Verbum

ПІН-ДЫЁД,

паўправадніковы дыёд з p-i-n-структурай. Адрозніваецца ад дыёдаў p-n-структуры наяўнасцю базавай вобласці з нізкай праводнасцю (i-вобласці) паміж p- і n-абласцямі з высокай праводнасцю ў крышталі паўправадніка. Такія дыёды маюць павышанае хуткадзеянне ў рэжыме пераключэння, высокае значэнне напружання прабою, малую паразітную ёмістасць. Выкарыстоўваюцца ў якасці высакавольтных магутных дыёдаў, пераключальных і абмежавальных ЗВЧ-дыёдаў, лавінна-пралётных дыёдаў, паўправадніковых дэтэктараў ядз. выпрамяненняў і інш.

т. 12, с. 363