Verbum

ЛЯ́МПА ЭЛЕКТРО́ННАЯ,

электравакуумная прылада, прынцып дзеяння якой заснаваны на кіраванні электронным патокам у вакууме з дапамогай эл. поля. Прызначана для генерацыі, узмацнення, дэтэкціравання і інш. пераўтварэнняў эл.-магн. ваганняў. Выкарыстоўваецца ў прыёмна-перадавальнай радыёапаратуры, прыладах аўтаматыкі і тэлемеханікі, эксперым. фізікі, вымяральнай тэхнікі і інш.

Усе электроды змяшчаюцца ў вакуумаваны балон і ў залежнасці ад іх колькасці Л.э. падзяляюцца на дыёды, трыёды, тэтроды, пентоды і інш. У адным балоне могуць манціравацца розныя камбінацыі адзінарных лямпаў (напр., падвойныя дыёды, дыёд-трыёды, трыёд-пентоды). Бываюць з прамым ці ўскосным падаграваннем катода; паводле канструкцыі адрозніваюць шкляныя лямпы з цокалем і без яго (пальчыкавыя), металічныя, металашкляныя і металакерамічныя; буйнагабарытныя, мініяцюрныя, звышмініяцюрныя, маячковыя, алоўкавыя; паводле выхадной магутнасці — прыёмна-ўзмацняльныя (да 10 Вт) і генератарныя (да некалькіх МВт); для ўзмацнення і генерацыі ваганняў у ЗВЧ-дыяпазоне выкарыстоўваюцца лямпы звышвысокачастотныя.

т. 9, с. 424

ЛА́ЗЕРНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць тэхнал. прыёмаў і спосабаў апрацоўкі, змены ўласцівасцей, стану і формы матэрыялу або паўфабрыкату з дапамогай выпрамянення лазераў. Асн. аперацыі Л.т. звязаны з цеплавым дзеяннем лазернага выпрамянення (пераважна цвердацелых лазераў і газавых лазераў). Эфектыўнасць Л.т. абумоўлена высокай лакальнасцю і кароткачасовасцю ўздзеяння, вял. шчыльнасцю патоку энергіі ў зоне апрацоўкі, магчымасцю вядзення тэхнал. працэсаў у празрыстых асяроддзях (у вакууме, газе, вадкасці, цвёрдым целе). Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы і электравакуумнай тэхніцы, паліграфіі, машынабудаванні, у прам-сці буд. матэрыялаў для свідравання адтулін, рэзкі і скрайбіравання (нанясення малюнкаў на паверхню) плёнак і паўправадніковых пласцін, зваркі (гл. Лазерная зварка), загартоўкі, гравіроўкі, нарэзкі рэзістараў, рэтушы фоташаблонаў і інш.

Свідраванне адтулін звычайна робіцца імпульсным лазерам (працягласць імпульсу 0,1—1 мс) у любых матэрыялах (цвёрдых, крохкіх, тугаплаўкіх, радыеактыўных). Лазерам свідруюць алмазныя фільеры для валачэння дроту, стальныя і керамічныя фільеры для вытв-сці штучных валокнаў, рубінавыя камяні для гадзіннікаў, ферытавыя пласціны для запамінальных прыстасаванняў ЭВМ, дыяфрагмы электронна-прамянёвых прылад, керамічныя ізалятары, вырабы са звышцвёрдых сплаваў і інш. Лазерная рэзка вядзецца ў імпульсным і бесперапынным рэжыме, з падачай у зону рэзкі струменю газу (звычайна паветра або кіслароду). Выкарыстоўваецца для раздзялення дыэлектрычных і паўправадніковых падложак (таўшчынёй 0,3—1 мм), скрайбіравання паўправадніковых пласцін, рэзання крохкіх вырабаў са шкла, сіталу і пад. (метадам тэрмічнага расколвання) і інш. Фігурная апрацоўка паверхні — стварэнне мікрарэльефа на матэрыялах выпарэннем, тэрмаапрацоўкай, акісляльна-аднаўляльнымі і інш рэакцыямі, выкліканымі награваннем, тэрмастымуляванымі дыфузійнымі працэсамі. Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы, паліграфічнай прам-сці, пры апрацоўцы цвёрдых сплаваў, ювелірных камянёў і інш. У электроннай тэхніцы перспектыўныя кірункі Л.т.: паверхневы адпал паўправадніковых пласцін з мэтай узнаўлення структуры іх крышталічнай рашоткі пры іонным легіраванні, стварэнне актыўных структур на паверхні паўправаднікоў, атрыманне p-n-пераходаў метадам лакальнай дыфузіі з лазерным нагрэвам, нанясенне тонкіх метал. і дыэл. плёнак лазерным выпарэннем і інш. У фоталітаграфіі Л.т. выкарыстоўваюцца для вырабу звышмініяцюрных друкарскіх плат, інтэгральных схем, відарысаў і інш. элементаў мікраэлектроннай тэхнікі; у хім. і мікрабіял. вытв-сці — для селектыўнага стымулявання хім. і біял. актыўнасці малекул; у медыцыне — для лячэння скурных захворванняў, язваў страўніка, кішэчніка і інш. Магутныя (ад 1 кВт і вышэй) лазеры выкарыстоўваюцца для рэзкі і зваркі тоўстых стальных лістоў, паверхневай загартоўкі, наплаўлення і легіравання буйнагабарытных дэталей, ачысткі будынкаў ад паверхневых забруджванняў, рэзкі мармуру, граніту, раскрою тканіны, скуры і інш.

На Беларусі распрацоўкі па Л.т. вядуцца ў ін-тах Нац. АН (фізікі, малекулярнай і атамнай фізікі, фізіка-тэхнічным, прыкладной фізікі, фотабіялогіі і інш.), Ін-це прыкладных фіз. праблем БДУ, Гомельскім ун-це, у шэрагу галіновых НДІ.

Літ.:

Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов. М., 1985;

Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов: Пер. с англ. М., 1986;

Промышленное применение лазеров: Пер. с англ. М., 1988.

В.​В.​Валяўка, В.​К.​Паўленка.

т. 9, с. 101

ГА́ЗАВЫ ЛА́ЗЕР,

лазер з газападобным актыўным рэчывам. Актыўнае рэчыва (газ) змяшчаецца ў аптычны рэзанатар або прапампоўваецца праз яго. Інверсія заселенасці ўзроўняў энергіі (гл. Актыўнае асяроддзе) дасягаецца ўзбуджэннем атамаў дапаможнага рэчыва (напр., гелій, азот) і рэзананснай перадачай узбуджэння атамам рабочага рэчыва (неон, вуглякіслы газ). Паводле тыпу актыўнага рэчыва адрозніваюць атамарныя, іонныя і малекулярныя газавыя лазеры. Атрымана генерацыя пры выкарыстанні 44 актыўных атамарных асяроддзяў, іх іонаў з рознай ступенню іанізацыі, а таксама больш за 100 малекул і радыкалаў у газавай фазе. Газавыя лазеры маюць больш высокую монахраматычнасць, стабільнасць, кагерэнтнасць і накіраванасць выпрамянення ў параўнанні з лазерамі інш. тыпаў. Выкарыстоўваюцца ў метралогіі, галаграфіі, медыцыне, аптычных лініях сувязі, матэрыялаапрацоўцы (рэзка, зварка), лакацыі, фіз. даследаваннях, звязаных з атрыманнем і вывучэннем высокатэмпературнай плазмы і інш.

Для ўзбуджэння актыўнага рэчыва газавыя лазеры выкарыстоўваюць электрычныя разрады ў газах, пучкі зараджаных часціц, аптычную, хім. і ядз. пампоўку, цеплавое ўзбуджэнне, а таксама газадынамічныя метады і метады перадачы энергіі ў газавых сумесях. Найб. пашыраным атамарным газавым лазерам з’яўляецца гелій-неонавы лазер (магутнасць генерацыі да 100 мВт), які мае найвышэйшую стабільнасць параметраў генерацыі, надзейнасць і даўгавечнасць. Найб. магутная генерацыя іонных газавых лазераў атрымана на іонах аргону (да 500 Вт у неперарыўным рэжыме). Малекулярныя лазеры з’яўляюцца найб. магутнымі, напр. газавы лазер на вуглякіслым газе мае магутнасць да 1 МВт у неперарыўным рэжыме.

Першы газавы лазер на сумесі неону і гелію створаны ў 1960 амер. фізікамі А.​Джаванам, У.​Р.​Бенетам і Д.​Эрыятам. На Беларусі распрацоўкай і даследаваннем газавых лазераў займаюцца ў ін-тах фізікі, цепла- і масаабмену, фіз.-тэхн., малекулярнай і атамнай фізікі АН, НДІ прыкладных фіз. праблем пры БДУ, Гродзенскім ун-це і БПА.

Літ.:

Войтович А.П. Магнитооптика газовых лазеров. Мн., 1984;

Орлов Л.Н. Тепловые эффекгы в активных средах газовых лазеров. Мн., 1991;

Солоухин Р.И., Фомин Н.А. Газодинамические лазеры на смешении. Мн., 1984.

Л.​М.​Арлоў.

т. 4, с. 426

МІКРАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна навукі і тэхнікі, якая забяспечвае стварэнне і сінтэз мікрамініяцюрных вырабаў рознага функцыянальнага прызначэння для радыёэлектроннай апаратуры (лініі затрымкі, фільтры, прылады ўзмацнення і апрацоўкі радыёэлектронных сігналаў і інш.); асн. раздзел электронікі. На аснове вырабаў М. створаны таксама высоканадзейныя з вял. аб’ёмам памяці камп’ютэры і камп’ютэрныя сістэмы вырашаюцца праблемы стварэння штучнага інтэлекту.

Грунтуецца на дасягненнях фізікі, хіміі, матэматыкі, матэрыялазнаўства і інш. Сярод вырабаў М. найб. пашыраны аналагавыя і лічбавыя інтэгральныя паўправадніковыя і гібрыдныя мікрасхемы (ІС; гл. Інтэгральныя схемы), прыборы з зарадавай сувяззю (напр., ПЗС-матрыца). Вырабы М. бываюць у выглядзе матрыцы (ці некалькіх матрыц) аднатыпных элементаў мікронных і субмікронных памераў. напр., транзістараў розных тыпаў (біпалярных, МДП) і іх эл. злучэнняў; напр., вял. ІС маюць да 10⁴ элементаў, звышвял. — да 10​⁶ і ультравял. — больш за 10​⁶ элементаў на крышталь. Вытв-сць паўправадніковых ІС ажыццяўляецца з выкарыстаннем сукупнасці тэхнал. працэсаў, заснаваных на фіз.-хім. метадах апрацоўкі паўправадніковых, метал. і дыэл. матэрыялаў, якія складаюць аснову планарнай тэхналогіі, сінтэз гібрыдных мікрасхем праводзіцца на аснове плёначнай тэхналогіі. М. развіваецца ў кірунку змяншэння памераў элементаў (гл. Мініяцюрызацыя), павышэння ступені інтэграцыі (вызначаецца шчыльнасцю ўпакоўкі) і хуткадзеяння (вызначаецца часам затрымкі сігналу) з абавязковай аптымізацыяй логікі работы мікрасхем, удасканаленнем структуры і ўласцівасцей традыцыйных (германій, крэмній) і новых (арсенід галію і інш.) паўправадніковых і дыэл.-матэрыялаў, тугаплаўкіх металаў. Асн. праблемы М. пры павышэнні ступені інтэграцыі звязаны з фундаментальнымі абмежаваннямі, абумоўленымі прыродай матэрыялаў і фіз. прынцыпамі функцыянавання, а таксама праблемамі ўзроўню ўласных шумоў і адводу цяпла.

На Беларусі даследаванні па праблемах М. вядуцца з сярэдзіны 1960-х г. у Фіз.-тэхн. ін-це, Ін-тах фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, электронікі Нац. АН, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, БДУ, НВА «Інтэграл» (у т. л. вытв-сць вырабаў М.) і інш.

Літ.:

Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2 изд. М., 1985;

Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

Л.​І.​Гурскі.

т. 10, с. 363

ГІПЕР’Я́ДРЫ ў фізіцы,

ядрападобныя сістэмы, якія складаюцца з нуклонаў (пратонаў і нейтронаў) і аднаго або некалькіх гіперонаў (Λ, Σ і інш.). Утвараюцца пры ўзаемадзеянні часціц высокіх энергій з нуклонамі ядраў або пры захопе ядром павольнага K​⁻-мезона; выяўляюцца па прадуктах распаду. Вывучэнне ўласцівасцей гіпер’ядраў з’яўляецца адным з найб. важных кірункаў ядз. фізікі, дазваляе высветліць сувязі паміж фундаментальнымі барыён-барыённымі ўзаемадзеяннямі і ядз. структурай.

Λ-гіпер’ядры адкрыты эксперыментальна ў 1953 польскімі вучонымі М.​Данышам і Е.​Пнеўскім; у 1963 выяўлены гіпер’ядры з двума Λ-гіперонамі (падвойныя гіпер’ядры), у 1979 — Σ-гіпер’ядры. Большасць уласцівасцей гіпер’ядраў эксперыментальна вызначана пры ўзаемадзеянні K​⁻-мезонаў з ядром: гіпер’ядры маюць ненулявую дзіўнасць; іх структура вызначаецца моцным узаемадзеяннем нуклонаў і гіперонаў, час жыцця гіпер’ядраў — часам жыцця гіперона; большасць гіпер’ядраў могуць знаходзіцца ў некалькіх станах (асн. і ўзбуджаным) з пэўнымі значэннямі поўнага вуглавога моманту і цотнасці.

А.​В.​Берастаў.

т. 5, с. 258

ГЕ́ЛЬМГОЛЬЦ ((Helmholtz) Герман Людвіг Фердынанд) (31.8.1821, г. Патсдам, Германія — 8.9.1894),

нямецкі прыродазнавец. Чл.-кар. Пецярбургскай АН (1868). Вучыўся ў Ваенна-мед. ін-це ў Берліне. Праф. фізіялогіі Кёнігсбергскага (1849—55) і Бонскага (1855—58) ун-таў, у 1871—88 праф. фізікі Берлінскага ун-та, з 1888 дырэктар фізіка-тэхн. ун-та ў Берліне. Навук. працы па фізіцы, біяфізіцы, фізіялогіі і псіхалогіі. Матэматычна абгрунтаваў закон захавання энергіі (1847), даказаў яго ўсеагульны характар. Распрацаваў тэрмадынамічную тэорыю хім. працэсаў, увёў паняцці свабоднай і звязанай энергій. Заклаў асновы тэорыі віхравога руху вадкасцей і анамальнай дысперсіі святла. Прапанаваў тэорыю слыху і зроку чалавека, выявіў і вымераў цеплаўтварэнне ў мышцах (1845—47), вывучыў працэс скарачэння мышцаў (1850—54). Вызначыў скорасць распаўсюджвання нерв. імпульсаў (1850). Сканструяваў шэраг фіз. прылад, распрацаваў колькасныя метады фізіял. даследаванняў.

Літ.:

Лазарев П.П. Гельмгольц. М., 1959;

Лебединский А.В., Франкфурт У.И., Френк А.М. Гельмгольц (1821—1894). М., 1966.

т. 5, с. 144

КАМПЛЕ́КСНЫ ЛІК,

лік выгляду z = a + ib, дзе a і b — сапраўдныя лікі, $i=\sqrt{-1}$ — уяўная адзінка, a наз. сапраўднай, b — уяўнай часткай ліку z. Тэрмін «К.л.» прапанаваў К.​Гаўс, сімвал $i=\sqrt{-1}$ — Л.​Эйлер. Уведзены ў сувязі з рашэннямі квадратных і кубічных ураўненняў. Выкарыстоўваюцца пры матэм. апісанні розных пытанняў фізікі і тэхнікі (гідрадынамікі, аэрамеханікі, радыё- і электратэхнікі і інш.).

К.л. выгляду z = 0 + ib наз. чыста ўяўным, z = x + i0 — сапраўдным, лікі $z=a+ib$ і $\stackrel{—}{z}=a-ib$ — камплексна спалучанымі. Паміж К.л. і пунктамі на плоскасці існуе ўзаемна адназначная адпаведнасць, што дазваляе адлюстроўваць лікі пунктамі на плоскасці. Кожны К.л. можна выявіць у трыганаметрычнай z = r (cos φ + isinφ) ці паказчыкавай $z=r{e}^{t\rho }$ формах, дзе $r=\text{|}z\text{|}=+\sqrt{x^2+y^2}$ — модуль, $\mathrm{\phi }=argz$ — аргумент К.л. Такі запіс зручны, напр., для ўзвядзення К.л. ў ступень ці здабывання кораня.

т. 7, с. 538

ЛЕ́ЙПЦЫГСКІ УНІВЕРСІТЭ́Т,

адзін са старэйшых і буйнейшых ун-таў Германіі. Засн. ў 1409 у г. Лейпцыг. У гады фаш. дыктатуры (1933—45) ун-т быў закрыты. У 1946 аднавіў работу. Ф-ты: права, тэалогіі, гіст., філал., адукацыі, мастацтва і ўсходніх дысцыплін, біял., вет., мед., эканам., сац. навук і філасофіі, матэматыкі і камп’ютэрных дысцыплін, фармацэўтычных дысцыплін і псіхалогіі, хіміі і мінералогіі, фізікі і навук аб Зямлі. У 1995 у Л.у. больш за 18,5 тыс. студэнтаў. Пры ун-це працуюць ін-ты, лабараторыі, н.-д. ўстановы, б-ка (з 1543; больш за 4,2 млн. тамоў), музеі (муз. інструментаў, медыцыны і прыродазнаўства, стараж. свету, егіпталогіі, манет і манускрыптаў), бат. сад, радыёстанцыя. У розны час у ім вучыліся У. фон Гутэн, Т.Мюнцэр, Г.В.Лейбніц, Г.Э.Лесінг, А.М.Радзішчаў, І.В.Гётэ, І.Г.Фіхтэ., Ф.Шлегель, В.Р.Вагнер, Ф.Ніцшэ і інш.; выкладалі К.Людвіг (у яго лабараторыі працаваў І.П.Паўлаў), А.В.Кольбе, В.Вунт, В.Ф.Оствальд і інш.

В.​М.​Навумчык.

т. 9, с. 191

КЛУБО́ВІЧ (Уладзімір Уладзіміравіч) (н. 26.3.1933, в. Варонічы Зэльвенскага р-на Гродзенскай вобл.),

бел. вучоны ў галіне тэхналогіі апрацоўкі металаў. Акад. Нац. АН Беларусі (1996; чл.-кар. 1977), д-р тэхн. н. (1973), праф. (1979). Скончыў БДУ (1956). З 1957 у Фізікатэхн. ін-це АН Беларусі. З 1975 нам. дырэктара Ін-та фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў АН Беларусі па Віцебскім аддзяленні, з 1994 дырэктар Ін-та тэхн. акустыкі Нац. АН Беларусі. Навук. працы па пластычнасці і апрацоўцы металаў пры ўздзеянні на іх ультрагукавых ваганняў. Распрацаваў навук. асновы выкарыстання ультрагуку для кіравання працэсамі высокатэмпературнага сінтэзу, іонна-плазменнага напылення, уздзеяння ультрагуку на сплавы з памяццю формы; выкарыстання ультрагуку ў медыцыне і біятэхналогіі. Дзярж. прэмія Беларусі 1984.

Тв.:

Ультразвуковая пайка в радао- и приборостроении. Мн., 1985 (разам з М.​Д.​Цяўлоўскім, У.​Л.​Ланіным);

Методы выращивания кристаллов из растворов. Мн., 1991 (разам з М.​К.​Талочкам).

т. 8, с. 350

ІНЕРЦЫЯ́ЛЬНАЯ СІСТЭ́МА АДЛІ́КУ,

сістэма адліку, у якой выконваецца інерцыі закон Кожная сістэма адліку (СА), якая рухаецца адносна І.с.а. раўнамерна і прамалінейна, таксама з’яўляецца І.с.а. Усе І.с.а. раўнапраўныя, г.зн. ва ўсіх такіх СА законы фізікі аднолькавыя (гл. Адноснасці прынцып). Пры пераходзе ад адной І.с.а. да іншай у класічнай механіцы выконваюцца Галілея пераўтварэнні, а ў рэлятывісцкай механіцы — Лорэнца пераўтварэнні. СА, якія рухаюцца адносна І.с.а. з паскарэннем, з’яўляюцца неінерцыяльнымі сістэмамі адліку.

Усе рэальныя СА могуць разглядацца як І.с.а. толькі з пэўнай ступенню набліжэння, таму што целы адліку, з якімі яны звязваюцца, рухаюцца з тым ці іншым паскарэннем. Напр., геліяцэнтрычную СА, звязаную з цэнтрам мас Сонца і восямі, накіраванымі на аддаленыя зоркі, з вялікай ступенню дакладнасці можна лічыць І.с.а. Такая СА выкарыстоўваецца гл. ч у задачах нябеснай механікі і касманаўтыкі Для рашэння большасці тэхн. задач І.с.а. можна лічыць СА, звязаныя з Зямлёй або яе цэнтрам мас.

А.​І.​Болсун.

т. 7, с. 257