Verbum

КРЫШТАЛЯГРА́ФІЯ (ад крышталі + ...графія),

навука пра крышталі і крышт. стан матэрыі. Вывучае вонкавую форму, унутр. будову, фіз. ўласцівасці, рост, разбурэнне, сувязь паміж будовай і хім. саставам крышталёў. Даследуе прыродныя і сінт. крышталі. Падзяляецца на крышталяфізіку, крышталяхімію, геам. К. і крышталегенезіс. Геаметрычная К. вывучае вонкавую і ўнутр. сіметрыю крышталёў, формы крышт. мнагаграннікаў; крышталегенезіс — вывучэнне працэсаў зараджэння і росту крышталёў, іх фазавых пераходаў, структурных дэфектаў, зросткаў і інш. Звязана з мінералогіяй, петраграфіяй, геахіміяй і інш.

Зарадзілася ў старажытнасці. Як самаст. навука развіваецца з 2-й пал. 17 ст., з адкрыццём законаў пастаянства вуглоў у крышталях (Н.​Стэна, 1669), падвойнага праменепраламлення (Э.​Барталін, 1669), пастаянства пунктаў плаўлення крышт. рэчываў (Р.​Гук, 1668), з’явы аднароднасці і анізатропнасці крышталёў. Першы дапаможнік па К. апублікаваны Н.​Рамэ дэ Лілем (1772). У 2-й пал. 18 ст. М.​В.​Ламаносаў, Р.Ж.Гаюі (1784) і інш. выказалі меркаванне пра рашэцістую будову крышталёў. У 18—19 ст. Гаюі, А.​В.​Гадалін, Г.​В.​Вульф і інш. распрацавалі вучэнне пра сіметрыю крышталёў, яе развіў Я.С.Фёдараў (1890). У 19—20 ст. пачалося аптычнае вывучэнне шліфаў горных парод. Адкрыццё з’явы дыфракцыі рэнтгенаўскіх прамянёў (ням. фізік М.​Лаўэ, 1912) і распрацоўка метадаў рэнтгенаструктурнага аналізу (англ. фізікі У.Г. і У.Л.Брэг, 1913) дазволілі расшыфраваць крышт. структуру матэрыі. Уклад у К. зрабілі сав. вучоныя М.В.Бялоў, А.В.Шубнікаў, І.​В.​Абраімаў. Г.​Б.​Бокій, А.​І.​Кітайгародскі, І.​І.​Шафраноўскі і інш.

Прыкладное значэнне К. — распрацоўка метадаў штучнага вырошчвання крышталёў з папярэдне зададзенымі якасцямі, стварэнне новых сінт. матэрыялаў. Развіваецца вытв-сць сінт. крышталёў (кварцу, алмазу, германію, крэмнію і інш.).

Літ.:

Уиттекер Э. Кристаллография: Пер. с англ. М., 1983;

Егоров-Тисменко Ю.К., Литвинская Г.П., Загальская Ю.Г. Кристаллография. М., 1992.

С.​А.​Ціханаў.

т. 8, с. 529

ДЭФЕ́КТЫ Ў КРЫШТА́ЛЯХ,

парушэнні перыядычнасці размяшчэння часціц у крышталічнай рашотцы. Узнікаюць пры росце крышталёў ці іх фазавых ператварэннях, цеплавых, мех., эл. і інш. уздзеяннях, увядзенні дамешкаў. Адрозніваюць дэфекты кропкавыя (нульмерныя), лінейныя (аднамерныя), паверхневыя (двухмерныя) і аб’ёмныя (трохмерныя).

Кропкавыя дэфекты — парушэнні перыядычнасці ўласнай атамнай структуры крышталя: вакансіі атамы і іоны, што перамясціліся з нармальнага становішча ў міжвузелле (міжвузельныя атамы і іоны); атамы і іоны ў крышталях хім. злучэнняў, якія займаюць вузлы «чужой» падрашоткі; дэфекты, што ўзнікаюць пры ўвядзенні ў крышталь дамешкавых атамаў. Узаемадзеянне такіх дэфектаў паміж сабой прыводзіць да ўзнікнення складаных дэфектаў: дывакансій (падвойных вакансій), кластараў (скопішчаў дэфектаў) і інш. Лінейныя дэфекты — ланцужкі кропкавых дэфектаў, краявыя і вінтавыя дыслакацыі. Паверхневыя дэфекты: няправільна ўкладзеныя слаі атамаў (дэфекты ўпакоўкі); заканамерныя парушэнні нармальнага чаргавання атамных плоскасцей; дэфекты двайнікавання з кропкавай сіметрыяй; межы ўключэнняў; сама паверхня крышталя і інш. Аб’ёмныя дэфекты: парушэнні, звязаныя з адхіленнем ад законаў стэхіяметрыі; скопішчы вакансій; нерэгулярныя ўтварэнні ў выглядзе расколін, пустот, уключэнняў іншай фазы; скопішчы дамешкаў на дыслакацыях, у зонах росту і інш. макраскапічныя дэфекты. Д. ў к. уплываюць на мех., аптычныя, эл., магн. і інш. ўласцівасці крышталёў. У дасканалай крышт. рашотцы рух атамаў і іонаў немагчымы; у крышталях з дэфектамі міграцыя атамаў абумоўлівае ўзаемную дыфузію цвёрдых цел, хім. цвердафазныя рэакцыі і інш. з’явы. Д. ў к. могуць уводзіцца мэтанакіравана або ўзнікаць выпадкова пад уздзеяннем фактараў, якія не кантралююцца. Спец. ўвядзенне дэфектаў або іх выдаленне — важная частка тэхналогіі вытв-сці паўправадніковых матэрыялаў, люмінафораў, лазерных і фотахромных крышталёў і шкла, паўправадніковых прылад. Шчыльнасць непажаданых дэфектаў памяншаецца ўдасканаленнем метадаў вырошчвання і апрацоўкі крышталёў. Д. ў к. вывучаюцца аптычнымі метадамі, іоннай і электроннай мікраскапіяй, метадам выбіральнага траўлення, рэнтгенадыфракцыйнымі і ядз.-фіз. метадамі.

Літ.:

Современная кристаллография Т. 2. М., 1979;

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981;

Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., 1983;

Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах. М., 1983.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 6, с. 364

ІНСТЫТУ́Т ЭЛЕКТРО́НІКІ Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Засн. ў 1973 на базе Лабараторыі электронікі АН Беларусі (існавала з 1961). У ін-це (1998) 10 лабараторый, аспірантура, савет па абароне канд. і доктарскіх дысертацый.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: фіз. асновы оптаэлектронікі і аптычныя метады апрацоўкі інфармацыі; фіз. асновы мікраэлектронікі, у межах якіх распрацоўкі накіраваны на стварэнне элементнай базы для звышхуткадзейных і высокапрадукцыйных сістэм атрымання, захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі; оптаэлектронных элементаў і прылад для аптычнай (у т. л. лазерна-галаграфічных сістэм) апрацоўкі інфармацыі, валаконна-аптычных ліній сувязі, вымяральнай тэхнікі і фотааўтаматыкі; оптыка-электронных, магн.-эл. і інш. пераўтваральнікаў для сістэм кантролю і вымярэння; вакуумных мікраэлектронных прылад для экстрэмальных умоў эксплуатацыі, прылад мікрамеханікі і мікрасенсорыкі; матэрыялаў для мікраэлектронікі і нанатэхналогій. Вынікі навук. даследаванняў: распрацаваны новыя матэрыялы для мікраэлектронікі; метады і сродкі прасторавай і прасторава-часавай мадуляцыі светлавых патокаў, якія забяспечваюць эфектыўнае пераўтварэнне двух- і аднамерных аптычных сігналаў; распрацаваны і створаны фотапрыёмнікі і фотапрыёмныя структуры для валаконна-аптычных ліній сувязі, сістэм аўтафакусіроўкі, рэгістрацыі звышслабых свячэнняў; высокаадчувальныя фотарэзістары і на іх аснове створаны оптаэлектронныя пераўтваральнікі для нанавальтметраў і мультыметраў; створаны спецыялізаваныя высокакагерэнтныя цвердацелыя лазеры для патрэб аптычнай лакацыі, галаграфіі і неразбуральнага кантролю вібратрываласных характарыстык вырабаў машынабудавання метадамі галаграфічнай інтэрфераметрыі, алюма-аксідная тэхналогія стварэння вакуумнай мікраэлектронікі, мікрамеханікі і нанаэлектронікі, вакуумныя інтэгральныя схемы для экстрэмальных умоў эксплуатацыі пры высокіх узроўнях т-р і радыяцыі; выпрацаваны прынцыпы пабудовы высокаадчувальных вымяральнікаў кампанентаў вектара індукцыі магн. поля Зямлі; створана апаратура арыентацыі галаўных частак метэаракет, вымярэння траекторый ствалоў свідравін у працэсе бурэння, спектрафотаметрычная апаратура, якая ўстанаўліваецца на ШСЗ для даследаванняў азонасферы Зямлі, шэраг высокапрадукцыйных сістэм аўтаматызаванага высокадакладнага вымярэння і кантролю памераў вырабаў электроннай тэхнікі, валаконнай оптыкі, а таксама субмікронных часцінак у тэхнал. асяроддзях; устаноўлены заканамернасці структурных і фазавых пераўтварэнняў у тонкіх паўправадніковых і метал. плёнках, сістэмах метал-паўправаднік пры імпульсным лазерным уздзеянні. Распрацоўкі ін-та адзначаны Дзярж. прэміяй СССР (1985), Дзярж. прэміямі Беларусі (1982, 1996), ЛКСМБ (1974). У Ін-це працаваў чл.-кар. АН СССР В.М.Аўдзееў; працуюць акад. Нац. АН Беларусі У.А.Піліповіч і чл.-кар. А.А.Кавалёў.

Я.​К.​Чаховіч.

т. 7, с. 275

ІНСТЫТУ́Т ЦЕ́ПЛА- І МАСААБМЕ́НУ ІМЯ́ А.В.ЛЫ́КАВА,

Акадэмічны навуковы комплекс Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Засн. ў 1952 у Мінску на базе энергет. сектара (існаваў з 1946) Ін-та торфу АН Беларусі. У 1952—63 Ін-т энергетыкі, з 1963 Ін-т цепла- і масаабмену, з 1990 — Акадэмічны навук. комплекс «Ін-т цепла- і масаабмену імя А.​В.​Лыкава» (АНК ІЦМА). З ін-та вылучыліся: Ін-т ядз. энергетыкі (цяпер АНК «Сосны»), Ін-т водных праблем (цяпер Цэнтр. НДІ комплекснага выкарыстання водных рэсурсаў), Бел. філіял Энергет. ін-та імя Г.​М.​Кржыжаноўскага (з 1986 Бел. н.-д. цеплаэнергет. ін-т). У складзе АНК ІЦМА (1998): 22 лабараторыі, канструктарска-тэхнал. падраздзяленні, доследная вытв-сць. Ін-т выдае «Инженерно-физический журнал», пры ім рэдакцыі ад СНД міжнар. час. «Heat and Mass Fransfer» і амер. час. «Цеплаперанос». Аспірантура з 1952, дактарантура з 1991.

Асн. кірункі навук. даследаванняў: цепла- і масаперанос у капілярна-порыстых целах, дысперсных сістэмах, рэалагічных асяроддзях, турбулентных неаднародных патоках, нізкатэмпературнай плазме і пры ўзаемадзеянні выпрамянення з рэчывам; тэхналогія і тэхніка сушкі; плазменныя тэхналогіі; энергазберагальныя цепламасаабменныя тэхналогіі, прылады і сістэмы дыягностыкі цеплавых і гідрагазадынамічных працэсаў; навук. асновы энергазберажэння і энергетыкі; спальванне цвёрдых паліваў і адходаў; высокадакладнае паліраванне оптыкі і керамікі; цеплавыя працэсы ў біял. аб’ектах і ў дачыненні да задач навук. і практычнай медыцыны; мембранны масаперанос; цеплаабменнікі на цеплавых трубах, цеплавыя помпы, халадзільнае абсталяванне; цеплафіз. ўласцівасці рэчываў; працэсы ў нераўнаважных сістэмах; ачыстка газавых выкідаў і вадкіх асяроддзяў; прамочванне шпал і драўніны; распрацоўка навук. асноў цепламасаабменных тэхнал. працэсаў і апаратаў, геліятэхнікі і геліяэнергетыкі. У канцы 1950 — пач. 1960-х г. даследаванні ін-та былі зарыентаваны на патрэбы касм. і авіяц. тэхнікі, энергетыкі, у т. л. атамнай, на стварэнне цепламасаабменных тэхнал. працэсаў і апаратаў шырокага прызначэння для нар. гаспадаркі. Праведзены тэарэтыка-эксперым. даследаванні ўзаемазвязанага цепла- і масаабмену ў капілярна-порыстых целах, дысперсных сістэмах, рэалагічных асяроддзях, аэратэрмааптычных прыстасаваннях і генератарах нізкатэмпературнай плазмы. Сфармулявана сістэма ўраўненняў, якая апісвае працэсы пераносу энергіі і рэчыва ў асяроддзі пры фазавых і хім. пераўтварэннях, разнастайных знешніх уздзеяннях і ва ўмовах плыні. Пастаўлены і разгледжаны спалучаныя задачы цеплаабмену; прапанавана сістэма дыферэнцыяльных ураўненняў узаемазвязанага цепламасапераносу, якая выкарыстоўваецца для аналізу і апісання кінетыкі хіміка-тэхнал. працэсаў, праектавання новых высокаінтэнсіўных тэхналогій. Атрыманы вынікі ў вывучэнні і апісанні заканамернасцей з’яў і працэсаў пераносу энергіі і рэчыва. Дасягненні супрацоўнікаў ін-та адзначаны Дзярж. прэміямі Беларусі ў галіне навукі і тэхнікі (1980) і ў галіне навукі (1992), прэміямі СМ СССР (1982, 1983). У Ін-це працавалі праф. І.​П.​Валошын (дырэктар у 1952—56), акад. АН Беларусі А.В.Лыкаў, М.А.Ельяшэвіч, А.К.Красін, Р.І.Салаухін, чл.-кар. С.С.Забродскі, Б.М.Смольскі; працуюць акад. Нац. АН Беларусі А.Р.Мартыненка (дырэктар з 1987), Б.А.Калавандзін, А.Г.Шашкоў, чл.-кар. Н.М.Дарожкін, М.У.Паўлюкевіч. Ін-т узнагароджаны ордэнам Прац. Чырв. Сцяга (1969), Ганаровай Граматай Вярх. Савета БССР (1977).

У.​Л.​Драгун.

т. 7, с. 274