Verbum

МАГНІТАТЭЛУРЫ́ЧНЫЯ МЕ́ТАДЫ РАЗВЕ́ДКІ,

адзін з кірункаў геафізічнай разведкі, заснаваны на вывучэнні пераменных у часе і па частаце варыяцый прыродных тэлурычных эл. токаў у прыпаверхневай ч. Зямлі. Тэлурычныя токі ствараюцца варыяцыямі магнітнага паля Зямлі і эл. канвекцыйнымі працэсамі ў зямной кары і атмасферы, характар іх варыяцый залежыць ад геал. будовы. Адрозніваюць метады: тэлурычных токаў (ТТ), магнітатэлурычнага зандзіравання (МТЗ) і магнітатэлурычнага прафілявання (МТП).

У метадзе ТТ сінхронна вымяраецца рознасць патэнцыялаў варыяцый тэлурычнага поля на базавым і радавых пунктах. Атрымліваюць тэлураграмы, па якіх вымяраюць параметры поля ТТ і складаюць карты рэльефу паверхні высакаомнага гарызонта ў асадкавым чахле або крышт. фундамента. У метадзе МТЗ дадаткова да эл. характарыстык поля ТТ вымяраюць магнітную складаючую і вылічваюць адносіны эл. складаючай да магнітнай для розных частот, будуюць крывую ўяўнага ўдзельнага супраціўлення, якую параўноўваюць з тэарэтычнымі. У адрозненне ад МТЗ у метадзе МТП адносіны эл. складаючай да магнітнай вылічваюць для фіксаванай частаты.

На Беларусі ў выніку даследаванняў ВА «Белгеалогія» і Ін-та геал. навук Нац. АН Беларусі па метадах ТТ і МТЗ складзены карты сярэдняй напружанасці поля ТТ і пашырэння электраправодных слаёў, карты рэльефу фундамента, паверхні саляносных адкладаў і інш.

Г.І.Каратаеў.

т. 9, с. 479

ГЕНЕРА́ТАР у радыётэхніцы, прылада для атрымання (генерацыі) эл.-магн. ваганняў вызначанага віду (пэўных частаты, амплітуды, фазы, формы імпульсаў і інш.). Адрозніваюць генератар з самаўзбуджэннем (аўтагенератары; гл. ў арт. Аўтаваганні), у якіх характарыстыкі ваганняў вызначаюцца ўласцівасцямі самога генератара, і з незалежным узбуджэннем (узмацняльнікі магутнасці эл.-магн. ваганняў ад асобнага аўтагенератара). Генерацыя ажыццяўляецца пераважна за кошт энергіі крыніц пастаяннага току з дапамогай актыўных элементаў (электронных прылад) або шляхам пераўтварэння першасных эл. ваганняў у ваганні зададзенай частаты і формы (квантавы генератар, параметрычны генератар).

Паводле тыпу актыўнага элемента адрозніваюць лямпавыя генератары (напр., на генератарных лямпах), цвердацельныя (на вырашальных узмацняльніках, Гана дыёдах, транзістарах, тунэльных дыёдах), генератар з газаразраднымі прыладамі (на тыратронах), форме ваганняў, частаце, магутнасці і прызначэнні — генератар гарманічных ваганняў (гл. Гарманічныя ваганні), генератар ваганняў спец. формы, нізка-, высока- і звышвысокачастотныя, імпульсныя генератары і інш. У генератары інфранізкіх частот і ў генератары ваганняў спец. формы ўмовы генерацыі забяспечваюцца адваротнай сувяззю; генератары нізкіх і радыёчастот маюць вагальныя контуры, фільтры і інш. ланцугі з засяроджанымі элементамі, генератар звышвысокіх частот — ланцугі з размеркаванымі параметрамі (аб’ёмныя і адкрытыя рэзанатары, радыёхваляводы, палоскавыя і кааксіяльныя лініі і інш., звычайна спалучаныя з актыўнымі элементамі ў адно цэлае). Гл. таксама Генератар вымяральны, Блокінг-генератар, Мультывібратар, Свіп-генератар, Фантастрон.

П.С.Габец.

т. 5, с. 155

МІКРАПРАЦЭ́САР (англ. microprocessor),

электронная прылада кіравання і апрацоўкі інфармацыі, якая праграмуецца і складаецца з мікрасхем (адной ці некалькіх) высокай ступені інтэграцыі (гл. Інтэгральная схема). Выкарыстоўваецца як цэнтр. працэсар, напр. у мікра-ЭВМ, як прылада кіравання і апрацоўкі інфармацыі для перыферыйных блокаў ЭВМ, а таксама ў сістэмах кіравання тэхнал. і кантрольна-выпрабавальнага абсталявання, трансп. сродкаў, касм. апаратаў і інш.

Па функцыян. магчымасцях адпавядае працэсару ЭВМ, выкананаму на 20—40 мікрасхемах малой і сярэдняй ступені інтэграцыі, мае большае хуткадзеянне, істотна меншыя памеры, энергаспажыванне і інш. (у параўнанні з інш. выліч. прыладамі). Бываюць секцыянаваныя (з мікрапраграмным кіраваннем; дазваляюць пашыраць разраднасць, функцыян. магчымасці і інш.) і аднакрыштальныя (маюць фіксаваную разраднасць і пастаянны набор камандаў). Паводле віду ўваходных сігналаў М. падзяляюць на лічбавыя (прызначаны для лічбавай апрацоўкі сігналаў) і аналагавыя (прызначаныя для работы ў даследчых выліч. комплексах; дадаткова маюць аналагава-лічбавыя і лічбава-аналагавыя пераўтваральнікі). Найб. пашыраны аднакрыштальныя маларазрадныя М. для выкарыстання ў простых сістэмах кіравання, а таксама 64-разрадныя для прафес. ЭВМ. Першы М. Intel 4004 (1971) меў да 2250 транзістараў на адным крэмніевым крышталі, працаваў на частаце 750 кГц, выконваў да 60 тыс. аперацый за секунду ў якасці цэнтр. працэсара 4-разраднай ЭВМ і быў логікавым блокам, канкрэтнае прызначэнне якога можна задаваць праграмаваннем. Сучасныя М. маюць на адным крышталі да дзесяткаў мільёнаў транзістараў, працуюць на частотах у сотні мегагерц і выконваюць мільярды аперацый за секунду.

Літ.:

Корнеев В.В., Киселев А.В. Современные микропроцессоры. М., 1998.

М.М.Далгіх.

т. 10, с. 360

ОПТАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна электронікі, якая вывучае і выкарыстоўвае ўласцівасці ўзаемадзеяння эл.-магн. хваль аптычнага дыяпазону з электронамі ў цвёрдых, вадкіх і газападобных рэчывах для генерацыі, перадачы, захоўвання, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі. Як самастойная галіна навукі і тэхнікі пачала фарміравацца ў 1960-я г. Грунтуецца на дасягненнях фіз. оптыкі, малекулярнай фізікі, фізікі і тэхнікі паўправаднікоў, лазераў, схематэхнікі і інш.

Умоўна падзяляецца на фатоніку (даследуе метады стварэння прылад захоўвання, перадачы, апрацоўкі і адлюстравання інфармацыі, выяўленай у выглядзе аптычных сігналаў), радыёоптыку (дастасоўвае прынцыпы і метады радыёфізікі да оптыкі) і аптроніку (даследуе метады стварэння аптронных схем — электронных прылад з унутр. аптычнымі сувязямі). Оптаэлектронныя прылады адрозніваюцца неўспрымальнасцю аптычных каналаў сувязі да ўздзеянняў эл. магн. палёў, поўнай гальванічнай развязкай у прыладах з унутр. аптычнымі сувязямі, падвойнай (прасторавай і часавай) мадуляцыяй святла, што дазваляе апрацоўваць вял. масівы інфармацыі. Перавагі оптаэлектронных прылад (у параўнанні з вакуумнымі і паўправадніковымі) грунтуюцца на эл. нейтральнасці квантаў аптычнага выпрамянення (фатонаў), высокай частаце аптычных ваганняў, малой разбежнасці светлавых прамянёў і магчымасці іх дастаткова вострай факусіроўкі.

На Беларусі даследаванні па праблемах О. вядуцца з пач. 1970-х г. у ін-тах фізікі, электронікі, малекулярнай і атамнай фізікі, прыкладной оптыкі, фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, фіз.-тэхн. Нац. АН, БДУ, БПА, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш. Развіты метады і створаны прыстасаванні для захоўвання, перадачы і апрацоўкі інфармацыі на эл.-аптычных, фотахромных, фотатэрмапластычных і оптавалаконных структурах; развіта тэорыя аптычных хваляводаў і створаны прылады інтэгральнай оптыкі; распрацаваны дыфракцыйныя прыстасаванні з эл. кіраваннем; тэхналогія знакасінтэзавальных індыкатараў на вадкіх крышталях; метады і сістэмы для атрымання відарысаў, аптычнай памяці з выкарыстаннем бістабільнасці паўправадніковых структур, многаканальнай перадачы інфармацыі і інш.

Літ.:

Осинский В.И. Интегральная оптоэлектроника. Мн., 1977;

Интегральная оптоэлектроника: Элементы, устройства, технология. М., 1990.

Л.І.Гурскі.

т. 11, с. 441