Verbum

ГА́ЗАВЫ ЛА́ЗЕР,

лазер з газападобным актыўным рэчывам. Актыўнае рэчыва (газ) змяшчаецца ў аптычны рэзанатар або прапампоўваецца праз яго. Інверсія заселенасці ўзроўняў энергіі (гл. Актыўнае асяроддзе) дасягаецца ўзбуджэннем атамаў дапаможнага рэчыва (напр., гелій, азот) і рэзананснай перадачай узбуджэння атамам рабочага рэчыва (неон, вуглякіслы газ). Паводле тыпу актыўнага рэчыва адрозніваюць атамарныя, іонныя і малекулярныя газавыя лазеры. Атрымана генерацыя пры выкарыстанні 44 актыўных атамарных асяроддзяў, іх іонаў з рознай ступенню іанізацыі, а таксама больш за 100 малекул і радыкалаў у газавай фазе. Газавыя лазеры маюць больш высокую монахраматычнасць, стабільнасць, кагерэнтнасць і накіраванасць выпрамянення ў параўнанні з лазерамі інш. тыпаў. Выкарыстоўваюцца ў метралогіі, галаграфіі, медыцыне, аптычных лініях сувязі, матэрыялаапрацоўцы (рэзка, зварка), лакацыі, фіз. даследаваннях, звязаных з атрыманнем і вывучэннем высокатэмпературнай плазмы і інш.

Для ўзбуджэння актыўнага рэчыва газавыя лазеры выкарыстоўваюць электрычныя разрады ў газах, пучкі зараджаных часціц, аптычную, хім. і ядз. пампоўку, цеплавое ўзбуджэнне, а таксама газадынамічныя метады і метады перадачы энергіі ў газавых сумесях. Найб. пашыраным атамарным газавым лазерам з’яўляецца гелій-неонавы лазер (магутнасць генерацыі да 100 мВт), які мае найвышэйшую стабільнасць параметраў генерацыі, надзейнасць і даўгавечнасць. Найб. магутная генерацыя іонных газавых лазераў атрымана на іонах аргону (да 500 Вт у неперарыўным рэжыме). Малекулярныя лазеры з’яўляюцца найб. магутнымі, напр. газавы лазер на вуглякіслым газе мае магутнасць да 1 МВт у неперарыўным рэжыме.

Першы газавы лазер на сумесі неону і гелію створаны ў 1960 амер. фізікамі А.​Джаванам, У.​Р.​Бенетам і Д.​Эрыятам. На Беларусі распрацоўкай і даследаваннем газавых лазераў займаюцца ў ін-тах фізікі, цепла- і масаабмену, фіз.-тэхн., малекулярнай і атамнай фізікі АН, НДІ прыкладных фіз. праблем пры БДУ, Гродзенскім ун-це і БПА.

Літ.:

Войтович А.П. Магнитооптика газовых лазеров. Мн., 1984;

Орлов Л.Н. Тепловые эффекгы в активных средах газовых лазеров. Мн., 1991;

Солоухин Р.И., Фомин Н.А. Газодинамические лазеры на смешении. Мн., 1984.

Л.​М.​Арлоў.

т. 4, с. 426

МІКРАЭЛЕКТРО́НІКА,

галіна навукі і тэхнікі, якая забяспечвае стварэнне і сінтэз мікрамініяцюрных вырабаў рознага функцыянальнага прызначэння для радыёэлектроннай апаратуры (лініі затрымкі, фільтры, прылады ўзмацнення і апрацоўкі радыёэлектронных сігналаў і інш.); асн. раздзел электронікі. На аснове вырабаў М. створаны таксама высоканадзейныя з вял. аб’ёмам памяці камп’ютэры і камп’ютэрныя сістэмы вырашаюцца праблемы стварэння штучнага інтэлекту.

Грунтуецца на дасягненнях фізікі, хіміі, матэматыкі, матэрыялазнаўства і інш. Сярод вырабаў М. найб. пашыраны аналагавыя і лічбавыя інтэгральныя паўправадніковыя і гібрыдныя мікрасхемы (ІС; гл. Інтэгральныя схемы), прыборы з зарадавай сувяззю (напр., ПЗС-матрыца). Вырабы М. бываюць у выглядзе матрыцы (ці некалькіх матрыц) аднатыпных элементаў мікронных і субмікронных памераў. напр., транзістараў розных тыпаў (біпалярных, МДП) і іх эл. злучэнняў; напр., вял. ІС маюць да 10⁴ элементаў, звышвял. — да 10​⁶ і ультравял. — больш за 10​⁶ элементаў на крышталь. Вытв-сць паўправадніковых ІС ажыццяўляецца з выкарыстаннем сукупнасці тэхнал. працэсаў, заснаваных на фіз.-хім. метадах апрацоўкі паўправадніковых, метал. і дыэл. матэрыялаў, якія складаюць аснову планарнай тэхналогіі, сінтэз гібрыдных мікрасхем праводзіцца на аснове плёначнай тэхналогіі. М. развіваецца ў кірунку змяншэння памераў элементаў (гл. Мініяцюрызацыя), павышэння ступені інтэграцыі (вызначаецца шчыльнасцю ўпакоўкі) і хуткадзеяння (вызначаецца часам затрымкі сігналу) з абавязковай аптымізацыяй логікі работы мікрасхем, удасканаленнем структуры і ўласцівасцей традыцыйных (германій, крэмній) і новых (арсенід галію і інш.) паўправадніковых і дыэл.-матэрыялаў, тугаплаўкіх металаў. Асн. праблемы М. пры павышэнні ступені інтэграцыі звязаны з фундаментальнымі абмежаваннямі, абумоўленымі прыродай матэрыялаў і фіз. прынцыпамі функцыянавання, а таксама праблемамі ўзроўню ўласных шумоў і адводу цяпла.

На Беларусі даследаванні па праблемах М. вядуцца з сярэдзіны 1960-х г. у Фіз.-тэхн. ін-це, Ін-тах фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, электронікі Нац. АН, Бел. ун-це інфарматыкі і радыёэлектронікі, БДУ, НВА «Інтэграл» (у т. л. вытв-сць вырабаў М.) і інш.

Літ.:

Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2 изд. М., 1985;

Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М., 1986;

Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. Мн., 1991.

Л.​І.​Гурскі.

т. 10, с. 363

АПРАЦО́ЎКА МЕТА́ЛАЎ ЦІ́СКАМ,

сукупнасць тэхнал. працэсаў, у выніку якіх адбываецца пластычная дэфармацыя загатовак без парушэння іх суцэльнасці пад уздзеяннем прыкладзеных вонкавых сіл. Асн. віды апрацоўкі металаў ціскам: пракатка, прасаванне, валачэнне, коўка, штампоўка, гібка; абсталяванне: пракатныя станы, прэсы, валачыльныя станы, молаты, гібачныя машыны.

Апрацоўваюць ціскам большасць металаў і сплаваў, за выключэннем крохкіх (напр., чыгуноў), пераважна ў гарачым стане (пры т-ры больш высокай, чым т-ра рэкрышталізацыі). Пасля халоднай апрацоўкі (робіцца звычайна пры пакаёвай т-ры) пластычныя ўласцівасці металаў узнаўляюць адпалам. Часам выкарыстоўваюць і цёплую апрацоўку (пры прамежкавых т-рах). Апрацоўка металаў ціскам дае магчымасць павысіць трываласць, зменшыць шурпатасць паверхні (напр., абкаткай ролікамі) вырабаў, паменшыць расход металу, лягчэй механізуецца і аўтаматызуецца.

Тэорыя апрацоўкі металаў ціскам займаецца вызначэннем намаганняў, што абумоўліваюць пластычнае дэфармаванне; разлікам памераў і формаў загатовак; вывучае заканамернасці пластычнага цячэння металаў, уплыў апрацоўкі металаў ціскам на мех. і фіз. ўласцівасці металаў. Звязана з дасягненнямі фізікі металаў і пластычнасці тэорыі. Заснавана рус. вучоным Дз.​К.​Чарновым, развіта і выкладзена ў працах рус. і бел. Вучоных С.​І.​Губкіна, А.​І.​Цэлікава, А.​П.​Чакмарова, Г.​М.​Паўлава, В.​П.​Севярдэнкі, В.​С.​Смірнова, В.​М.​Чачына, А.​В.​Сцепаненкі і інш. На Беларусі работы ў галіне апрацоўкі металаў ціскам вядуцца ў Фіз.-тэхн. ін-це АН, Бел. політэхн. акадэміі і інш.

т. 1, с. 435

ДЫЯГНО́СТЫКА ПЛА́ЗМЫ,

сукупнасць метадаў вызначэння параметраў (характарыстык) плазмы; раздзел фізікі плазмы, які вывучае фіз. асновы гэтых метадаў і распрацоўвае іх. Да параметраў плазмы адносяцца шчыльнасць часціц, т-ра (сярэдняя энергія часціц), інтэнсіўнасць выпрамянення, характарыстыкі эл. і магн. палёў і інш. Вынікі Д.п. выкарыстоўваюцца пры правядзенні эксперым. даследаванняў, а таксама для кантролю за станам плазмы і кіравання працэсамі ў плазменных устаноўках.

Д.п. бярэ пачатак у астрафіз. даследаваннях. Лабараторная Д.п. сфарміравалася як самаст. дысцыпліна ў працах па вывучэнні газавых разрадаў (гл. Электрычныя разрады ў газах). Большасць метадаў Д.п. бескантактныя: носьбіты інфармацыі — палі і выпрамяненні ў наваколлі плазмы, для характарыстык якіх папярэдне ўстаноўлена залежнасць ад параметраў плазмы. Пасіўныя метады заснаваны на рэгістрацыі выпрамяненняў і патокаў часціц з плазмы або вымярэнні характарыстык навакольных палёў; актыўныя — на вымярэнні знешняга выпрамянення, якое праходзіць праз плазму, а таксама водгуку плазмы на яго. Найб. пашыраны: зондавы, аптычны (у т. л. фатагр., ценявы, інтэрфераметрычны, галаграфічны і інш.), спектраскапічны, мікрахвалевы, рэнтгенаўскі, лазерны, карпускулярны і цеплафіз. метады.

На Беларусі даследаванні па Д.п. праводзяцца з 1960-х г. у Ін-тах фізікі, цепла- і масаабмену Нац. АН, НДІ прыкладных фіз. праблем БДУ.

Літ.:

Диагностика плазмы. [Вып. 1—7], М., 1963—90;

Кузнецов Э.И., Щеглов Д.А. Методы диагностики высокотемпературной плазмы. 2 изд. М., 1980.

Я.​А.​Яршоў.

т. 6, с. 307

ДЭГАЗА́ЦЫЯ (ад дэ... + газ),

1) Д. атрутных рэчываў — зніжэнне да дапушчальных норм ступені заражанасці стойкімі атрутнымі рэчывамі мясцовасці, вады, тэхнікі і інш. аб’ектаў. Ажыццяўляюць фіз. і хім. спосабамі. Праводзяць з дапамогай спец. тэхн. сродкаў — прылад, дэгазацыйных машын і інш. для прадухілення ўздзеяння атрутных рэчываў на чалавека і жывёл.

Як паняцце Д. ўзнікла ў перыяд 1-й сусв. вайны, калі пачалі выкарыстоўваць газападобныя атрутныя рэчывы. Фіз. спосабы Д. — выдаленне атрутных рэчываў выпарэннем, змываннем арган. растваральнікамі ці воднымі растворамі паверхнева-актыўных рэчываў, адсорбцый, зразаннем заражанага слоя глебы (снегу), а таксама засыпаннем заражанай паверхні інертнымі матэрыяламі (напр., пяском, шлакам). Найб. эфектыўныя хім. спосабы Д., якія заснаваны на абясшкоджванні атрутных рэчываў з дапамогай дэгазавальных рэчываў. Эфектыўная таксама Д. мыццём з выкарыстаннем мыйных сродкаў і карбанату натрыю (кальцыніраванай соды). Пры Д. скурнага покрыва чалавека карыстаюцца універсальнымі дэгазавальнымі растворамі, якія ўваходзяць у камплект індывід. хім. пакета.

2) Д. ў металургіі — выдаленне газаў з вадкага металу. Найб. эфектыўнае вакуумаванне (гл. Вакуумная металургія), таксама Д. адбываецца ў працэсе плаўкі, разліўкі, кіпення, перамешвання, адстойвання металу і інш. 3) Д. ўгорнай справе — выдаленне руднічных газаў з падземных горных вырабатак. Ажыццяўляецца бурэннем свідравін у масіве горных парод, адсмоктваннем газаў з вял. колькасцю метану і інш.

А.​П.​Чарнякова.

т. 6, с. 324

ЛІ́НІЯ СУ́ВЯЗІ,

сукупнасць тэхн. прылад і фіз. асяроддзя, якія забяспечваюць перадачу сігналаў ад перадатчыка да прыёмніка; састаўная частка сістэмы сувязі. Паводле фіз. прыроды сігналаў, якія перадаюцца, адрозніваюць Л.с. эл., аптычныя, акустычныя і інш.

У электрасувязі найб. выкарыстанне знайшлі эл. і аптычныя Л.с. Эл. лініі падзяляюцца на правадныя (паветраныя і кабельныя) і лініі радыёсувязі. У правадных Л.с. сігналы распаўсюджваюцца па стальных, медных або біметал. правадах, падвешаных на апорах з дапамогай ізалятараў. Кабельныя лініі сувязі пракладваюцца ў зямлі, падвешваюцца на апорах і інш. Аптычныя Л.с. бываюць адкрытыя (асяроддзе распаўсюджвання эл.-маг. ваганняў светлавога дыяпазону — паветра, касм. прастора; гл. Аптычная сувязь) і закрытая (штучнае асяроддзе. ізаляванае ад знешняга ўздзеяння). Л.с. з штучным асяроддзем са шклянога валакна наз. валаконна-аптычнымі — ВАЛС (гл. Валаконна-аптычная сувязь). Для адначасовай перадачы сігналаў выкарыстоўваюць ушчыльненне Л.с.: частотнае, пры якім сігналам кожнага канала сувязі адводзіцца пэўная, дакладна абмежаваная частка рабочага дыяпазону частот, і часавая, пры якім кожны канал перыядычна (па чарзе) падключаецца на пэўны час да Л.с. Аснову сучасных сетак электрасувязі складаюць кабельныя Л.с. і ВАЛС.

На Беларусі (1999) працягласць кабельных Л.с. складае больш за 21,5 тыс. км, ВАЛС — больш за 3 тыс. км. Паветраныя Л.с. захаваліся ў мясц. сетках сувязі, яны паступова замяняюцца кабельнымі і валаконна-аптычнымі.

М.​А.​Баркун.

т. 9, с. 269

БЕРЫТАШВІ́ЛІ (Берытаў) Іван Саламонавіч

(10.1.1885, в. Веджыні, Сігнахскі р-н, Грузія — 30.12.1974),

савецкі грузінскі фізіёлаг; заснавальнік груз. школы фізіёлагаў. Акад. АН СССР (1939), АН Грузіі (1941), АМН СССР (1944). Герой Сац. Працы (1964). Скончыў Пецярбургскі ун-т (1910). З 1915 у Новарасійскім (Адэса), з 1919 у Тбіліскім ун-тах. З 1941 дырэктар, з 1951 навук. кіраўнік Ін-та фізіялогіі АН Грузіі. Навук. працы па фізіялогіі ц. н. с. і вышэйшай нерв. дзейнасці. Даследаваў фізіялагічныя, псіхал. і фіз.-хім. асновы памяці. Дзярж. прэмія СССР 1941.

т. 3, с. 126

БЛОЎТ ((Blout) Элкан Роджэр) (н. 2.7.1919, Нью-Йорк),

амерыканскі біяхімік. Чл. Нац. АН ЗША (1969) і Амер. акадэміі навук і мастацтваў. Замежны чл. АН СССР (1976). Скончыў акадэмію Філіпс эксэтэр (1935), Прынстанскі ун-т (1939). З 1943 узначальваў карпарацыю «Паляроід компані». У 1960—69 (з 1962 праф.) у Гарвардскім ун-це. Навук. працы па біяхіміі пратэалітычных ферментаў і бялкоў, якія ёсць у мембранах эрытрацытаў, будове і метадах даследаванняў біяпалімераў з выкарыстаннем фіз. метадаў даследавання (дысперсія аптычнага вярчэння, кругавы дыхрамізм, ядз. магн. рэзананс і інш.).

т. 3, с. 196

АНТЫМУТАГЕ́НЫ (ад анты... + мутагены),

хімічныя і фізічныя фактары, здольныя паніжаць або прадухіляць дзеянне мутагенаў, у выніку чаго змяншаецца частата мутацый.

Адкрыты ў 1950-я г. Натуральныя антымутагены забяспечваюць захаванне пэўнага ўзроўню спантанных мутацый. Сярод іх важнейшымі з’яўляюцца некаторыя ферментныя сістэмы і метабаліты, якія «выпраўляюць» папсаваныя мутагенам участкі храмасом або перашкаджаюць іх узнікненню. Пры штучным мутагенезе мутацыйны эфект можа быць паніжаны або зняты радыепратэктарамі (сульфгідрыльныя злучэнні, моцныя аднаўляльнікі тыпу Na₂S₂O₃, некаторыя спірты і вуглякіслыя солі) або ўздзеяннем некаторых фіз. фактараў (святло, т-ра, ультрафіялетавыя прамяні) рознай інтэнсіўнасці.

т. 1, с. 398