уласцівасць некаторых звычайна нелінейных элементаў эл. ланцугоў змяншаць падзенне напружання на іх пры павелічэнні сілы току (напр., 4-слойны некіроўны дыёд, тунэльны дыёд). У ланцугах пераменнага току індуктыўнае супраціўленне можна разглядаць як адмоўнае супраціўленне ў адносінах да ёмістаснага. У ланцугах пастаяннага току адмоўнае супраціўленне ўзнікае ў вобласці значэнняў токаў і напружанняў пры наяўнасці на вольт-ампернай характарыстыцы элемента ўчастка, які зніжаецца.
Вольтамперная характарыстыка элемента з адмоўным супраціўленнем. AB — спадальны ўчастак.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПАТЭНЦЫЯ́ЛЬНЫ БАР’Е́Ру фізіцы,
абмежаваная частка прасторы, у якой патэнцыяльная энергія часціцы большая, чым па-за яе межамі. Дзеліць прастору на 2 часткі, дзе патэнцыяльная энергія часціцы меншая, чым унутры П.б. Характарызуецца вышынёй (найб. значэннем) патэнцыяльнай энергіі. Адпавядае сілам адштурхоўвання. У класічнай механіцы праходжанне часціцы праз П.б. магчыма толькі, калі яе поўная энергія перавышае вышыню П.б. У квантавай механіцы магчыма праходжанне часціц з энергіяй, меншай за вышыню П.б. (гл.Тунэльны эфект).
швейцарскі фізік. Чл.Швейц. акадэміі тэхн. навук (1988). Замежны чл.Нац.АН ЗША (1988). Скончыў Швейц.тэхнал.ін-т у Цюрыху (1955). З 1963 у Цюрыхскай н.-д. лабараторыі фірмы «Інтэрнэшанал бізнес мэшынс карпарэйшэн». З 1997 у н.-д. установах Іспаніі і Японіі. Навук. працы па звышправоднасці, фізіцы цвёрдага цела, мультыкрытычных з’явах, сканіруючай тунэльнай мікраскапіі, нанамеханіцы. Стварыў першы сканіруючы тунэльны электронны мікраскоп (1981; з Г.Бінігам), што дало пачатак новай галіне навукі — нанатэхналогіі. Нобелеўская прэмія 1986 (з Бінігам).
Тв.:
Рус.пер. — Растровый туннельный микроскоп (разам з Г.Бінігам) // В мире науки. 1985. Вып. 10;
Сканирующая туннельная микроскопия — от рождения к юности (з ім жа) // Успехи физ. наук. 1988. Т. 154, вып. 2.
Беларуская Энцыклапедыя (1996—2004, правапіс да 2008 г., часткова)
ПАЎПРАВАДНІКО́ВЫ ДЫЁД,
двухэлектродная паўправадніковая прылада, прынцып дзеяння якой заснаваны на ўласцівасцях p-n-пераходу (найб. пашырана), кантакту метал—паўправаднік (гл.Шоткі дыёд) або аб’ёмных эфектаў у аднародным паўправадніку (гл.Гана дыёд).
Вырабляюцца на аснове германію, крэмнію, арсеніду галію і інш. Паводле канструкцыйных асаблівасцей адрозніваюць кропкавыя П.д. (да паўправадніковага крышталя прыціскаецца спружынная метал. іголка) і плоскасныя П.д. (атрымліваюць метадамі дыфузіі і ўплаўлення дамешкаў, іоннай імплантацыі, эпітаксіяльнага нарошчвання, вакуумнага напылення і інш.). Вызначаюцца малымі габарытнымі памерамі, масай і спажывальнай магутнасцю, вял. тэрмінам службы і інш. Выкарыстоўваецца ў радыётэхніцы ў шырокім дыяпазоне частот для выпрамлення пераменнага току (сілавы, ці выпрамны П.д.), генерыравання і ўзмацнення эл. ваганняў (напр., лавінна-пралётны, тунэльны і параметрычны дыёды), пераўтварэння частаты (змяшальны і памнажальны ЗВЧ-дыёды), дэтэктыравання мадуляваных ваганняў, стабілізацыі напружання (стабілітрон) і інш.
