Verbum

СЕГНЕТАЭЛЕКТРЫ́ЧНАСЦЬ, фераэлектрычнасць,

сукупнасць электрычных і інш. уласцівасцей, характэрных для сегнетаэлектрыкаў, раздзел фізікі цвёрдага цела, які вывучае такія ўласцівасці. Сегнетаэл. ўласцівасці ўстаноўлены ў 1921 чэш. вучоным І.​Валашакам у крышталях сегнетавай солі (адсюль назва).

Арыентацыя многіх элементарных эл. дыпольных момантаў у сегнетаэлектрыку ў адным напрамку вядзе да ўзнікнення самаадвольна палярызаваных абласцей (даменаў), што абумоўлівае спецыфічныя фіз. ўласцівасці сегнетаэлектрыкаў: вял. значэнне дыэл. пранікальнасці, залежнае ад напружанасці эл. поля і т-ры, анамаліі цеплаёмістасці, п’езаэл. і інш. уласцівасцей, асабліва прыкметныя ў вобласці фазавага пераходу. Наяўнасць даменнай структуры вядзе да поўнай кампенсацыі макраскапічнай палярызацыі (адсутнічае «уніпалярнасць»), Раўнаважная даменная структура адпавядае мінімуму свабоднай энергіі крышталя. У ідэальных крышталях яна вызначаецца балансам паміж змяншэннем электрастатычнай энергіі пры ўтварэнні даменаў і энергіяй узніклых даменных сценак; у рэальных крышталях — акрамя таго, прыродай і размеркаваннем дэфектаў, а таксама перадгісторыяй узору. Паводле характару палярызацыі ячэек у даменах адрозніваюць сегнета-, антысегнета- і сегнетыэлектрыкі: у сегнетаэлектрыках усе ячэйкі маюць аднолькавы напрамак палярызацыі, у антысегнетаэлектрыках дамены складаюцца з антыпаралельна палярызаваных ячэек, якія маюць роўныя па модулі эл. моманты; у сегнетыэлектрыках эл. моманты элементарных ячэек скампенсаваны не поўнасцю і гэтыя матэрыялы маюць сегнета- і антысегнетаэлектрычныя ўласцівасці. Усе сегнетаэлектрыкі з’яўляюцца таксама піра- і п’езаэлектрыкамі. Каля Кюры пункта з-за адчувальнасці атамнай структуры крышталю да знешніх уздзеянняў многія яго ўласцівасці (дыэл., п’езаэл., электрааптычныя, пругкія і інш.) нелінейныя і экстрэмальныя. Акрамя таго дынаміка даменнай структуры істотная для анізатропных уласцівасцей крышталю ў сегнетафазе і таксама вядзе да іх нелінейнасці і ўзрастання. Такія крышталі выкарыстоўваюцца ў радыё-, опта-, акустаэлектроніцы і вымяральнай тэхніцы.

На Беларусі даследаванні па С. вядуцца ў Ін-це фізікі Нац. АН, БДУ, Бел. пед. ун-це, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Сонин АС., Струков Б.А. Введение в сегнетоэлектричество. М., 1970;

Струков Б.А., Леванюк АП. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. 2 изд. М., 1995;

Физика сегнетоэлектрических явлений. Л., 1985.

П.​А.​Пупкевіч.

т. 14, с. 293