Verbum

ПОЛІМАРФІ́ЗМ у хіміі,

здольнасць цвёрдых рэчываў і вадкіх крышталёў існаваць у некалькіх формах з рознай крышт. структурай. П. простых рэчываў прынята наз. алатропіяй; паняцце П. не адносіцца да некрышт. алатропных форм (напр., газападобных кіслароду і азону).

Розныя крышт. структурныя формы рэчыва наз. паліморфнымі мадыфікацыямі (звычайна абазначаюцца грэч. літарамі, напр., у волаве). П. пашыраны сярод рэчываў разнастайных класаў (простых, неарган. і арган.), напр., мадыфікацыі вугляроду, якія істотна адрозніваюцца паводле ўласцівасцей: алмаз і лансдэйліт, у якіх атамы аб’яднаны кавалентнымі сувязямі ў прасторавы каркас, графіт, карбін. П. малекулярных крышталёў праяўляецца ў рознай упакоўцы малекул з аднолькавымі структурнымі ф-ламі. Паліморфныя мадыфікацыі звычайна з’яўляюцца тэрмадынамічнымі фазамі. Узаемныя ператварэнні паліморфных мадыфікацый наз. паліморфнымі пераходамі. Паліморфныя пераходы падзяляюцца на пераходы I і II роду (гл. Фазавыя пераходы). Змяненне крышт. структуры пры пераходах II роду нязначнае. Асобны выпадак П. — політыпізм, які назіраецца ў некаторых крышталях са слаістай структурай (сульфіды цынку ZnS і малібдэну MoS₂, гліністыя мінералы і інш.). Палітыпы (палітыпныя мадыфікацыі) пабудаваны з аднолькавых слаёў ці слаістых «пакетаў» атамаў і адрозніваюцца спосабам і перыядычнасцю іх накладання (напр., для карбіду крэмнію вядома больш за 40 палітыпаў).

Літ.:

Верма А.Р., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах: Пер. с англ. М., 1969.

А.​П.​Чарнякова.

т. 12, с. 474

ПРУ́ГКІЯ ХВА́ЛІ,

механічныя ўзбурэнні, якія распаўсюджваюцца ў пругкім асяроддзі. Узнікаюць пры землетрасеннях, выбухах, ударах. Разнавіднасці П.х. — гукавыя хвалі і ультрагукавыя хвалі.

У вадкасцях і газах існуюць пераважна падоўжныя хвалі разрэджання-сціскання (часцінкі асяроддзя зрушваюцца ў напрамку распаўсюджання). У ізатропных цвёрдых целах, якія маюць пругкасць зруху, існуюць падоўжныя і папярочныя хвалі (часцінкі асяроддзя зрушваюцца ў напрамках, перпендыкулярных да распаўсюджання). У анізатропных асяроддзях (крышталях) П.х. падоўжна-папярочныя (часцінкі зрушваюцца ўздоўж трох узаемна перпендыкулярных напрамкаў, якія не супадаюць з напрамкам распаўсюджання). Паблізу паверхні цвёрдага асяроддзя могуць існаваць паверхневыя акустычныя хвалі. У абмежаваных цвёрдых целах (пласцінках, стрыжнях) узнікаюць т.зв. нармальныя П.х. — камбінацыя падоўжных і Папярочных хваль. На мяжы асяроддзяў П.х. адбіваюцца і пераламляюцца. Пры гэтым у цвёрдым асяроддзі ўзнікаюць і падоўжныя і папярочныя П.х. На перашкодах можа адбывацца дыфракцыя хваль і іх рассеянне. З-за ўнутр. трэння (вязкасці) і цеплаправоднасці асяроддзя П.х. затухаюць з адлегласцю (гл. Паглынанне хваль). Пры вял. амплітудах хваль іх узаемадзеянне з асяроддзем становіцца нелінейным. П.х. ўлічваюцца пры тэхн. разліках падмуркаў, станкоў, турбін, самалётаў, караблёў, пры рашэнні геафіз. задач (распаўсюджанне П.х. ад землетрасенняў, зрухаў зямной кары), пры кантролі ядз. выпрабаванняў.

Літ.:

Федоров Ф.И. Теория упругих волн в кристаллах. М., 1965;

Красильников В.А., Крылов В.В. Введение в физическую акустику. М., 1984.

А.​Р.​Хаткевіч.

т. 13, с. 47

ДАМЕ́НЫ,

вобласці хімічна аднароднага асяроддзя, якія адрозніваюцца эл., магн., пругкімі ўласцівасцямі або ўпарадкаванасцю размеркавання часціц. Утварэнне Д. звязана з фазавым пераходам крышталёў у стан з больш нізкай сіметрыяй; аналіз з дапамогай тэорыі груп дазваляе выявіць усе магчымыя віды Д. пры любым фазавым пераходзе. Д. бываюць: ферамагн., сегнетаэл., пругкія, Гана, у вадкіх крышталях і інш.

Вобласць, у якой адбываецца паступовы пераход ад аднаго Д. да другога, наз. мяжой Д. (даменнай сценкай); яе характэрная таўшчыня залежыць ад тыпу фазавага пераходу — ад некалькіх міжатамных адлегласцей для Д., якія адрозніваюцца атамна-крышталічнай структурай, да соцень і тысяч міжатамных адлегласцей у ферамагн. Д. Ферамагнітныя Д. — вобласці самаадвольнай (спантаннай) намагнічанасці; намагнічаныя да насычэння часткі аб’ёму ферамагнетыка, на якія ён распадаецца пры т-рах, меншых за кюры пункт; звычайна маюць памеры да 0,1 мм. Сегнетаэлектрычныя Д. — вобласці аднароднай спантаннай палярызацыі ў сегнетаэлектрыках; маюць памеры да 0,01 мм. Пругкія Д. — вобласці з рознай спантаннай дэфармацыяй, што ўзнікаюць у цвёрдай фазе пры яе ўтварэнні ўнутры або на паверхні інш. цвёрдай фазы; выяўляюцца пры ўпарадкаванні цвёрдых раствораў, мех. двайнікаванні і інш. Д. Гана — вобласці паўправаднікоў з розным удзельным эл. супраціўленнем і рознай напружанасцю эл. поля; утвараюцца ў паўправадніках з N-падобнай вольтампернай характарыстыкай (гл. Гана эфект).

П.​С.​Габец, П.​А.​Пупкевіч.

т. 6, с. 31

МЕЗО́ННАЯ ХІ́МІЯ,

раздзел хіміі, які вывучае атамныя сістэмы, дзе ядро атама заменена інш. дадатнай часціцай (напр., μ​⁺-мюонам, пазітронам) або электрон заменены інш. адмоўнай часціцай (напр., μ​⁻ мюонам, π​⁻- ці K​⁻-мезонам). Узнікла ў 1960-я г. ў сувязі з даследаваннямі хім. рэакцый, якія адбываюцца пры ўзаемадзеянні мюонаў з рэчывам. З дапамогай М.х. атрымліваюць даныя аб размеркаванні электроннай шчыльнасці, крышталічнай і магн. структуры рэчыва, механізме і скорасці хім. рэакцый.

Асн. кірункі даследаванняў у М.х.: π​⁻- і μ​⁻ М.х., вывучэнне паводзін μ​⁺-мюона ў рэчыве і рэакцый мюонія. У π​⁻- М.х. асн. з’яўляецца рэакцыя перазарадкі π​⁻-мезона на пратонах π​⁻ + p → n + π​⁰, імавернасць якой залежыць ад зараду ядра атама, з якім злучаны вадарод, тыпу сувязі паміж атамамі вадароду і інш., што дае магчымасць адрозніць хімічна звязаны вадарод ад свабоднага вадароду. У аснове μ​⁻- М.х. ляжыць вымярэнне энергій і інтэнсіўнасцей асобных ліній у рэнтгенаўскіх спектрах мезаатамаў. Асаблівасці рэнтгенаўскага выпрамянення μ​⁻-атамаў дазваляюць вызначыць элементны састаў узору, а таксама від хім. злучэння гэтых элементаў. μ​⁺-мюон і мюоній па сутнасці з’яўляюцца мечанымі атамамі, за рухам якіх можна сачыць ад моманту нараджэння да моманту распаду. Напр., лакальныя магн. палі ў крышталях узаемадзейнічаюць са спінам мюона і змяняюць карціну яго прэцэсіі, што дазваляе вывучаць характарыстыкі ўнутраных магн. палёў. На аснове вывучэння рэакцый мюонію робяць высновы аб рэакцыях атамарнага вадароду.

Літ.:

Кириллов-Угрюмов В.Г., Никитин Ю.П., Сергеев Ф.М. Атомы и мезоны. М., 1980;

Евсеев В.С., Мамедов Т.Н., Роганов В.С. Отрицательные мюоны в веществе. М., 1985.

т. 10, с. 259

ПРЫ́ЗМА АПТЫ́ЧНАЯ,

цела, абмежаванае плоскімі паверхнямі і празрыстае для аптычнага выпрамянення (святла) у пэўным інтэрвале частот (даўжынь хваль). Бывае дысперсійная (спектральная), адбівальная і палярызацыйная.

Дысперсійная П.а. прызначана для прасторавага раздзялення прамянёў з рознымі даўжынямі хваль. Яе дзеянне заснавана на залежнасці пераламлення паказчыка ад даўжыні хвалі святла (гл. Дысперсія святла). Адбівальная П.а. прызначана для змены напрамку светлавога пучка. Характэрная асаблівасць — святло ўнутры П.а. паслядоўна адбіваецца ад адной ці некалькіх яе граней і ў большасці выпадкаў гэта поўнае ўнутранае адбіццё. Выкарыстоўваецца ў аптычных сістэмах для змяншэння іх падоўжных памераў. Палярызацыйная П.а. служыць для атрымання плоскапалярызаванага святла (гл. Палярызацыя святла). Складаецца з 2 ці 3 трохгранных прызмаў, з якіх 1 (ці больш) зроблена з аптычна анізатропнага крышталю; складальныя склейваюць (канадскім бальзамам, гліцэрынай, рыцынай і інш.), часам яны раздзелены паветр. прамежкам. Святло падае на нахіленую мяжу падзелу двух асяроддзяў так, што ўмовы пераламлення для звычайнага і незвычайнага прамянёў (гл. Падвойнае праменепераламленне) розныя. У залежнасці ад асаблівасцей будовы П.а. могуць даваць 1 ці 2 выхадныя пучкі святла, палярызаваныя ва ўзаемна перпендыкулярных плоскасцях. Выкарыстоўваюцца як палярызатары і аналізатары.

В.​В.​Валяўка.

т. 13, с. 66

ІНСТЫТУ́Т ФІ́ЗІКІ ЦВЁРДАГА ЦЕ́ЛА І ПАЎПРАВАДНІКО́Ў Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1963 у Мінску на базе Аддзела фізікі і хіміі цвёрдага цела і паўправаднікоў АН Беларусі (існаваў з 1958). У ін-це 15 навук. падраздзяленняў, аспірантура, савет па абароне канд. і доктарскіх дысертацый.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: фізіка цвёрдага цела; вывучэнне прыроды міжатамных узаемадзеянняў у цвёрдых целах; стварэнне новых паўправадніковых, магн., сегнетаэлектрычных, звышцвёрдых, звышправодных матэрыялаў і вывучэнне іх уласцівасцей. Даследаваны: дынаміка крышт. рашоткі і фазавыя пераходы ў магн., сегнетаэл. і звышправодных матэрыялах; гальванамагн. і магнітааптычныя ўласцівасці металаў і паўправаднікоў пры нізкіх т-рах; уласцівасці створаных магнітарэзістыўных матэрыялаў на аснове складаных аксідаў і новых метастабільных магн і сегнетаэл. фаз; працэсы ўтварэння радыяцыйных дэфектаў у цвёрдых целах; заканамернасці адбіцця лазерных промняў ад узмацняльных і нелінейных асяроддзяў. Распрацаваны: тэорыя нестацыянарных кагерэнтных з’яў у цвердацелых матрыцах; метады стварэння высокатэмпературных звышправаднікоў у выглядзе монакрышталёў, плёнак і валакністых структур, высакаякасных нелінейнааптычных крышталёў, паўправадніковых і прасторава-мадуляваных магн. плёнак; метады выкарыстання іанізавальных выпрамяненняў у тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых прылад; сінтэз крышталёў алмазу, кубічнага нітрыду бору і на іх аснове кампазіцыйных звышцвёрдых матэрыялаў для стварэння спец. рэжучага і шліфавальнага інструменту. Укаранёна ў вытв-сць распрацаваная тэхналогія атрымання ферытавых матэрыялаў з мясц. сыравіны для вырабу ферытавых прылад радыё- і тэлевізійнай тэхнікі; створаны электронныя датчыкі, п’езаэлектрычныя матэрыялы і вырабы на іх аснове для акустаэлектронікі. Выдадзены зборнікі навук. прац: «Ферыты» (вып. 1—2, 1960—63), «Хімічная сувязь у крышталях» (1969), «Радыяцыйная фізіка неметалічных крышталёў» (1970), «Крышталізацыя і фазавыя ператварэнні» (1971), «Кінетыка і механізм крышталізацыі» (1973). У ін-це працавалі акад. АН Беларусі М.М.Сірата, чл.-кар. Я.М.Лабанаў, працуюць акад. Нац. АН Беларусі М.М.Аляхновіч (дырэктар з 1993), Б.Б.Бойка, чл.-кар. Ф.П.Коршунаў.

А.​П.​Сайко.

т. 7, с. 274

КРЫШТАЛЯГРА́ФІЯ (ад крышталі + ...графія),

навука пра крышталі і крышт. стан матэрыі. Вывучае вонкавую форму, унутр. будову, фіз. ўласцівасці, рост, разбурэнне, сувязь паміж будовай і хім. саставам крышталёў. Даследуе прыродныя і сінт. крышталі. Падзяляецца на крышталяфізіку, крышталяхімію, геам. К. і крышталегенезіс. Геаметрычная К. вывучае вонкавую і ўнутр. сіметрыю крышталёў, формы крышт. мнагаграннікаў; крышталегенезіс — вывучэнне працэсаў зараджэння і росту крышталёў, іх фазавых пераходаў, структурных дэфектаў, зросткаў і інш. Звязана з мінералогіяй, петраграфіяй, геахіміяй і інш.

Зарадзілася ў старажытнасці. Як самаст. навука развіваецца з 2-й пал. 17 ст., з адкрыццём законаў пастаянства вуглоў у крышталях (Н.​Стэна, 1669), падвойнага праменепраламлення (Э.​Барталін, 1669), пастаянства пунктаў плаўлення крышт. рэчываў (Р.​Гук, 1668), з’явы аднароднасці і анізатропнасці крышталёў. Першы дапаможнік па К. апублікаваны Н.​Рамэ дэ Лілем (1772). У 2-й пал. 18 ст. М.​В.​Ламаносаў, Р.Ж.Гаюі (1784) і інш. выказалі меркаванне пра рашэцістую будову крышталёў. У 18—19 ст. Гаюі, А.​В.​Гадалін, Г.​В.​Вульф і інш. распрацавалі вучэнне пра сіметрыю крышталёў, яе развіў Я.С.Фёдараў (1890). У 19—20 ст. пачалося аптычнае вывучэнне шліфаў горных парод. Адкрыццё з’явы дыфракцыі рэнтгенаўскіх прамянёў (ням. фізік М.​Лаўэ, 1912) і распрацоўка метадаў рэнтгенаструктурнага аналізу (англ. фізікі У.Г. і У.Л.Брэг, 1913) дазволілі расшыфраваць крышт. структуру матэрыі. Уклад у К. зрабілі сав. вучоныя М.В.Бялоў, А.В.Шубнікаў, І.​В.​Абраімаў. Г.​Б.​Бокій, А.​І.​Кітайгародскі, І.​І.​Шафраноўскі і інш.

Прыкладное значэнне К. — распрацоўка метадаў штучнага вырошчвання крышталёў з папярэдне зададзенымі якасцямі, стварэнне новых сінт. матэрыялаў. Развіваецца вытв-сць сінт. крышталёў (кварцу, алмазу, германію, крэмнію і інш.).

Літ.:

Уиттекер Э. Кристаллография: Пер. с англ. М., 1983;

Егоров-Тисменко Ю.К., Литвинская Г.П., Загальская Ю.Г. Кристаллография. М., 1992.

С.​А.​Ціханаў.

т. 8, с. 529

ВАЛЕ́НТНАСЦЬ (ад лац. valentia сіла),

здольнасць атама хім. элемента ўтвараць пэўную колькасць хімічных сувязяў з інш. атамамі. Паняцце «валентнасць» увёў англ. хімік Э.Франкленд (1853). Велічыня валентнасці атама хім. элемента вызначаецца колькасцю атамаў вадароду (прынята лічыць аднавалентным), якія ён далучае пры ўтварэнні гідрыдаў (злучэнні з вадародам). Напр., атам хлору далучае 1 атам вадароду (хлорысты вадарод HCl), атам кіслароду — 2 атамы (вада H₂O), таму валентнасць хлору і кіслароду ў гэтых злучэннях адпаведна 1 і 2. Паняцце «валентнасць» атрымала развіццё ў квантава-хім. тэорыі хім. сувязі. Паводле гэтай тэорыі велічыня валентнеасці атама (спін-валентнасць) вызначаецца колькасцю электронных пар, якія фарміруюцца пры ўтварэнні хім. сувязяў паміж дадзеным і інш. атамамі за кошт абагульнення іх электронаў з няспаранымі спінамі. Электроны атама, якія могуць удзельнічаць у фарміраванні агульных электронных пар, наз. валентнымі (электроны вонкавых электронных слаёў). У атамах элементаў з недабудаваным перадапошнім слоем (напр., у атамаў жалеза Fe, марганцу Mn, вальфраму W) валентнымі могуць быць і некаторыя электроны гэтага слоя. Многія элементы маюць пераменную валентнасць (напр., у серавадародзе H₂S, аксідах SO₂ і SO₃ валентнасць серы адпаведна 2, 4, 6).

Валентнасць вызначаецца толькі колькасцю кавалентных сувязяў. Для злучэнняў з іоннай сувяззю выкарыстоўваецца паняцце акіслення ступень, якая колькасна роўная валентнасці, але дадаткова характарызуецца дадатным ці адмоўным знакам. У комплексных злучэннях і іонных крышталях каардынацыйны лік атамаў (іонаў) перавышае велічыню спін-валентнасці, таму карыстаюцца паняццем каардынацыйнай валентнасці, якая колькасна роўная суме спін-валентнасці і колькасці атамаў (іонаў), дадаткова звязаных з валентнанасычаным атамам. Напр., у комплексным злучэнні гексафтораалюмінат (III) натрыю Na₃[AlF₆] спін-валентнасць атама алюмінію 3, ступень акіслення +3, але пры ўтварэнні злучэння з AlF₃ і NaF атам валентнанасычанага Al дадаткова хімічна звязваецца з 3 іонамі F​⁻, таму каардынацыйная валентнасць алюмінію ў гэтым злучэнні 6. Гл. таксама Комплексныя злучэнні, Малекула, Крышталі.

Літ.:

Чаркин О.П. Проблемы теории валентности, химической связи, молекулярной структуры. М., 1987.

В.​В.​Свірыдаў.

т. 3, с. 479

ІНДЫКА́ТАР (ад лац. indicator паказальнік),

прылада (прыстасаванне, элемент) для паказу параметраў працэсаў або станаў аб’ектаў у форме, зручнай для непасрэднага ўспрымання. Бываюць сігнальныя і вымяральныя, візуальныя, акустычныя, тактыльныя і І. пахаў.

Сігнальныя І. — лямпачкі, святлодыёды. званкі, рычагі, мех. паказальнікі і інш. Стрэлачныя І. гэтага тыпу маюць спрошчаныя шкалы, на якіх адзначаюцца толькі вобласці нармальных і небяспечных значэнняў кантралюемых параметраў. Вымяральныя І. адлюстроўваюць колькасныя паказчыкі працэсаў і станаў аб’ектаў (стрэлачныя і лічбавыя І. вымяральных прылад). Найб. пашыраны візуальныя І. — газаразрадныя індыкатары, сігнальныя лямпачкі, святлодыёды, стрэлачныя і лічбавыя прыстасаванні, электронна-прамянёвыя трубкі (ЭПТ), прыстасаванні адлюстравання на вадкіх крышталях і інш. Дасканалыя І. персанальных ЭВМ — дысплеі, маніторы, экраны; забяспечваюць большую нагляднасць, інфармацыйную насычанасць, разнастайнасць форм адлюстравання (чорна-белыя і каляровыя; графікі, сімвалы, відарысы аб’ектаў, сродкі мультымедыя і інш.); здольныя імітаваць «эфект прысутнасці» аператара ў пэўных абставінах (напр., пры рабоце камп’ютэрных трэнажораў па пілатаванні самалётаў). Мнеманічныя экраны (са святлівымі элементамі, якія адпавядаюць агрэгатам або вузлам прамысл. устаноўкі) пад кіраваннем камп’ютэра інфармуюць аператара пра стан аб’екта (гл. Мнеманічная схема). На аснове ЭПТ і дысплеяў пабудаваны індыкатарныя устройствы радыё- і гідралакацыйных станцый. Акустычныя І. — званкі, сірэны, равуны, трашчоткі і інш.; выкарыстоўваюцца пры немагчымасці або немэтазгоднасці ўжывання візуальных І., а таксама для разгрузкі зрокавага ўспрымання назіральніка ці павышэння надзейнасці ўспрымання візуальных сігналаў. Тактыльныя І. ўздзейнічаюць на органы дотыку, выкарыстоўваюцца звычайна разам з візуальнымі і акустычнымі, калі неабходна хуткая рэакцыя назіральніка або калі інш. І. немэтазгодныя (напр., вібрацыйныя прыстасаванні выкліку абанента ў пэйджэрах). Гл. таксама Ізатопныя індыкатары, Індыкатары хімічныя.

Літ.:

Пул Г. Основные методы и системы индикации: Пер. с англ. Л., 1969;

Чачко А.Г. Человек за пультом. М., 1974.

В.​І.​Вараб’ёў.

т. 7, с. 243

ОПТАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна электронікі, якая вывучае і выкарыстоўвае ўласцівасці ўзаемадзеяння эл.-магн. хваль аптычнага дыяпазону з электронамі ў цвёрдых, вадкіх і газападобных рэчывах для генерацыі, перадачы, захоўвання, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі. Як самастойная галіна навукі і тэхнікі пачала фарміравацца ў 1960-я г. Грунтуецца на дасягненнях фіз. оптыкі, малекулярнай фізікі, фізікі і тэхнікі паўправаднікоў, лазераў, схематэхнікі і інш.

Умоўна падзяляецца на фатоніку (даследуе метады стварэння прылад захоўвання, перадачы, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі, выяўленай у выглядзе аптычных сігналаў), радыёоптыку (дастасоўвае прынцыпы і метады радыёфізікі да оптыкі) і аптроніку (даследуе метады стварэння аптронных схем — электронных прылад з унутр. аптычнымі сувязямі). Оптаэлектронныя прылады адрозніваюцца неўспрымальнасцю аптычных каналаў сувязі да ўздзеянняў эл. магн. палёў, поўнай гальванічнай развязкай у прыладах з унутр. аптычнымі сувязямі, падвойнай (прасторавай і часавай) мадуляцыяй святла, што дазваляе апрацоўваць вял. масівы інфармацыі. Перавагі оптаэлектронных прылад (у параўнанні з вакуумнымі і паўправадніковымі) грунтуюцца на эл. нейтральнасці квантаў аптычнага выпрамянення (фатонаў), высокай частаце аптычных ваганняў, малой разбежнасці светлавых прамянёў і магчымасці іх дастаткова вострай факусіроўкі.

На Беларусі даследаванні па праблемах О. вядуцца з пач. 1970-х г. у ін-тах фізікі, электронікі, малекулярнай і атамнай фізікі, прыкладной оптыкі, фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, фіз.-тэхн. Нац. АН, БДУ, БПА, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш. Развіты метады і створаны прыстасаванні для захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі на эл.-аптычных, фотахромных, фотатэрмапластычных і оптавалаконных структурах; развіта тэорыя аптычных хваляводаў і створаны прылады інтэгральнай оптыкі; распрацаваны дыфракцыйныя прыстасаванні з эл. кіраваннем; тэхналогія знакасінтэзавальных індыкатараў на вадкіх крышталях; метады і сістэмы для атрымання відарысаў, аптычнай памяці з выкарыстаннем бістабільнасці паўправадніковых структур, многаканальнай перадачы інфармацыі і інш.

Літ.:

Осинский В.И. Интегральная оптоэлектроника. Мн., 1977;

Интегральная оптоэлектроника: Элементы, устройства, технология. М., 1990.

Л.​І.​Гурскі.

т. 11, с. 441