Verbum

ІВАНЕ́НКА (Дзмітрый Дзмітрыевіч) (29.7.1904, г. Палтава, Украіна — 30.12.1994),

расійскі фізік-тэарэтык, заснавальнік навук. школы па тэарэт. фізіцы. Д-р фіз.-матэм. н. (1940). Скончыў Ленінградскі ун-т (1927). З 1943 праф. Маскоўскага ун-та. Навук. працы па тэорыі спінораў, фізіцы атамнага ядра, квантавай і адзінай нелінейнай тэорыях поля, тэорыі гравітацыі, гісторыі фізікі. Прапанаваў пратон-нейтронную мадэль атамнага ядра (1932). Заклаў асновы палявой тэорыі парных ядз. сіл (1934, разам з І.Тамам). Прапанаваў нелінейнае абагульненне спінорнага ўраўнення Дзірака (1938). Выказаў ідэю ўзаемнага ператварэння гравітонаў у элементарныя часціцы (1944). Прадказаў сінхратроннае выпрамяненне (1944; разам з І.Я.Памеранчуком). Дзярж. прэмія СССР 1950.

Тв.:

Групповые, геометрические и топологические методы в теории поля. Ч. 1. М., 1983;

Калибровочная теория гравитации. М., 1985 (абедзве разам з П.І.Проніным, Г.А.Сарданашвілі).

Літ.:

Памяти профессора Д.Д.Иваненко // Вестн. Московского ун-та Сер. 3. Физика. Астрономия. 1995. Т. 36, № 2.

М.М.Касцюкоеіч.

т. 7, с. 150

КУЎШЫ́НАЎ (Вячаслаў Іванавіч) (н. 6.11.1946, г. Хмяльніцкі, Украіна),

бел. фізік-тэарэтык. Д-р фіз.-матэм. навук (1990), праф. (1993). Скончыў БДУ (1968). З 1968 у Ін-це фізікі (у 1974—87 вучоны сакратар Аддз. фіз.-матэм. навук) Нац. АН Беларусі. Навук. працы па фізіцы элементарных часціц і высокіх энергій. Прапанаваў мадэлі для апісання ўласцівасцей інстантонаў, сціснутых станаў глюонаў у квантавай хромадынаміцы і фазавых пераходаў у кваркглюоннай плазме. Распрацаваў метады разліку універсальных кубічных тэарэтыка-палявых форм і дыферэнцыяльных форм Картана.

Тв.:

Локальные вектор-параметры групп, формы Картана и приложения к теориям калибровочных и киральных полей (разам з Нгуен В’ен Тхо) // Физика элементарных частиц и атомного ядра. 1994. Т. 25, вып. 3;

Generalized bunching parameters and multiplicity fluctuations in restricted phase-space bins (разам з С.У.Чаканавым, В.Кітэлем) // Zeitschrift für Physik C. 1997. Vol. 74.

т. 9, с. 61

ВАВІ́ЛАЎ (Сяргей Іванавіч) (24.3.1891, Масква — 25.1.1951),

савецкі фізік, стваральнік навук. школы оптыкаў. Акад. (1932, чл.-кар. 1931). Брат М.І.Вавілава. Скончыў Маскоўскі ун-т (1914). З 1932 дырэктар Фізічнага ін-та АН СССР, у 1932—45 навук. кіраўнік Дзярж. аптычнага ін-та (Ленінград). З 1945 прэзідэнт АН СССР. Навук. працы па фіз. оптыцы. Распрацаваў асновы тэорыі люмінесцэнцыі, вывеў адзін з яе законаў (1924; гл. Вавілава закон). З П.А.Чаранковым адкрыў Чаранкова—Вавілава выпрамяненне. Вырашыў шэраг прынцыповых пытанняў квантавай тэорыі інтэрферэнцыі, фізіял. оптыкі, паклаў пачатак развіццю нелінейнай оптыкі. Аўтар прац па філас. пытаннях прыродазнаўства і гісторыі навукі. З 1949 гал. рэдактар Вял. Сав. Энцыклапедыі. Дзярж. прэміі СССР 1943, 1949, 1951, 1952. У 1951 АН СССР устаноўлены залаты медаль яго імя ў галіне фізікі.

Тв.:

Собр. соч. Т. 1—4. М., 1952—56;

Микроструктура света. М., 1950;

Исаак Ньютон, 1643—1727. 4 изд. М., 1989.

Літ.:

Физики о себе. Л., 1990.

т. 3, с. 423

ГЕ́ЛЬМГОЛЬЦ ((Helmholtz) Герман Людвіг Фердынанд) (31.8.1821, г. Патсдам, Германія — 8.9.1894),

нямецкі прыродазнавец. Чл.-кар. Пецярбургскай АН (1868). Вучыўся ў Ваенна-мед. ін-це ў Берліне. Праф. фізіялогіі Кёнігсбергскага (1849—55) і Бонскага (1855—58) ун-таў, у 1871—88 праф. фізікі Берлінскага ун-та, з 1888 дырэктар фізіка-тэхн. ун-та ў Берліне. Навук. працы па фізіцы, біяфізіцы, фізіялогіі і псіхалогіі. Матэматычна абгрунтаваў закон захавання энергіі (1847), даказаў яго ўсеагульны характар. Распрацаваў тэрмадынамічную тэорыю хім. працэсаў, увёў паняцці свабоднай і звязанай энергій. Заклаў асновы тэорыі віхравога руху вадкасцей і анамальнай дысперсіі святла. Прапанаваў тэорыю слыху і зроку чалавека, выявіў і вымераў цеплаўтварэнне ў мышцах (1845—47), вывучыў працэс скарачэння мышцаў (1850—54). Вызначыў скорасць распаўсюджвання нерв. імпульсаў (1850). Сканструяваў шэраг фіз. прылад, распрацаваў колькасныя метады фізіял. даследаванняў.

Літ.:

Лазарев П.П. Гельмгольц. М., 1959;

Лебединский А.В., Франкфурт У.И., Френк А.М. Гельмгольц (1821—1894). М., 1966.

т. 5, с. 144

БАРЫСЕ́ВІЧ (Мікалай Аляксандравіч) (н. 21.9.1923, пас. Лучны Мост Бярэзінскага р-на Мінскай вобл.),

бел. фізік. Акад. АН Беларусі (1969), АН СССР (1981, з 1992 Рас. АН) і шэрагу замежных АН. Д-р фізіка-матэм. н. (1965), праф. (1967). Засл. дз. нав. Беларусі (1994). Герой Сац. Працы (1978). Скончыў БДУ (1950). З 1955 нам. дырэктара Ін-та фізікі, у 1969—87 прэзідэнт АН Беларусі. З 1992 ганаровы прэзідэнт АН Беларусі і старшыня камісіі па гісторыі навукі. Навук. працы па люмінесцэнцыі і спектраскапіі складаных малекул, квантавай электроніцы і інфрачырвонай тэхніцы. Даследаваў рассеянне выпрамянення дысперснымі сістэмамі, стварыў (разам з супрацоўнікамі) новы клас аптычных фільтраў для інфрачырвонай вобласці спектра. Адкрыў (разам з Б.С.Непарэнтам) з’яву стабілізацыі-лабілізацыі электронна-ўзбуджаных шмататамных малекул (зарэгістравана ў 1977). Ленінская прэмія 1980. Дзярж. прэмія СССР 1973.

Тв.:

Возбужденные состояния сложных молекул в газовой фазе. Мн., 1967;

Инфракрасные фильтры. Мн., 1971 (разам з В.Р.Верашчагіным, М.А.Валідавым).

т. 2, с. 333

ЛЕ́ЙПЦЫГСКІ УНІВЕРСІТЭ́Т,

адзін са старэйшых і буйнейшых ун-таў Германіі. Засн. ў 1409 у г. Лейпцыг. У гады фаш. дыктатуры (1933—45) ун-т быў закрыты. У 1946 аднавіў работу. Ф-ты: права, тэалогіі, гіст., філал., адукацыі, мастацтва і ўсходніх дысцыплін, біял., вет., мед., эканам., сац. навук і філасофіі, матэматыкі і камп’ютэрных дысцыплін, фармацэўтычных дысцыплін і псіхалогіі, хіміі і мінералогіі, фізікі і навук аб Зямлі. У 1995 у Л.у. больш за 18,5 тыс. студэнтаў. Пры ун-це працуюць ін-ты, лабараторыі, н.-д. ўстановы, б-ка (з 1543; больш за 4,2 млн. тамоў), музеі (муз. інструментаў, медыцыны і прыродазнаўства, стараж. свету, егіпталогіі, манет і манускрыптаў), бат. сад, радыёстанцыя. У розны час у ім вучыліся У. фон Гутэн, Т.Мюнцэр, Г.В.Лейбніц, Г.Э.Лесінг, А.М.Радзішчаў, І.В.Гётэ, І.Г.Фіхтэ., Ф.Шлегель, В.Р.Вагнер, Ф.Ніцшэ і інш.; выкладалі К.Людвіг (у яго лабараторыі працаваў І.П.Паўлаў), А.В.Кольбе, В.Вунт, В.Ф.Оствальд і інш.

В.М.Навумчык.

т. 9, с. 191

ПАЗІТРО́НІЙ,

звязаная сістэма часціц электрона і пазітрона. Падобны на атам вадароду, дзе пратон заменены пазітронам. Мае масу, роўную 2 электронным, а памеры ўдвая большыя за памеры атама вадароду.

Утвараецца пры сутыкненнях павольных пазітронаў з атамамі рэчыва. У залежнасці ад узаемнай арыентацыі спінаў электрона і пазітрона адрозніваюць ортапазітроній (спіны часціц паралельныя; час жыцця τ = 1,4∙10​⁻⁷ с; распадаецца на 3 γ-кванты) і парапазітроній (антыпаралельныя; τ = 1,25∙10​⁻¹⁰ с; распадаецца на 2 γ-кванты).

Палярызаваны П., утвораны пазітронам, атрыманым пры бэта-распадзе, мае своеасаблівыя ўласцівасці: вектар яго спіна прэцэсіруе вакол напрамку магн. поля (тэарэтычна прадказана У.Р.Барышэўскім і эксперыментальна назіралася ў Ін-це фізікі Нац. АН Беларусі). Уласцівасці і час жыцця П. ў рэчыве адрозныя ад характарыстык свабоднага П. і вызначаюцца ўласцівасцямі рэчыва. Выкарыстоўваецца для вывучэння фіз.-хім. асаблівасцей рэчыва, напр., хуткіх хім. рэакцый атамарнага вадароду, працягласць працякання якіх параўнальная з часам жыцця П.

І.С.Сацункевіч.

т. 11, с. 517

ЛА́ЗЕРНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць тэхнал. прыёмаў і спосабаў апрацоўкі, змены ўласцівасцей, стану і формы матэрыялу або паўфабрыкату з дапамогай выпрамянення лазераў. Асн. аперацыі Л.т. звязаны з цеплавым дзеяннем лазернага выпрамянення (пераважна цвердацелых лазераў і газавых лазераў). Эфектыўнасць Л.т. абумоўлена высокай лакальнасцю і кароткачасовасцю ўздзеяння, вял. шчыльнасцю патоку энергіі ў зоне апрацоўкі, магчымасцю вядзення тэхнал. працэсаў у празрыстых асяроддзях (у вакууме, газе, вадкасці, цвёрдым целе). Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы і электравакуумнай тэхніцы, паліграфіі, машынабудаванні, у прам-сці буд. матэрыялаў для свідравання адтулін, рэзкі і скрайбіравання (нанясення малюнкаў на паверхню) плёнак і паўправадніковых пласцін, зваркі (гл. Лазерная зварка), загартоўкі, гравіроўкі, нарэзкі рэзістараў, рэтушы фоташаблонаў і інш.

Свідраванне адтулін звычайна робіцца імпульсным лазерам (працягласць імпульсу 0,1—1 мс) у любых матэрыялах (цвёрдых, крохкіх, тугаплаўкіх, радыеактыўных). Лазерам свідруюць алмазныя фільеры для валачэння дроту, стальныя і керамічныя фільеры для вытв-сці штучных валокнаў, рубінавыя камяні для гадзіннікаў, ферытавыя пласціны для запамінальных прыстасаванняў ЭВМ, дыяфрагмы электронна-прамянёвых прылад, керамічныя ізалятары, вырабы са звышцвёрдых сплаваў і інш. Лазерная рэзка вядзецца ў імпульсным і бесперапынным рэжыме, з падачай у зону рэзкі струменю газу (звычайна паветра або кіслароду). Выкарыстоўваецца для раздзялення дыэлектрычных і паўправадніковых падложак (таўшчынёй 0,3—1 мм), скрайбіравання паўправадніковых пласцін, рэзання крохкіх вырабаў са шкла, сіталу і пад. (метадам тэрмічнага расколвання) і інш. Фігурная апрацоўка паверхні — стварэнне мікрарэльефа на матэрыялах выпарэннем, тэрмаапрацоўкай, акісляльна-аднаўляльнымі і інш рэакцыямі, выкліканымі награваннем, тэрмастымуляванымі дыфузійнымі працэсамі. Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы, паліграфічнай прам-сці, пры апрацоўцы цвёрдых сплаваў, ювелірных камянёў і інш. У электроннай тэхніцы перспектыўныя кірункі Л.т.: паверхневы адпал паўправадніковых пласцін з мэтай узнаўлення структуры іх крышталічнай рашоткі пры іонным легіраванні, стварэнне актыўных структур на паверхні паўправаднікоў, атрыманне p-n-пераходаў метадам лакальнай дыфузіі з лазерным нагрэвам, нанясенне тонкіх метал. і дыэл. плёнак лазерным выпарэннем і інш. У фоталітаграфіі Л.т. выкарыстоўваюцца для вырабу звышмініяцюрных друкарскіх плат, інтэгральных схем, відарысаў і інш. элементаў мікраэлектроннай тэхнікі; у хім. і мікрабіял. вытв-сці — для селектыўнага стымулявання хім. і біял. актыўнасці малекул; у медыцыне — для лячэння скурных захворванняў, язваў страўніка, кішэчніка і інш. Магутныя (ад 1 кВт і вышэй) лазеры выкарыстоўваюцца для рэзкі і зваркі тоўстых стальных лістоў, паверхневай загартоўкі, наплаўлення і легіравання буйнагабарытных дэталей, ачысткі будынкаў ад паверхневых забруджванняў, рэзкі мармуру, граніту, раскрою тканіны, скуры і інш.

На Беларусі распрацоўкі па Л.т. вядуцца ў ін-тах Нац. АН (фізікі, малекулярнай і атамнай фізікі, фізіка-тэхнічным, прыкладной фізікі, фотабіялогіі і інш.), Ін-це прыкладных фіз. праблем БДУ, Гомельскім ун-це, у шэрагу галіновых НДІ.

Літ.:

Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов. М., 1985;

Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов: Пер. с англ. М., 1986;

Промышленное применение лазеров: Пер. с англ. М., 1988.

В.В.Валяўка, В.К.Паўленка.

т. 9, с. 101

МІКРАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна навукі і тэхнікі, якая забяспечвае стварэнне і сінтэз мікрамініяцюрных вырабаў рознага функцыянальнага прызначэння для радыёэлектроннай апаратуры (лініі затрымкі, фільтры, прылады ўзмацнення і апрацоўкі радыёэлектронных сігналаў і інш.); асн. раздзел электронікі. На аснове вырабаў М. створаны таксама высоканадзейныя з вял. аб’ёмам памяці камп’ютэры і камп’ютэрныя сістэмы вырашаюцца праблемы стварэння штучнага інтэлекту.

Грунтуецца на дасягненнях фізікі, хіміі, матэматыкі, матэрыялазнаўства і інш. Сярод вырабаў М. найб. пашыраны аналагавыя і лічбавыя інтэгральныя паўправадніковыя і гібрыдныя мікрасхемы (ІС; гл. Інтэгральныя схемы), прыборы з зарадавай сувяззю (напр., ПЗС-матрыца). Вырабы М. бываюць у выглядзе матрыцы (ці некалькіх матрыц) аднатыпных элементаў мікронных і субмікронных памераў. напр., транзістараў розных тыпаў (біпалярных, МДП) і іх эл. злучэнняў; напр., вял. ІС маюць да 10⁴ элементаў, звышвял. — да 10​⁶ і ультравял. — больш за 10​⁶ элементаў на крышталь. Вытв-сць паўправадніковых ІС ажыццяўляецца з выкарыстаннем сукупнасці тэхнал. працэсаў, заснаваных на фіз.-хім. метадах апрацоўкі паўправадніковых, метал. і дыэл. матэрыялаў, якія складаюць аснову планарнай тэхналогіі, сінтэз гібрыдных мікрасхем праводзіцца на аснове плёначнай тэхналогіі. М. развіваецца ў кірунку змяншэння памераў элементаў (гл. Мініяцюрызацыя), павышэння ступені інтэграцыі (вызначаецца шчыльнасцю ўпакоўкі) і хуткадзеяння (вызначаецца часам затрымкі сігналу) з абавязковай аптымізацыяй логікі работы мікрасхем, удасканаленнем структуры і ўласцівасцей традыцыйных (германій, крэмній) і новых (арсенід галію і інш.) паўправадніковых і дыэл.-матэрыялаў, тугаплаўкіх металаў. Асн. праблемы М. пры павышэнні ступені інтэграцыі звязаны з фундаментальнымі абмежаваннямі, абумоўленымі прыродай матэрыялаў і фіз. прынцыпамі функцыянавання, а таксама праблемамі ўзроўню ўласных шумоў і адводу цяпла.

На Беларусі даследаванні па праблемах М. вядуцца з сярэдзіны 1960-х г. у Фіз.-тэхн. ін-це, Ін-тах фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, электронікі Нац. АН, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, БДУ, НВА «Інтэграл» (у т.л. вытв-сць вырабаў М.) і інш.

Літ.:

Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2 изд. М., 1985;

Валиев К.А Микроэлектроника: достижения и пути развития. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

Л.І.Гурскі.

т. 10, с. 363

АЛГЕБРАІ́ЧНАЯ ГЕАМЕ́ТРЫЯ,

раздзел матэматыкі, які вывучае геаметрычныя аб’екты, звязаныя алг. ўраўненнямі, — алг. мнагастайнасці. Узнікла ў 17 ст. з увядзеннем у геаметрыю паняцця каардынат. У сярэдзіне 19 ст. алгебраічная геаметрыя выдзелілася з матэм. аналізу як тэорыя алг. крывых. У канцы 19 ст. італьян. вучоныя К.Сегрэ, Л.Крэмона і інш. стварылі тэорыю алг. паверхняў. У 1930-я г. матэматыкі галандскі Б.Л.Ван-дэр-Вардэн, ням. Г.Гасе і франц. А.Вейль стварылі асновы алгебраічнай геаметрыі над адвольным полем К. Падабенства тэорыі алг. крывых і тэорыі алг. лікаў стымулявала пошукі агульнай алг. асновы (амер. вучоны О.Зарыскі, франц. матэматыкі К.Шэвале і Ж.Сер). Асновай стала тэорыя схем (франц. матэматык А.Гратэндзік), дзе, напр., на геам. мове разглядаліся сістэмы алг. ураўненняў над адвольным камутатыўным кольцам, апісваліся ўласцівасці праектыўных мнагастайнасцяў. Алгебраічная геаметрыя звязана з тэорыяй функцый камплексных пераменных, лікаў тэорыяй, ураўненнямі матэматычнай фізікі і інш.

Літ.:

Шафаревич И.Р. Основы алгебраической геометрии. 2 изд. Т. 1—2. М., 1988;

Гриффитс Ф., Харрис Дж. Принципы алгебраической геометрии: Пер. с англ. Т. 1—2. М., 1982.

В.А.Ліпніцкі.

т. 1, с. 234