Verbum

ПЛА́НКА ЗАКО́Н ВЫПРАМЯНЕ́ННЯ, формула Планка,

закон размеркавання энергіі ў спектры раўнаважнага выпрамянення пры пэўнай т-ры; адзін з асн. законаў цеплавога выпрамянення. Тэарэтычна выведзены М.Планкам (1900) на аснове гіпотэзы квантавання энергіі выпрамянення.

Паводле П.З.В. выпрамяняльная здольнасць u_v,T абсалютна чорнага цела ў залежнасці ад частаты ϴ і абс. т-ры T вызначаецца формулай $u_{v,T}=2h{v}^3/c^2\bullet 1/\text{(}{e}^{hv/kT}-1\text{)}$ , дзе h — Планка пастаянная, k — Больцмана пастаянная, c — скорасць святла ў вакууме. Пры высокіх частотах (hv ≫ kT) з П.з.в. вынікае Віна закона выпрамянення, пры нізкіх частотах (hv ≪ kT) — Рэлея—Джынса закон выпрамянення, пасля інтэгравання па частотах ад 0 да ∞ атрымліваецца Стэфана—Больцмана закон выпрамянення. На аснове П.з.в. вызначаны фіз. пастаянныя h і k, распрацаваны метады вызначэння т-ры нагрэтых цел (напр., паверхняў Сонца і зорак), ім карыстаюцца пры разліках энергет. характарыстык крыніц святла. П.з.в. — асобны выпадак Бозе—Эйнштэйна размеркавання часціц з нулявой масай спакою (фатонаў), ён стаў адной з перадумоў стварэння квантавай механікі. Гл. таксама Кірхгофа закон выпрамянення.

т. 12, с. 408

РАЗДЗЯЛЯ́ЛЬНАЯ ЗДО́ЛЬНАСЦЬ,

здольнасць сістэм, прылад і фотаматэрыялаў адрозніваць (узнаўляць) блізкія ў прасторы, часе ці па фіз. уласцівасцях аб’екты ці працэсы; колькасная мера такой здольнасці.

Р.з. аптычных сістэм — здольнасць аптычных сістэм даваць раздзельны відарыс двух блізкіх адзін ад аднаго пунктаў прадмета. З-за дыфракцыі святла аптычная сістэма адлюстроўвае святлівы пункт у выглядзе светлай плямы, абкружанай папераменна цёмнымі і светлымі кольцамі. Паводле крытэрыя У.Рэлея, 2 дыфракцыйныя плямы, адпаведныя відарысам пунктаў аднолькавай яркасці, лічацца раздзельнымі, калі светлы цэнтр адной з іх прыпадае на сярэдзіну першага цёмнага кольца суседняй. Р.з. спектральнай прылады — здольнасць такой прылады ўзнаўляць 2 спектральныя лініі з блізкімі даўжынямі хваль. Паводле крытэрыя Дж.​Рэлея такія лініі раздзяляюцца, калі адлегласць паміж максімумамі іх інтэнсіўнасцей не меншая за шырыню ліній. Р.з. фотаматэрыялаў — уласцівасць матэрыялу раздзельна ўзнаўляць у фотаматэрыяле дробныя суседнія дэталі аб’екта. Абумоўлена ступенню дысперснасці святлоадчувальных кампанентаў фотаслоя, залежыць ад кантрасту аптычнага відарыса, спектральнага складу аптычнага выпрамянення, часу асвятлення (экспазіцыі), умоў праяўлення і інш. Вызначаецца найб. колькасцю паралельных ліній на 1 мм фотавідарыса штрыхавой міры, якія бачныя паасобку ў мікраскопе.

т. 13, с. 257

НАМАГНІ́ЧВАННЕ,

нарастанне намагнічанасці або магнітнай індукцыі магнетыка пры павелічэнні напружанасці знешняга магн. поля. У дыямагнетыках Н. заключаецца ва ўзнікненні мікраскапічных індукцыйных токаў, якія ствараюць намагнічанасць, накіраваную супраць знешняга магн. поля. У парамагнетыках пры Н. адбываецца арыентацыя магн. момантаў атамаў ці іонаў у напрамку поля. У ферамагнетыках Н. складаецца з абарачальнага ці неабарачальнага зруху межаў магн. даменаў, пераарыентацыі іх магн. момантаў у напрамку прыкладзенага поля і парапрацэсу.

Крывая залежнасці намагнічанасці J ад напружанасці H знешняга магн. поля J(H) пры манатонным і павольным нарастанні поля з стану поўнага размагнічвання (J=0) наз. крывой першага Н. ці асн. крывой. На ёй вылучаюць 3 участкі. Першы апісваецца Рэлея законам намагнічвання і змяненні J на гэтым участку ў асноўным абарачальныя. Другі — характарызуецца хуткім неабарачальным ростам J (мае месца магнітны гістэрэзіс). Трэці ўчастак — вобласць магнітнага насычэння. Працэс Н. характарызуецца таксама крывымі цыклічнага перамагнічвання, камутацыйнымі крывымі і інш Па крывых Н. вызначаюць тэхн. характарыстыкі магн. матэрыялаў (намагнічанасць астаткавую, каэрцытыўную сілу, магнітную пранікальнасць і інш.), якія выкарыстоўваюцца пры разліку магнітных ланцугоў.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 11, с. 135

РАССЕ́ЯННЕ СВЯТЛА́,

змена характарыстык святла (напрамку распаўсюджвання, інтэнсіўнасці, частотнага спектра, палярызацыі) пры яго ўзаемадзеянні з рэчывам, што ўспрымаецца як няўласнае свячэнне рэчыва. Паслядоўнае апісанне Р.с. магчыма ў рамках квантавай тэорыі ўзаемадзеяння выпрамянення з рэчывам, аднак у многіх выпадках выкарыстоўваюць хвалевую тэорыю выпрамянення, паводле якой падаючая хваля ўзбуджае ў асяроддзі вымушаныя ваганні эл. зарадаў, якія становяцца крыніцамі другасных эл.магн. хваль.

Р.с. пругкае, калі яно адбываецца без пераўтварэння частаты (гл. Рэлея закон), і няпругкае, калі частата мяняецца; кагерэнтнае, калі фаза рассеянай хвалі адназначна вызначаецца фазай падаючай хвалі, у інш. выпадках — некагерэнтнае. У залежнасці ад саставу і стану рассейвальнага асяроддзя Р.с. адбываецца на розных кампанентах. Р.с. свабодным электронам з’яўляецца пругкім, інтэнсіўнасць рассеяння ўперад і назад удвая большая, чым у перпендыкулярным напрамку, і не залежыць ад даўжыні хвалі святла. Р.с. асобным атамам вельмі залежыць ад частаты падаючага святла ω : пры ω, параўнальным з частатой уласных ваганняў электронаў атама ω₀, інтэнсіўнасць рассеяння прапарцыянальная ω​⁴ (закон Рэлея); пры рэзанансе (ω = ω₀) Р.с. ўзрастае. Пры рассеянні малекуламі акрамя пругкага (аналагічнага атамнаму) можа ўзнікаць і няпругкае рассеянне са зрухам па частаце, інтэнсіўнасць якога на некалькі парадкаў меншая за рэлееўскае (гл. Камбінацыйнае рассеянне святла). Р.с. буйнымі ўтварэннямі абумоўлена флуктуацыямі аптычнай шчыльнасці асяроддзя па прасторы, якія могуць узнікаць з-за наяўнасці ў асяроддзі іншародных цел (кроплі вады, пылінкі ў паветры, суспензіі, украпіны ў крышталях і інш.) ці з прычыны цеплавых флуктуацый шчыльнасці аднароднага рэчыва (малекулярнае Р.с.). Рух абласцей неаднароднасці асяроддзя прыводзіць да ўзнікнення ў Р.с. зрушаных па частаце ліній, напр. пры гіпергуку. Пры вял. колькасці цэнтраў рассеяння акрамя элементарнага акта рассеяння ўзнікае шматразовае рассеянне паміж імі. Са з’яўленнем высокамонахраматычных магутных крыніц святла — лазераў, якія ствараюць у асяроддзі вял. шчыльнасці эл.-магн. выпрамянення, стала магчымым назіраць новыя віды Р.с. Розныя тыпы вымушанага Р.с. даюць магчымасць атрымліваць пасля ўзаемадзеяння з асяроддзем шмат дадатковых высокаінтэнсіўных ліній, што выкарыстоўваецца ў лазернай тэхніцы. Р.с. шырока выкарыстоўваецца пры даследаваннях розных фіз., хім., біял. працэсаў і з’яў. Спектры Р.с. даюць магчымасць вызначаць малекулярныя і атамныя характарыстыкі рэчыва. На Р.с. заснаваны многія метады вызначэння памераў, формы часціц, іх канцэнтрацыі і скорасці руху ў асяроддзі.

На Беларусі даследаванні па праблемах Р.с. праводзяцца ў Ін-це фізікі, Ін-це малекулярнай і атамнай фізікі і Ін-це прыкладной оптыкі Нац. АН Беларусі, БПА.

Літ.:

Хюлст Г. Рассеяние света малыми частицами: Пер. с англ. М., 1961;

Фабелинский И.Л. Молекулярное рассеяние света. М., 1965;

Иванов АП. Оптика рассеивающих сред. Мн., 1969;

Зеге Э.П., Иванов А.П., Кацев И.Л. Перенос изображения в рассеивающей среде. Мн., 1985.

А.​П.​Іваноў.

т. 13, с. 361

АКУСТАЭЛЕКТРО́НІКА,

раздзел электронікі, які вывучае ўзбуджэнне, распаўсюджванне і прыём акустычных хваляў у кандэнсаваных асяроддзях, узаемадзеянне іх з электрамагн. палямі і электронамі праводнасці; займаецца стварэннем акустаэлектронных прылад. Як самастойны раздзел электронікі сфарміравалася ў 1960-я г. (адкрыццё эфекту ўзмацнення гуку дрэйфуючымі электронамі праводнасці ў крышталях сульфіду кадмію). Падзяляецца на высокачастотную (мікрахвалевую) акустыку цвёрдага цела (узбуджэнне, распаўсюджванне і прыём ультра- і гіпергукавых хваляў), уласна акустаэлектроніка (узаемадзеянне акустычных хваляў з электронамі праводнасці ў цвёрдых целах) і акустаоптыку. Займаецца распрацоўкай прылад для пераўтварэння і аналагавай апрацоўкі радыёсігналаў у дыяпазоне частот ад 1 МГц да 20 ГГц (ніжняя мяжа вызначаецца толькі памерамі існуючых крышталёў, верхняя — тэхнал. магчымасцямі вырабу субмікронных элементаў і вязкасным паглынаннем гуку ў цвёрдых целах). У акустаэлектроніцы выкарыстоўваюцца паверхневыя акустычныя хвалі, аб’ёмныя, прыпаверхневыя, хвалі Лэмба і інш. Асн. матэрыялы акстаэлектронікі: п’езаэлектрыкі і слаістыя структуры з п’езаэлектрыкаў і паўправаднікоў, сегнетаэлектрыкі, паўправаднікі без п’езаэл. уласцівасцяў і інш. На Беларусі даследаванні па акустаэлектроніцы праводзяцца з 1970-х г. у Бел. дзярж. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі і інш.

Літ.:

Викторов И.А. Физические основы применения ультразвуковых волн Рэлея и Лэмба в технике. М., 1966;

Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: Схемы, топология, конструкции. М., 1987;

Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах: Пер. с англ. М., 1990.

В.​М.​Дашанкоў.

т. 1, с. 218