Verbum

РАМАНЬКО́Ў (Аляксандр Анатолевіч) (н. 7.11.1953, г. Карсакаў Сахалінскай вобл., Расія),

бел. спартсмен (фехтаванне на рапірах). Засл. майстар спорту СССР (1975). Засл. дзеяч фіз. культуры Беларусі. Скончыў Бел. ін-т фіз. культуры (1977). З 1973 у Спарт. к-це Беларусі. Чэмпіён і бронз. прызёр XXIV Алімп. гульняў (1988, Сеул), сярэбраны прызёр XXI Алімп. гульняў (1976, г. Манрэаль, Канада), сярэбраны і бронз. прызёр XXII Алімп. гульняў (1980, Масква). 5-разовы чэмпіён свету ў асабістым і 5-разовы — у камандным заліку. 6-разовы чэмпіён СССР у асабістым заліку.

т. 13, с. 299

ДУ́ПЛЕКСНАЯ СУ́ВЯЗЬ,

сістэма двухбаковай электрасувязі паміж двума абанентамі па адной фіз. лініі (аднаму каналу сувязі) з адначасовай перадачай паведамленняў у абодвух напрамках. Гл. таксама Сімплексная сувязь.

т. 6, с. 261

ЗАГАРТО́ЎВАННЕ АРГАНІ́ЗМА,

павышэнне ўстойлівасці арганізма да ўздзеяння неспрыяльных фіз. фактараў навакольнага асяроддзя (нізкай і высокай т-р, паніжанага атм. ціску і інш.). Заснавана на здольнасці арганізма прыстасоўвацца да зменлівых умоў асяроддзя (гл. Адаптацыя). Набываецца шляхам сістэматычнага, шматразовага ўздзеяння фіз. фактараў на -арганізм пры паступовым павышэнні іх дазіроўкі. Уздзеянне холадам павышае ўстойлівасць арганізма да нізкіх, а цяплом — да высокіх т-р. Адно з асноўных — З.а. да холаду, сутнасць якога ў паступовым нарастанні ступені ахаладжэння. У людзей, прыстасаваных да нізкіх т-р, цеплаўтварэнне ў арганізме больш інтэнсіўнае, што забяспечвае лепшае кровазабеспячэнне скуры, павышае ўстойлівасць да інфекц. захворванняў і абмаражэнняў. З.а. да холаду ажыццяўляюць пераважна частым знаходжаннем на вольным паветры (гл. Аэратэрапія) і выкарыстаннем водных працэдур (гл. Водалячэнне). Магчыма і адначасовае З.а. да цяпла і холаду (гл. Лазня). Для развіцця ўстойлівасці арганізма да паніжанага атм. ціску можна выкарыстоўваць узыходжанне ў горы (метад ступеньчатай акліматызацыі). Пры спыненні З.а. ступень загартаванасці слабее і праз 1—1,5 месяцы ўстойлівасць да фіз. фактараў знікае.

т. 6, с. 496

ПАТЭНЦЫЯ́Л у фізіцы,

характарыстыка фіз. сілавых палёў (эл., магн., гравітацыйных), а таксама палёў вектарных фіз. велічынь (напр., поля скарасцей у вадкасці). Ідэя П. напанавана прапанавана Ж.Л.Лагранжам (1775) і П.С.Лапласам (1782), тэорыя створана незалежна Дж.Грынам (1828) і К.Ф.Гаўсам (1840).

Для вектарнага поля $\overrightarrow{a}=\overrightarrow{a}\text{(}x,y,z\text{)}$ , зададзенага ў пункце з каардынатамі x, y, z, П. (патэнцыяльнай функцыяй) з’яўляецца такая скалярная функцыя U = U(x, y, z), што $\overrightarrow{a}=gradU$ (гл. Градыент); у гэтым выпадку вектарнае поле $\overrightarrow{a}$ наз. патэнцыяльным. Часам П. наз функцыю φ(x, y, z) = −U(x, y, z). П. выкарыстоўваецца для апісання узаемадзеяння часціцы з полем і адшукання фіз. палёў па зададзеных размеркаваннях іх крыніц (гл. Поля тэорыя). П. электрастатычны — энергетычная характарыстыка электрастатычнага поля. Вызначаецца формулай φ = W/q, дзе W — патэнцыяльная энергія ўзаемадзеяння эл. зараду q з электрастатычным полем, напружанасць якога $\overrightarrow{E}=-grad\mathrm{\phi }$ . П. вызначаецца з дакладнасцю да адвольнай пастаяннай (найб. важнае значэнне мае рознасць патэнцыялаў). Адзінка П. электрастатычнага ў СІ — вольт.

А.​І.​Болсун.

т. 12, с. 186

МОНАКРЫШТА́ЛЬ (ад мона... + крышталі),

асобны крышталь з адзінай неперарыўнай крышт. рашоткай. Характэрная асаблівасць М. — залежнасць большасці яго фіз. уласцівасцей ад напрамку (анізатрапія). Усе яго фіз. ўласцівасці (эл., магн., аптычныя, акустычныя, мех. і інш.) звязаны паміж сабой і абумоўлены крышт. структурай, сіламі сувязі паміж атамамі і энергет. спектрам электронаў (гл. Зонная тэорыя).

Многія М. маюць асаблівыя фіз. ўласцівасці: алмаз вельмі цвёрды, сапфір, кварц, флюарыт — надзвычай празрыстыя, ніткападобныя крышталі карунду рэкордна моцныя. Многія М. адчувальныя да знешніх уздзеянняў (святла, мех. напружанняў, магн. і эл. палёў, радыяцыі і інш.) і выкарыстоўваюцца як пераўтваральнікі ў квантавай электроніцы, радыёэлектроніцы, лазернай фізіцы, акустыцы і інш. Прыродныя М. трапляюцца рэдка, найчасцей маюць малыя памеры і вял. колькасць дэфектаў структуры (гл. Дэфекты ў крышталях) Таму ў электронным прыладабудаванні выкарыстоўваюць штучныя М. з дасканалай крышт. структурай, зададзенымі ўласцівасцямі і памерамі (гл. Сінтэтычныя крышталі). Створана вял. колькасць сінтэтычных М., якія не маюць прыродных аналагаў.

Літ.:

Лодиз Р.А., Паркер Р.Л. Рост монокристаллов: Пер. с англ. М., 1974;

Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников. М., 1978.

т. 10, с. 517

МАДЫФІКА́ЦЫЯ ПАЛІМЕ́РАЎ,

мэтанакіраванае змяненне фіз.-хім. і хім. уласцівасцей палімераў.

Адрозніваюць хім. М.п. і фіз., ці структурную. Хімічная М.п. — увядзенне ў макрамалекулы нязначнай колькасці фрагментаў інш. хім. прыроды. Ажыццяўляюць на стадыі сінтэзу палімера (напр., увядзенне звёнаў з гідраксільнымі, аміна- ці карбаксільнымі групамі паляпшае адгезію палімераў да палярных паверхняў, іх здольнасць да афарбоўвання, павышае т-ру шклавання і цвёрдасць палімераў). Уключае таксама хім. пераўтварэнні сінтэзаваных макрамалекул (напр., паверхневая М.п. — апрацоўка паверхні палімернага вырабу для надання ёй неабходных уласцівасцей — гідрафільнасці ці гідрафобнасці, устойлівасці да атм. уздзеянняў, антыстатычных і інш.). Фізічная М.п. — змяненне іх фіз.-мех. уласцівасцей пры захаванні хім. будовы макрамалекул ці пераўтварэнне надмалекулярнай структуры палімера. Яе ажыццяўляюць знешнімі мех. ўздзеяннямі на палімерныя плёнкі і валокны, зменай тэмпературна-часавага рэжыму структураўтварэння цвёрдага палімера з расплаву, зменай прыроды растваральніку і рэжыму яго выдалення пры ўтварэнні пакрыццяў, плёнак, валокнаў з раствораў палімераў, увядзеннем у палімер нязначнай колькасці структураўтваральнікаў, якія ўплываюць на кінетыку крышталізацыі і марфалогію палімера.

М.​Р.​Пракапчук.

т. 9, с. 493

КАХЕКСІ́Я (грэч. kachexia, ад kakos дрэнны + hexis стан),

крайняя ступень знясілення арганізма, якая характарызуецца рэзкім схудненнем, знясіленнем, фіз. слабасцю, атрафіяй, зніжэннем фізіял. функцый, астэнічным, пазней апатычным сіндромам.

т. 8, с. 190