніковых прыладах з N-падобнай вольтампернай характарыстыкай. Назіраецца ў паўправадніках, зона праводнасці якіх мае некалькі далін (гл. Зонная тэорыя): рухомасць электронаў у верхніх далінах значна меншая, чым у ніжняй. У моцных палях частка электронаў пераходзіць з ніжняй даліны ў верхнія і электраправоднасць змяншаецца. Ваганні току маюць выгляд серыі імпульсаў з частатой паўтарэння, адваротна прапарцыянальнай прыкладзенаму напружанню і даўжыні ўзору паўправадніка. Выяўлены амер. фізікам Дж.​Ганам (1963) у крышталях арсеніду галію і фарсіду індыю. Выкарыстоўваецца ў схемах генератараў і ўзмацняльнікаў звышвысокай частаты (гл. Гана дыёд).

Ф.​А.​Ткачэнка.

т. 5, с. 19

ЛО́ЙКА (Валерый Аляксандравіч) (н. 8.6. 1946, в. Саўцавічы Баранавіцкага р-на Брэсцкай вобл.),

бел. фізік. Д-р фіз.-матэм. н. (1991). Скончыў Горкаўскі ун-т (г. Ніжні Ноўгарад, 1968). З 1968 у Ін-це фізікі Нац. АН Беларусі. Навук. працы па фіз. оптыцы, оптыцы рассейвальных асяроддзяў. Развіў тэорыю фарміравання аптычнага відарыса ў фатагр. галагена-сярэбраных слаях; паказаў магчымасць гашэння кагерэнтнай складальнай для монаслаёў часцінак дысперснага рэчыва, прапанаваў метад кіравання аптычным выпрамяненнем у капсуляваных вадкіх крышталях.

Тв.:

Оптика фотографического слоя. Мн., 1983 (разам з А.​П.​Івановым);

Распространение света в плотноупакованных дисперсных средах. Мн., 1988 (разам з А.​П.​Івановым, У.​П.​Дзікам).

т. 9, с. 339

ВАКА́НСІЯ ў фізіцы,

дэфект крышталя, калі ў вузле крышталічнай рашоткі адсутнічае атам. Узнікае ў выніку цеплавых ваганняў атамаў, пры радыяцыйным апрамяненні, пластычнай дэфармацыі. Вакансіі абменьваюцца месцамі з суседнімі атамамі і хаатычна рухаюцца па крышталі. Рух вакансій — асн. прычына самадыфузіі (перамешвання атамаў у крышталях) і гетэрадыфузіі (узаемнай дыфузіі крышталёў, якія кантактуюць). Вакансіі могуць аб’ядноўвацца і ўтвараць складаныя дэфекты (ды- і трывакансіі, кластэры), а таксама спалучацца з дамешкамі і ўтвараць комплексы вакансій-дамешак. Наяўнасць вакансій істотна ўплывае на ўласцівасці крышталёў і фіз. працэсы (шчыльнасць, іонную праводнасць, унутр. трэнне, тэрмаапрацоўку, рэкрышталізацыю і інш.).

Літ.:

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981.

т. 3, с. 463