ГАЛЬВА́НІ ((Galvani) Луіджы) (9.9.1737, г. Балоння, Італія — 4.12.1798),
італьянскі фізік і фізіёлаг, заснавальнік эксперым. электрафізіялогіі, адзін з заснавальнікаў навукі пра электрычнасць. Скончыў Балонскі ун-т (1759). З 1763 праф. анатоміі, потым медыцыны ў Балонскім ун-це. У «Трактаце пра сілы электрычнасці пры мускульным руху» (1791) апісаў з’яву электрызацыі пры кантакце разнародных металаў. Гэта дало магчымасць А.Вольта стварыць гальванічны элемент. Эксперыментальна даказаў наяўнасць электрычных з’яў у жывёльных тканках (1794).
Літ.:
Льоцци М. История физики: Пер. с итал. М., 1970. С. 190—194.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ІНТЭ́ГРА-ДЫФЕРЭНЦАВА́ЛЬНАЕ ПРЫСТАСАВА́ННЕ,
прылада для атрымання камбінацый вытворных розных парадкаў і інтэгралаў ад уваходных велічынь. Выкарыстоўваецца ў аналагавых выліч. машынах (рашэнне дыферэнцыяльных, інтэгральных і інтэградыферэнцыяльных ураўненняў), аўтам. сістэмах кіравання і інш.
Выконвае камбінаваныя інтэгра-дыферэнцавальныя пераўтварэнні сігналаў з выкарыстаннем замкнутых дынамічных сістэм, якія маюць адпаведную перадатачную функцыю. Звёны такой сістэмы бываюць гідраўл., пнеўматычныя, мех., эл.-мех. і электронныя. Асн.элемент І.-д.п. ў аналагавых ЭВМ — вырашальны ўзмацняльнік з адпаведнымі ланцугамі адваротнай сувязі. Гл. таксама Дыферэнцавальнае прыстасаванне, Інтэгравальнае прыстасаванне.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
НЕЙРАКАМП’Ю́ТЭР,
вылічальная сістэма, у аснову якой закладзены нейрасеткавыя прынцыпы функцыянавання. Асн.элемент Н. — нейронная сетка. Спалучае якасці біял. сістэм (напр., навучанне, у т. л. саманавучанне, самаарганізацыя, прыстасавальнасць) з перавагамі выліч. тэхнікі (высокая скорасць апрацоўкі інфармацыі, вял. аб’ём памяці). Работы па стварэнні універсальных Н. вядуцца ў ЗША, Японіі, Расіі. На Беларусі даследаванні па праблемах Н. праводзяцца ў Ін-це тэхн. кібернетыкі Нац.АН, БДУ, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, Брэсцкім політэхн. ін-це і інш.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
БАСЕ́ЙН (франц. bassin),
1) басейн паркавы — штучны вадаём, элемент садова-паркавага мастацтва і архітэктуры.
2) басейн спартыўны — натуральны або штучны вадаём для вучэбна-трэніровачных заняткаў і спаборніцтваў па плаванні, водным пола і скачках у ваду. Натуральныя басейны робяць на спакойных участках (з роўным дном, без віроў) рэк, азёраў і вадасховішчаў. Штучныя басейны бываюць адкрытыя, закрытыя ці камбінаваныя. У кампазіцыі будынкаў закрытых басейнаў гал.элемент — зала для плавання, трыбуны для гледачоў, дапаможныя памяшканні. Размяшчаюць у асобных будынках ці ў будынках інш. прызначэння (навуч. установах, дамах і палацах культуры, прамысл. прадпрыемствах і інш.). Найб.спарт. басейн на Беларусі — Воднаспартыўны камбінат рэспубліканскі ў Мінску.
Буйныя басейны ўключаюць ванну для плавання і воднага пола памерам 50 × 21 м, глыб. 1,8—2,3 м, ванну для скачкоў у ваду даўж. 18—20 і шыр. 14 × 21 м, глыб. 3,5—5,5 м, па баках 5-, 7,5- і 10-метровыя вышкі і 1- і 3-метровыя трампліны; дзіцячыя ванны звычайна меншых памераў і глыб. 0,6—1,2 м. Вада ў басейне павінна адпавядаць пэўным сан. нормам і падлягае перыядычнай змене і кантролю. Тэмпература вады ў агульнай ванне 22—23 °C, у дзіцячай і для скачкоў 26—27 °C.
Да арт.Басейн. Рэспубліканскі воднаспартыўны камбінат у Мінску.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ГЕТЭРАПЕРАХО́Д,
кантакт паміж двума рознымі паводле хім. саставу ці (і) фазавага стану паўправаднікамі (ПП). Па тыпе праводнасці спалучаных ПП адрозніваюць гетэрапераходы анізатыпныя — кантактуюць ПП з электроннай (n) і дзірачнай (p) эл.-праводнасцямі (p-n-гетэрапераход; гл.Электронна-дзірачны пераход), і ізатыпныя — кантактуюць ПП з адным тыпам праводнасці (n-n-гетэрапераход ці p-p-гетэрапераход). Камбінацыі некалькіх гетэрапераходаў утвараюць гетэраструктуры.
Для атрымання гетэрапераходу выкарыстоўваюцца кантакты паміж германіем Ge, крэмніем Si, ПП злучэннямі тыпу AIIIBV, дзе AIII — элемент III групы перыяд. сістэмы элементаў (алюміній Al, галій Ga, індый In), BV — элемент V групы (фосфар P, мыш’як As, сурма Sb), і іх цвёрдымі растворамі: Ge—Si, Ga Al As — Ga As, Ga Al—Ge, In Ga As — In P. Гетэрапераход атрымліваюць эпітаксіяй. Галоўная асаблівасць гетэрапераходу — скачкападобнае змяненне ўласцівасцей на мяжы падзелу ПП (шырыні забароненай зоны, энергіі роднасці да электрона, рухомасці носьбітаў зараду, іх эфектыўнай масы і інш.). Кіраванне імі шляхам падбору спалучаных ПП матэрыялаў дае магчымасць ствараць арыгінальныя ПП прылады. Гетэрапераходы выкарыстоўваюцца ў пераключальніках хуткадзейных лагічных схем для ЭВМ, ПП лазерах, святлодыёдах і інш.
Літ.:
Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник: Пер. с англ.М., 1975;
Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ.М., 1979.
