Verbum

МАГНЕТАХІ́МІЯ,

раздзел фізічнай хіміі, які вывучае залежнасць паміж магн. ўласцівасцямі рэчываў і іх будовай.

Асн. ўласцівасць, якая вымяраецца ў М. — магнітная ўспрыімлівасць. Звычайна яе вызначаюць па змене вагі ўзору рэчыва ў магн. полі, пры гэтым карыстаюцца метадамі, прапанаванымі англ. вучоным М.​Фарадэем і швейц. хімікам Ф.​Гюі. Для дыямагнітных рэчываў, пераважна арган. злучэнняў, элементы будовы малекул выводзяцца, зыходзячы з адытыўнай схемы франц. фізікахіміка П.​Паскаля (1910), згодна з якой малекулярная магн. ўспрыімлівасць роўная суме ўспрыімлівасцей асобных атамаў, што ўваходзяць у састаў малекулы, з папраўкай на характар хім. сувязі паміж імі. Пры даследаванні парамагн. рэчываў (напр., комплексаў пераходных металаў, атамных кластараў) супастаўляюць эксперым. і тэарэт. значэнні магнітных момантаў ці аналізуюць іх залежнасць ад т-ры, што дазваляе меркаваць аб ступені акіслення металу, прыродзе ўзаемадзеянняў унутры комплексу і комплексу з часціцамі, якія яго акружаюць, аб прасторавай структуры і сіметрыі крышт. поля, наяўнасці фера- і антыферамагн. узаемадзеянняў у шмат’ядз. утварэннях. У М. класічныя метады даследаванняў спалучаюцца з магнітарэзананснымі метадамі (гл. Электронны парамагнітны рэзананс, Ядзерны магнітны рэзананс). Новы кірунак у М. — вывучэнне непасрэднага ўплыву магн. поля на хім. раўнавагу, кінетыку і механізм хім, рэакцый. Метады М. выкарыстоўваюцца ў аналіт. практыцы, напр., для выяўлення прымесей ферамагн. рэчываў у колькасцях, недаступных для вызначэння інш. метадамі.

Літ.:

Калинников В.Т. Ракитин Ю.В. Введение в магнетохимию. М., 1980;

Карлин Р.Л. Магнетохимия: Пер. с англ. М., 1989.

В.​Н.​Макатун.

т. 9, с. 476

МЕТАЛІЗА́ЦЫЯ,

пакрыццё паверхні пераважна неметалічных вырабаў слоем метал. рэчыва з мэтай надання вырабам новых уласцівасцей (электра- або цеплаправоднасці, адбівальнай здольнасці, цвёрдасці, хім. і тэрмічнай трываласці і інш.).

М. без цеплавога ўздзеяння на паверхню вырабу ажыццяўляецца вакуумным (электрадугавым, магнетронным, катодным) і хім. (электрахім.) асаджэннем. Счапленне метал. слоя з асноваю адбываецца за кошт сіл адгезіі. Для паляпшэння счаплення робяць хім. або тэрмічную актывацыю паверхні, наступную тэрмічную апрацоўку. Такая М. выкарыстоўваецца для паляпшэння дэкар. уласцівасцей, нанясення слаёў металу ў электроннай і аптычнай прам-сці, для атрымання ахоўных пакрыццяў на тканінах, паперы, пластыку і інш. М. з цеплавым уздзеяннем на паверхню вырабу робіцца напыленнем (расплаўленыя электрадугой, плазмавым патокам або полымем часціцы металу пераносяцца газам), дыфузіяй метал. рэчыва з вонкавага асяроддзя пры высокай т-ры (гл. Дыфузійныя пакрыцці). Такая М. выкарыстоўваецца для аховы вырабаў ад разбуральных мех., цеплавых і хім. уздзеянняў, для паляпшэння счаплення кампанентаў у кампазіцыйных матэрыялах. Для М. выкарыстоўваюць чыстыя металы (жалеза, медзь, алюміній, нікель і інш.), сплавы (бронза, сталь і г.д.), злучэнні (аксіды, карбіды, барыды, нітрыды і да т.п.). Таўшчыня металізаванага слоя — ад некалькіх атамных дыяметраў да некалькіх міліметраў.

Літ.:

Хасуй А. Техника напыления: Пер. с яп. М., 1975;

Ротрекл Б., Дитрих З., Тамхина И. Нанесение металлических покрытий на пластмассы: Пер. с чеш. Л., 1968;

Поляк М.С. Технология упрочения. Т. 1. М., 1995;

Теория и практика нанесения защитных покрытий. Мн., 1998.

Г.​М.​Гайдалёнак.

т. 10, с. 306

ПАРАМАГНЕТЫ́ЗМ (ад пара... + магнетызм),

уласцівасць рэчываў слаба намагнічвацца ў напрамку знешняга магн. поля; адзін з відаў магнетызму. Характэрны для рэчываў (парамагнетыкаў), часціцы якіх (атамы, малекулы, іоны, атамныя ядры) маюць уласныя магн. моманты. У адсутнасці знешняга магн. поля яны арыентаваны хаатычна, так што намагнічанасць рэчыва роўная нулю.

Пры наяўнасці знешняга поля магн. моманты арыентуюцца пераважна ўздоўж поля і намагнічанасць вызначаецца формулай $\overrightarrow{J}=\mathrm{\chi }\overrightarrow{H}$ , дзе χ — магнітная ўспрыімлівасць (для парамагнетыкаў пры т-ры ≈ 293 К χ ⁓ 10​⁻⁷—10​⁻⁴), $\overrightarrow{H}$ — напружанасць знешняга магн. поля. З павелічэннем т-ры ўзрастае дэзарыентавальнае дзеянне цеплавога руху і χ памяншаецца (гл. Кюры закон, Кюры—Вейса закон). Існаванне ў атамаў (іонаў) магн. момантаў, якія абумоўліваюць П., можа быць звязана з арбітальным рухам электронаў у абалонцы атама — арбітальны П., іх спінам — спінавы П., а таксама (у меншай ступені) са спінам атамных ядраў — ядзерны П. (гл. Магнетон). Даследаванне П. дае інфармацыю пра мікраскапічныя магн. ўласцівасці і ўнутр. структуру рэчываў. П. выкарыстоўваецца для атрымання звышнізкіх т-р метадам магнітнага ахаладжэння, у квантавай электроніцы (гл. Мазер) і інш. Гл. таксама Электронны парамагнітны рэзананс, Ядзерны парамагнітны рэзананс.

Літ.:

Вонсовский С.В. Магнетизм. М., 1971;

Абрагам А., Гольдман М. Ядерный магнетизм: порядок и беспорядок: Пер. с англ. Т. 1—2. М., 1984;

Кринчик Г.С. Физика магнитных явлений. 2 изд. М., 1985.

Р.​М.​Шахлевіч.

т. 12, с. 87

ПЛАЗМАХІ́МІЯ,

раздзел фізічнай хіміі, які вывучае хім. рэакцыі ў эл. разрадах і нізкатэмпературнай плазме. З’яўляецца навук. асновай плазмахім. тэхналогіі, апаратурную базу якой ствараюць плазматрон, камера змешвання рэагентаў, рэакцыйны аб’ём (часта сумешчаныя), сістэма выдзялення мэтавага прадукту і інш.

Асн. асаблівасць плазмахім. працэсаў — магчымасць хім. рэакцый, якія не адбываюцца ў звычайных умовах. Гэта тлумачыцца тым, што ў плазме ўтвараецца значна большая колькасць рэакцыйназдольных часціц (узбуджаных малекул, атамных і малекулярных іонаў, свабодных радыкалаў), чым пры звычайных умовах правядзення хім. рэакцый, прычым утварэнне некаторых з іх магчыма толькі ў плазме. Істотную ролю адыгрываюць свабодныя электроны, рэакцыі з удзелам якіх у большасці выпадкаў з’яўляюцца вызначальнымі. Плазмахім. тэхналогія дае магчымасць сінтэзаваць прадукты з асаблівымі ўласцівасцямі (напр., ультрадысперсныя парашкі, неарган. і арган. плёнкі), скарачае колькасць тэхнал. стадый, пашырае сыравінную базу і змяншае шкодныя выкіды ў навакольнае асяроддзе, спрашчае кіраванне працэсамі і інш. Метадамі П. можна атрымліваць вокіслы азоту з паветра, ацэтылен з вуглевадародаў, сінтэз-газ для вытв-сці вінілхларыду, каталізатары для азотнай і нафтаперапрацоўчай прам-сці, ферытавыя парашкі, вокіслы тытану і цырконію, фосфарныя злучэнні, а таксама паляпшаць і змяняць паверхневыя ўласцівасці матэрыялаў і інш.

На Беларусі тэарэт. і эксперым. даследаванні ў галіне П. вядуцца з 1967 у Ін-тах цепла- і масаабмену, фізікі Нац. АН, БДУ. Гл. таксама Плазменная тэхналогія, Фізіка плазмы.

Літ.:

Низкотемпературная плазма. Т. 3. Химия плазмы. Новосибирск, 1991;

Низкотемпературная плазма. Т. 4. Плазмохимическая технология. Новосибирск, 1991.

А.​Ф.​Бубліеўскі.

т. 12, с. 401

ПЛАСТЫ́ЧНАСЦЬ (ад грэч., plastikos прыдатны для лепкі, падатлівы) матэрыялаў, уласцівасць цвёрдых цел (матэрыялаў) пад уздзеяннем мех. нагрузак зменьваць без разбурэння сваю форму і захоўваць частку атрыманай дэфармацыі пасля спынення ўздзеяння. Залежыць ад структуры цела і ўмоў яго дэфармавання (скорасці нагружэння, т-ры, ціску і інш.). Малое значэнне або адсутнасць П. азначае процілеглую ўласцівасць — крохкасць матэрыялаў. Улік П. дазваляе вызначаць запасы трываласці, дэфармавальнасці і ўстойлівасці канструкцый, магчымасці апрацоўкі матэрыялаў ціскам (валачэння, коўкі, пракаткі, штампоўкі). Вывучаюць П. пластычнасці тэорыя, супраціўленне матэрыялаў і інш.

Пластычная дэфармацыя звязана з разрывам некат. міжатамных сувязей і ўтварэннем новых. П. аморфных цел вызначаецца імавернасцю рэлаксацыйных перагруповак атамаў і малекул (гл. Рэлаксацыя), а цел з крышт. будовай — утварэннем, перамяшчэннем і ўзаемадзеяннем дэфектаў у крышталях. У залежнасці ад колькасці атамаў, што ўдзельнічаюць у элементарным акце пластычнай дэфармацыі, адрозніваюць П.: самадыфузійную і дыфузійную (перамяшчэнне атамных слаёў крышталя, на якія ўздзейнічаюць знешнія сілы, на ўчасткі, дзе дзейнічаюць расцягвальныя сілы), краўдыённую (спараджэнне і перамяшчэнне краўдыёнаў — згушчэнняў атамаў уздоўж шчыльна ўпакаваных шэрагаў атамаў), дыслакацыйную (слізганне па крышталеграфічных плоскасцях, гл. Дыслакацыі ў крышталях), звязаную з дэфармацыяй элементарнай ячэйкі крышталя (гл. Двайнікаванне), з працяканнем фазавага пераўтварэння (гл. Фазавыя пераходы).

Літ.:

Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов: Пер. с англ. М., 1972;

Полухин П.И., Горелик С.С., Воронцов В.К. Физические основы пластической деформации. М. 1982;

Кайбышев О.А. Сверхпластичность промышленных сплавов. М., 1984;

Работнов Ю.Н. Механика деформируемого твердого тела. 2 изд. М., 1988.

т. 12, с. 411

БАМБЕ́Й, Вялікі Бамбей,

горад у Індыі. Адм. ц. штата Махараштра. 12,9 млн. ж. (з прыгарадамі, 1992; самы вял. горад краіны). Порт на Аравійскім м. («вароты» Індыі; каля чвэрці марскога знешнегандл. абароту). Міжнар. аэрапорт. Адзін з асноўных прамысл., гандл.-фін. і культ. цэнтраў краіны. Буйнейшы цэнтр баваўнянай прам-сці (больш за чвэрць агульнаіндыйскай вытв-сці). Судна-, аўтамабіле-, станкабудаванне, сярэдняе, дакладнае, энергет., эл.-тэхн. і інш. машынабудаванне, хім., тэкст., нафтахім., фармацэўтычная, нафтаперапр., гарбарна-абутковая, паліграф. прам-сць. Прадпрыемствы харчасмакавай, у т. л. цукровай прам-сці. 2 ун-ты. Цэнтр атамных даследаванняў. Кінематаграфічны цэнтр. Політэхн. ін-т. Ін-т фундаментальных даследаванняў. Паблізу горада АЭС.

Прыбярэжная зона каля Бамбея — асн. раён нафтаздабычы ў краіне.

Горад пабудаваны ў 13 ст., належаў мусульманам з Гуджарату. У 1534 захоплены партугальцамі, у 1661 перададзены англ. каралю Карлу II як частка пасагу яго жонкі. У 1668 здадзены ў арэнду Ост-Індскай кампаніі. У 1672 пабудаваны новы горад, з 1708 адм. сядзіба Ост-Індскай кампаніі. Росквіту дасягнуў у канцы 19 ст. ў выніку буд-ва чыгункі (першая лінія Бамбей — Тхана, 1853), адкрыцця Суэцкага канала (1869) і развіцця тэкст. вытв-сці (з 1860).

Асн. будынкі канца 19 ст.: ун-т (засн. ў 1857, новыя будынкі пастаўлены ў 1923), вакзал Вікторыя, муніцыпалітэт, суд, крыты рынак у псеўдакласічным і псеўдагатычным стылях; будынкі 20 ст.: «Вароты Індыі», гасцініца «Тадж-Махал», паштамт, музей прынца Уэльскага ў псеўданац. стылі. Культавыя будынкі: цэрквы, мячэці, храмы індуісцкія і парсаў. У раёне Малабар Хіл багатыя асабнякі, сады, паркі, кінастудыі, 5 «Вежаў Маўчання» для пахавальнага абраду парсаў. Мані Бхаван (Мемарыял Гандзі).

т. 2, с. 271

НЕЙТРЫ́НА (італьян. neutrino памяншальнае ад neutrone нейтрон),

незараджаная элементарная часціца з групы лептонаў. Мае спін ​¹/₂ і масу, намнога меншую за масу электрона. Па стат. уласцівасцях адносіцца да ферміёнаў. Удзельнічае ў слабых і гравітацыйных узаемадзеяннях (гл. Узаемадзеянні элементарных часціц, з-за вельмі малой масы слаба ўзаемадзейнічае з рэчывам, характарызуецца вял. пранікальнай здольнасцю, напр., свабодна праходзіць праз Зямлю і Сонца.

Вядома 3 тыпы Н.: электроннае Н. ν_e, мюоннае Н. ν_µ, таоннае Н. ν_τ і адпаведныя ім антычасціцы ${\stackrel{—}{\nu }}_{\mathrm{e}}$, ${\stackrel{—}{\nu }}_{\mathrm{\mu }}$, ${\stackrel{—}{\nu }}_{\mathrm{\tau }}$ (звесткі аб ${\nu }_{\mathrm{\tau }}$ і ${\stackrel{—}{\nu }}_{\mathrm{\tau }}$ ускосныя і магчыма, што ${\displaystyle {\nu }_{\mathrm{\tau }}\equiv {\stackrel{—}{\nu }}_{\mathrm{\tau }}}$ ). Кожны з тыпаў Н. пры ўзаемадзеянні з інш. часціцамі можа пераўтварыцца ў адпаведны зараджаны лептон, а калі масы спакою Н. адрозныя ад 0 і лептонныя зарады не захоўваюцца, магчымы асцыляцыі Н. — пераўтварэнні аднаго тыпу Н. ў другі (прапанавана Б.М.Пантэкорва ў 1957). Існаванне электроннага Н. прадказана В.Паўлі (1930—33) на падставе законаў захавання энергіі і імпульсу ў рэакцыях β-распаду, эксперыментальна ${\stackrel{—}{\nu }}_{\mathrm{e}}$ зарэгістравана амер. фізікамі Ф.​Райнесам і К.​Коўэнам ў 1953—56. Выпрамяняюцца Н. пры пераўтварэннях атамных ядраў (β-распадзе, захопе электронаў і мюонаў), распадах элементарных часціц і інш. Працэсы, якія вядуць да ўтварэння Н., адбываюцца ў рэчыве Зямлі і яе атмасферы за кошт касм. выпрамянення, у нетрах Сонца, зорак і інш. (гл. Нейтрынная астраномія, Нейтрынная астрафізіка). Штучна Н. атрымліваюць з дапамогай магутных ядз. выпрамяняльнікаў, ядз. рэактараў, паскаральнікаў зараджаных часціц.

Літ.:

Марков М.А. Нейтрино. М., 1964;

Понтекорво Б.М. Нейтрино. М., 1966;

Рекало М.П. Нейтрино. Киев, 1986.

С.​Сацункевіч.

т. 11, с. 277

РАДЫКА́ЛЫ СВАБО́ДНЫЯ,

хімічныя часціцы, якія маюць няспараныя электроны на знешніх атамных ці малекулярных арбіталях. Наяўнасцю свабоднай валентнасці абумоўлены парамагнетызм і высокая хім. актыўнасць Р.с., якія лёгка ўступаюць у рэакцыі замяшчэння, далучэння, распаду, ізамерызацыі, рэкамбінацыі і дыспрапарцыянавання. Р.с. пашыраны ў прыродзе: утвараюцца ў жывых арганізмах і ўдзельнічаюць у працэсах дыхання і фотасінтэзу; знойдзены ў космасе.

Р.с. бываюць нейтральнымі (атамы, малекулы) ці зараджанымі часціцамі (іон-радыкалы), могуць мець 1, 2 (бірадыкалы) і больш (полірадыкалы) няспараных электронаў. Большасць Р.с. мае малы (долі секунды) час жыцця, іх называюць нестабільнымі. Гэта актыўныя прамежкавыя прадукты ў многіх хім. рэакцыях арган. рэчываў. Існуюць адносна ўстойлівыя, т.зв. стабільныя радыкалы, якія атрымліваюць у выглядзе індывід. рэчываў (напр., нітраксільныя радыкалы — устойлівыя ў паветры інтэнсіўна афарбаваныя крышт. рэчывы ці вадкасці). Першы стабільны Р.с. — трыфенілметыл (С₆Н₅)₃С’ атрымаў (у растворы) амер. хімік М.​Гомберг у 1900. Утвараюцца Р.с. з малекул пры тэрмічнай дысацыяцыі, акісляльна-аднаўляльных працэсах, апрамяненні некаторых рэчываў ультрафіялетавым святлом, пад уздзеяннем патоку часціц высокай энергіі, пранікальнага выпрамянення (радыёліз) і ультрагуку. Даследуюць Р.с. фіз. метадамі: ультрафіялетавая і інфрачырвоная спектраскапія, каларыметрыя, хемілюмінесцэнцыя, мас-спектраметрыя, спектраметрыя электроннага парамагнітнага рэзанансу. Для ідэнтыфікацыі выкарыстоўваюць таксама хім. метады (напр., метад Шварца, заснаваны на ўзаемадзеянні Р.с. з талуолам). Стабільныя Р.с. выкарыстоўваюць як інгібітары полімерызацыі і акіслення розных арган. матэрыялаў (гл. Антыаксіданты); як лічыльнікі для вызначэння скорасці ініцыіравання ланцуговых хім. рэакцый і біяхім. працэсаў, у дэфектаскапіі цвёрдых цел (напр., алмазаў), пры вырабе фотаматэрыялаў.

Літ.:

Бучаченко АЛ., Вассерман А.М. Стабильные радикалы. М., 1973;

Розанцев Э.Г., Шолле В.Д. Органическая химия свободных радикалов. М., 1979;

Нонхибел Д., Теддер Дж., Уолтон Дж. Радикалы: Пер. с англ. М., 1982.

Дз.​І.​Мяцеліца.

т. 13, с. 239

БАЛО́ННЯ (Bologna),

горад на Пн Італіі, на р. Рэна, каля падножжа Паўн. Апенінаў. Адм. ц. правінцыі Балоння і вобласці Эмілія-Раманья. Ва ўзгорыстай мясцовасці з высокаразвітой сельскай гаспадаркай (сады і вінаграднікі). 395 тыс. ж. (1993). Займае выгаднае трансп. становішча на шляхах з Паўн. Італіі на Пд. Вузел чыгунак, аўтадарог; аэрапорт; злучаны суднаходным каналам з р. По. Машынабудаванне (у т. л. дакладнае), чорная металургія, хім., керамічная (вырабы з маёлікі), фармацэўтычная, лёгкая, харч., паліграф. прам-сць. Цэнтр атамных даследаванняў.

З канца 6 ст. да нашай эры Балоння (Фельсіна) сталіца этрускаў. У 4 ст. да нашай эры захоплена племем бояў (адсюль сучасная назва). З 189 да нашай эры Балоння — рым. калонія Банонія. На пач. 8 ст. захоплена лангабардамі, пазней была пад уладай франкаў, папы рымскага. У 1114 дамаглася статуса гар. камуны. У канцы 11 ст. засн. Балонскі універсітэт. У 1506—1860 (з перапынкам у 1796—1815) Балоння ў складзе Сардзінскага (з 1861 Італьянскага) каралеўства. У 2-ю сусв. вайну адзін з цэнтраў Руху Супраціўлення.

Абрысы сярэдневяковай Балонні (вузкія прамыя вуліцы, дамы з аркадамі на 1-м паверсе, фасады гатычных палацаў) склаліся ў 11—15 ст. У цэнтры горада — плошчы Маджорэ і Нептуна з царквой Сан-Петроніо (14—17 ст.), «Палацам караля Энца» (1246), Палацца Камунале (13—15 ст.), Палацца дэль Падэста (13—15 ст.) і фантанам «Нептун» (1566). Комплекс раманскіх цэркваў 11—13 ст. Сан-Стэфана; нахіленыя дамы-вежы Торэ Гарызенда (1110), Торэ Азінелі (1009—1119); цэрквы Сан-Франчэска (13 ст.) і Сан-Даменіка (13—18 ст.); рэнесансавыя і барочныя дамы. Музеі: Нац. пінакатэка, Гар. музей, Галерэя сучаснага мастацтва. Захаваліся шматлікія некропалі этрускаў 6—4 ст. да нашай эры

Літ.:

Rubbi P. E. Guida alla Bologna d’oggi. Bologna, 1975.

т. 2, с. 256