электро́нна-вымяра́льны электро́нно-измери́тельный

Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)

электро́нна-лічы́льны электро́нно-счётный

Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)

электро́нна-мікраскапі́чны электро́нно-микроскопи́ческий

Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)

электро́нна-я́дзерны электро́нно-я́дерный

Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)

электро́нна-прамянёвы физ. электро́нно-лучево́й

Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)

электро́нна-іо́нны физ., хим. электро́нноо́нный

Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)

ЭВМ ж., нескл. (электро́нна-выліча́льная машы́на) ЭВМ (электро́нно-вычисли́тельная маши́на)

Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)

ГРЫГАРЫ́ШЫН (Іван Лявонцьевіч) (н. 25.8.1931, с. Грынчук Хмяльніцкай вобл., Украіна),

бел. вучоны ў галіне электроннай оптыкі і мікраэлектронікі. Д-р тэхн. н. (1988). Скончыў Чарнавіцкі дзярж. ун-т (1955). З 1961 у Ін-це электронікі АН Беларусі. Навук. працы па мадэляванні і разліку электронна-аптычных сістэм, вакуумнай мікраэлектроніцы. Распрацаваў вакуумныя інтэгральныя мікрасхемы для звышжорсткіх умоў эксплуатацыі, тэхнал. працэсы стварэння магн. галовак запісу і счытвання інфармацыі.

Тв.:

Моделирование электронно-оптических систем на сетках сопротивлений. Мн., 1974 (разам з С.​Л.​Мельнікавым, І.​І.​Беланучкінай).

т. 5, с. 474

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)

прагра́ма ж., в разн. знач. програ́мма;

п. дзе́янняў — програ́мма де́йствий;

п. рабо́ты з’е́зда — програ́мма рабо́ты съе́зда;

п. для электро́нна-выліча́льнай машы́ны — програ́мма для электро́нно-вычисли́тельной маши́ны;

п. канцэ́рта — програ́мма конце́рта;

п. па гісто́рыі Белару́сі для агульнаадукацы́йных устано́ў — програ́мма по исто́рии Белару́си для общеобразова́тельных учрежде́ний

Беларуска-рускі слоўнік, 4-е выданне (2012, актуальны правапіс)

ЛА́ЗЕРНАЯ ТЭХНАЛО́ГІЯ,

сукупнасць тэхнал. прыёмаў і спосабаў апрацоўкі, змены ўласцівасцей, стану і формы матэрыялу або паўфабрыкату з дапамогай выпрамянення лазераў. Асн. аперацыі Л.т. звязаны з цеплавым дзеяннем лазернага выпрамянення (пераважна цвердацелых лазераў і газавых лазераў). Эфектыўнасць Л.т. абумоўлена высокай лакальнасцю і кароткачасовасцю ўздзеяння, вял. шчыльнасцю патоку энергіі ў зоне апрацоўкі, магчымасцю вядзення тэхнал. працэсаў у празрыстых асяроддзях (у вакууме, газе, вадкасці, цвёрдым целе). Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы і электравакуумнай тэхніцы, паліграфіі, машынабудаванні, у прам-сці буд. матэрыялаў для свідравання адтулін, рэзкі і скрайбіравання (нанясення малюнкаў на паверхню) плёнак і паўправадніковых пласцін, зваркі (гл. Лазерная зварка), загартоўкі, гравіроўкі, нарэзкі рэзістараў, рэтушы фоташаблонаў і інш.

Свідраванне адтулін звычайна робіцца імпульсным лазерам (працягласць імпульсу 0,1—1 мс) у любых матэрыялах (цвёрдых, крохкіх, тугаплаўкіх, радыеактыўных). Лазерам свідруюць алмазныя фільеры для валачэння дроту, стальныя і керамічныя фільеры для вытв-сці штучных валокнаў, рубінавыя камяні для гадзіннікаў, ферытавыя пласціны для запамінальных прыстасаванняў ЭВМ, дыяфрагмы электронна-прамянёвых прылад, керамічныя ізалятары, вырабы са звышцвёрдых сплаваў і інш. Лазерная рэзка вядзецца ў імпульсным і бесперапынным рэжыме, з падачай у зону рэзкі струменю газу (звычайна паветра або кіслароду). Выкарыстоўваецца для раздзялення дыэлектрычных і паўправадніковых падложак (таўшчынёй 0,3—1 мм), скрайбіравання паўправадніковых пласцін, рэзання крохкіх вырабаў са шкла, сіталу і пад. (метадам тэрмічнага расколвання) і інш. Фігурная апрацоўка паверхні — стварэнне мікрарэльефа на матэрыялах выпарэннем, тэрмаапрацоўкай, акісляльна-аднаўляльнымі і інш рэакцыямі, выкліканымі награваннем, тэрмастымуляванымі дыфузійнымі працэсамі. Выкарыстоўваецца ў мікраэлектроніцы, паліграфічнай прам-сці, пры апрацоўцы цвёрдых сплаваў, ювелірных камянёў і інш. У электроннай тэхніцы перспектыўныя кірункі Л.т.: паверхневы адпал паўправадніковых пласцін з мэтай узнаўлення структуры іх крышталічнай рашоткі пры іонным легіраванні, стварэнне актыўных структур на паверхні паўправаднікоў, атрыманне p-n-пераходаў метадам лакальнай дыфузіі з лазерным нагрэвам, нанясенне тонкіх метал. і дыэл. плёнак лазерным выпарэннем і інш. У фоталітаграфіі Л.т. выкарыстоўваюцца для вырабу звышмініяцюрных друкарскіх плат, інтэгральных схем, відарысаў і інш. элементаў мікраэлектроннай тэхнікі; у хім. і мікрабіял. вытв-сці — для селектыўнага стымулявання хім. і біял. актыўнасці малекул; у медыцыне — для лячэння скурных захворванняў, язваў страўніка, кішэчніка і інш. Магутныя (ад 1 кВт і вышэй) лазеры выкарыстоўваюцца для рэзкі і зваркі тоўстых стальных лістоў, паверхневай загартоўкі, наплаўлення і легіравання буйнагабарытных дэталей, ачысткі будынкаў ад паверхневых забруджванняў, рэзкі мармуру, граніту, раскрою тканіны, скуры і інш.

На Беларусі распрацоўкі па Л.т. вядуцца ў ін-тах Нац. АН (фізікі, малекулярнай і атамнай фізікі, фізіка-тэхнічным, прыкладной фізікі, фотабіялогіі і інш.), Ін-це прыкладных фіз. праблем БДУ, Гомельскім ун-це, у шэрагу галіновых НДІ.

Літ.:

Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов. М., 1985;

Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов: Пер. с англ. М., 1986;

Промышленное применение лазеров: Пер. с англ. М., 1988.

В.​В.​Валяўка, В.​К.​Паўленка.

Да арт. Лазерная тэхналогія. А. Схема лазернай рэзкі з тэлекантролем працэсу. 1 — дэталь, якая апрацоўваецца; 2 — прыстасаванне факусіроўкі лазернага праменя; 3 — лазер; 4 — замкнёная тэлевізійная сістэма; 5 — дысплей. Б. Схема станка з рубінавым лазерам для святлопрамянёвай апрацоўкі: 1 — імпульсная лямпа; 2 — кандэнсатар; 3 — паралельныя люстэркі; 4 — штучны рубін; 5 — лінза; 6 — выраб, які апрацоўваецца.

т. 9, с. 101

Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)