Verbum

СЕГНЕТАЭЛЕ́КТРЫКІ, фераэлектрыкі,

дыэлектрычныя і паўправадніковыя крышталі, якія ў пэўным інтэрвале т-р (у сегнетаэлектрычнай фазе) пры адсутнасці знешніх палёў маюць спантанную (самаадвольную) палярызацыю (гл. Палярызацыя дыэлектрыкаў); асобная група піраэлектрыкаў (гл. Піраэлектрычнасць). Палярызацыя С. абумоўлена зрушэннем іонаў крышталічнай рашоткі адносна іх месцазнаходжання ў непалярызаваных крышталях, а таксама ўпарадкаваннем атамных груп, якія маюць эл. дыпольныя моманты.

Характэрныя асаблівасці С. у сегнетаэлектрычнай фазе (наяўнасць даменаў, сегнетаэлектрычнага гістэрэзіса, вял. дыэлектрычнай пранікальнасці, залежнай ад напружанасці эл. поля, і інш.) выяўлены ў сегнетавай солі (адсюль назва). У некат. крышталяў такая фаза назіраецца пры т-рах, меншых за Кюры пункт, вышэй якога С. страчваюць свае спецыфічныя ўласцівасці; існуюць крышталі, дзе яна абмежавана з двух бакоў пунктамі Кюры; некат. крышталі не маюць пункта Кюры і вобласць існавання сегнетаэл. фазы супадае з тэмпературнай вобласцю існавання крышталя; многія крышталі маюць некалькі сегнетаэл. фаз, якія адрозніваюцца рознай арыентацыяй палярызаванасці. Вядома некалькі соцень С., якія класіфікуюць паводле характару фазавага пераходу ў пункце Кюры, сіметрыі крышталёў і інш. З С. найб. вывучаны ніабат літыю, тытанаты барыю і стронцыю і інш. С. выкарыстоўваюцца ў розных галінах навукі і тэхнікі для ўзаемнага пераўтварэння гукавых і эл. сігналаў, вымярэння т-ры і ціску, у прыёмніках эл.-магн. хваль і інш. Гл. таксама Сегнетаэлектрычнасць.

На Беларусі даследаванні па фізіцы С. вядуцца з 1950-х г. у Ін-це фізікі Нац. АН пад кіраўніцтвам М.М.Сіраты; з 1960-х г. — таксама ў БДУ, Бел. пед. ун-це, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш. Эксперыментальна даследаваны асаблівасці фіз. уласцівасцей С. паблізу ад фазавых пераходаў, распрацаваны метады вырошчвання новых крышталічных С. і вывучаны залежнасці іх уласцівасцей ад умоў вырошчвання і інш.

Літ.:

Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы: Пер. с англ. М., 1981.

П.​А.​Пупкевіч.

т. 14, с. 293