Verbum

АДРЫЎНО́Е ЦЯЧЭ́ННЕ,

цячэнне, пры якім паток вадкасці (газу), што абцякае цела, адрываецца ад яго паверхні з утварэннем віхравой зоны. Узнікае каля паверхні цела з крывалінейнымі ўтваральнымі (напр., сферы, крыла самалёта), пры наяўнасці вязкага пагранічнага слоя і павышэння ціску ў напрамку цячэння. Уплывае на гідрадынамічныя (аэрадынамічныя) характарыстыкі целаў, а пры звышгукавых скарасцях цячэння і на цеплавы рэжым.

т. 1, с. 136

КАРЛЬСТА́ДСКІЯ ПАГАДНЕ́ННІ 1905.

Падпісаны паміж Швецыяй і Нарвегіяй 26 кастр. ў г. Карльстад (Швецыя) пасля папярэдніх двухбаковых перагавораў (праходзілі 31.8—23.9.1905) і ўхвалення парламентамі абедзвюх краін. Аформілі скасаванне швед.-нарв. уніі 1814—1905, вызначылі цэласнасць тэр. Нарвегіі, стварэнне нейтральнай пагран. зоны, умовы бяспошліннага транзіту тавараў для Швецыі праз тэр. Нарвегіі, пацвердзілі правы качавання шведскіх саамаў на нарв. землях і інш.

т. 8, с. 75

МАЛАДУ́ШЫНСКАЕ РАДО́ВІШЧА НА́ФТЫ.

У Рэчыцкім р-не Гомельскай вобл., каля в. Маладуша. Адкрыта ў 1977. Распрацоўваецца з 1982. Паклады нафты пл. 8,8 км² прымеркаваны да падсалявых адкладаў верхняга дэвону на ПнУ Прыпяцкага прагіну ў межах Маладушынскай зоны падняццяў. Нафтаносны гарызонт залягае на глыб. 3100—3550 м. Пароды-калектары — даламіты з праслоямі вапнякоў, слабагліністыя даламітызаваныя вапнякі. Нафта лёгкая, маласярністая, маласмалістая, парафінавая.

А.​П.​Шчураў.

т. 9, с. 556

ЛУБЯ́НСКАЕ ВАДАСХО́ВІШЧА.

У Свіслацкім р-не Гродзенскай вобл., каля в. Лубянка. Утворана плацінай у верхнім цячэнні р. Лубянка ў 1978. Пл. 0,74 км², даўж. 1,4 км, найб. шыр. 1 км, найб. глыб. 2,8 м, аб’ём вады 1,04 млн. м³. Ваганні ўзроўню вады на працягу года 1 м. Выкарыстоўваецца для двухбаковага рэгулявання вільготнасці асушаных с.-г. угоддзяў, рыбагадоўлі, добраўпарадкавання прыбярэжнай зоны.

т. 9, с. 355

ПАДЗО́ЛІСТА-БАЛО́ТНЫЯ ГЛЕ́БЫ,

глебы таежнай лясной зоны, што фарміруюцца сярод падзолістых глеб на Пн пад забалочанымі хвойнымі лясамі з імхова-кусцікавым наземным покрывам, на Пд пад забалочанымі мяшанымі лясамі з імхова-травяным покрывам або вільготнымі пасляляснымі лугамі (гл. Дзярнова-падзолістыя забалочаныя глебы). Адносяцца да паўгідраморфных глеб. На Беларусі трапляюцца лакальна ў паўн. раёнах, займаюць каля 70% усіх пераўвільготненых мінер. глеб.

т. 11, с. 497

ПАДСО́Ў у геалогіі,

парушанае заляганне горных парод, якое характарызуецца перамяшчэннем па разрыве адных мас пад іншыя. У адрозненне ад насову ўтвараецца пры актыўным руху ляжачага крыла. Адрозніваюць пакатыя П. (падзенне плоскасці разрыву не перавышае 45°), падсоўныя складкі, буйныя П. (паверхні зруху падаюць пад горныя кражы), субкантынентальныя П. (зоны разрываў у астраўных дугах на мяжы акіянаў і кантынентаў).

І.​В.​Клімовіч.

т. 11, с. 506

ПАЎПУСТЫ́НЯ,

занальны тып ландшафту, што фарміруецца ва ўмовах арыднага клімату, у якім спалучаюцца элементы стэпавай і пустыннай расліннасці. Адрозніваецца бязлессем, спецыфічным раслінным і глебавым покрывам. У стэпавых асацыяцыях пераважаюць дзярнінныя злакі, у пустынных — палыны, салянкі і інш. Пашырана ў трапічных, субтрапічных і ўмераных паясах Паўн. і Паўд. паўшар’яў. Выкарыстоўваецца пераважна як паша; земляробства магчыма на арашальных землях. Гл. таксама Паўпустынныя зоны.

т. 12, с. 232

ЗО́ННАЯ ТЭО́РЫЯ крышталічных цвёрдых цел,

квантавая тэорыя спектра энергій электронаў крышталя. Паводле З.т. гэты спектр складаецца з зон дазволеных і забароненых энергій. З.т. тлумачыць шэраг уласцівасцей і з’яў у крышталях, у прыватнасці, розны характар іх электраправоднасці.

Аснова З.т. — аднаэлектроннае прыбліжэнне: скорасць руху атамных ядраў каля становішчаў раўнавагі многа меншая за скорасць электронаў; кожны электрон рухаецца ў трохмерна-перыядычным полі, якое ствараецца ядрамі і астатнімі электронамі. Зона праводнасці (с) і валентная зона (v) утвораны сукупнасцю атамных энергет. узроўняў, «расшчэпленых» у выніку аб’яднання свабодных атамаў у крышт. рашотку. Узроўні энергіі валентных электронаў (е) атама расшчапляюцца і зрушваюцца значна больш, чым узроўні ўнутраных электронаў (і). Шырыня забароненай зоны Eg (энергет. шчыліна паміж v- і с-зонамі) вызначаецца раўнаважнай адлегласцю паміж ядрамі (пастаяннай крышт. рашоткі d) У крышталі з N ідэнтычных атамаў кожны атамны ўзровень расшчапляецца на N узроўняў, якія ўтвараюць квазінеперарыўную дазволеную зону або яе частку. Электроны запаўняюць дазволеныя зоны энергій у адпаведнасці з Паўлі прынцыпам: на N узроўнях зоны можа знаходзіцца не больш за 2N электронаў. Уласцівасці крышталя залежаць ад колькасці электронаў у зоне праводнасці і/ці ад колькасці незапоўненых узроўняў (вакансій для электронаў) у валентнай зоне. Калі энергет. зона запоўнена электронамі часткова, то пад уздзеяннем знешняга эл. поля яны пераразмяркоўваюцца па ўзроўнях у зоне. Пры гэтым парушаецца сіметрыя размеркавання электронаў па скорасцях — узнікае эл. ток. Таму крышталь з часткова запоўненай c-зонай з’яўляецца правадніком электрычнасці — металам. Электроны ў поўнасцю запоўненай v-зоне з-за прынцыпу Паўлі не могуць пераразмяркоўвацца па ўзроўнях энергіі; крышталь з пустой с-зонай і поўнасцю запоўненай электронамі v-зонай — дыэлектрык. Калі цеплавая энергія дастатковая для пераводу часткі электронаў з v-зоны ў c-зону, то электраправоднасць крышталя расце пры награванні; такі крышталь — паўправаднік. Пры слаба перакрытых с- і v-зонах крышталь з’яўляецца паўметалам (напр., вісмут), а пры змыканні гэтых зон (Eg=0) — бясшчылінным паўправадніком (напр., шэрае волава). З.т. — набліжэнне да рашэння фундаментальнай задачы: вывесці ўласцівасці крышталя з уласцівасцей атамаў, з якіх ён складаецца.

Літ.:

Харрисон У.А. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: Пер. с англ. Т. 1—2. М., 1983;

Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел: Пер. с англ. М., 1981.

М.​А.​Паклонскі.

т. 7, с. 107

ПАЎПРАВАДНІКІ́,

рэчывы, у якіх канцэнтрацыя рухомых носьбітаў зараду значна меншая за канцэнтрацыю атамаў матрыцы. Адрозніваюцца паводле ўпарадкаванасці размяшчэння атамаў, хім. саставу, уласцівасцей. Атамы П. лёгка іанізуюцца, у выніку чаго ўзнікаюць дэлакалізаваныя электрон і дзірка (электронная вакансія ў хім. сувязі атамаў матрыцы). У ідэальных П. канцэнтрацыі электронаў і дзірак роўныя. У рэальных П., якія маюць атамы дамешкаў і дэфекты структуры, гэта роўнасць можа парушацца і тады электраправоднасць П. у асноўным забяспечваецца адным тыпам носьбітаў зараду (электронамі ці дзіркамі).

П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога большая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. n-тыпу, у якім больш дзірак — р-тыпу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. апісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэнс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. актыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыяд. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рашотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рашоткі мае далёкі парадак, але атамы замяшчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай для паяўлення электрон-дзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя электронаў праводнасці.

На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960-х г. у Ін-це фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Ін-це фізікі, Ін-це электронікі Нац. АН, БДУ і інш.

Літ.:

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2 изд. М., 1990;

Вавилов В.С. Алмаз в твердотельной электронике // Успехи физ. наук. 1997. Т. 167, №1;

Yu P.Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999;

Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999.

М.​А.​Паклонскі.

т. 12, с. 230

АБПА́ЛЬВАЛЬНАЯ ПЕЧ,

печ для абпалу розных матэрыялаў. Абпальвальная печ з т-рай рабочай зоны 700—1300 °C паводле канструкцыі бываюць шахтавыя, шматподавыя, трубчастыя, вярчальныя. Прызначаныя для абпалу вогнетрывалай гліны, вапняку, даламіту, цэментнай шыхты, метал. рудаў. Камерныя, кальцавыя, тунэльныя, канвеерныя абпальвальныя печы з т-рай вышэй за 1000 °C выкарыстоўваюцца для абпалу вогнетрывалай цэглы, фарфоравых і фаянсавых вырабаў, эмаляў і фарбаў на посудзе, дэталях машын і апаратаў.

т. 1, с. 33